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海力士2Q營(yíng)收26億美元 營(yíng)業(yè)利益4.2億美元

  • 　　韓半導(dǎo)體大廠海力士(Hynix) 21日上午發(fā)布2011年第2季財(cái)報(bào)。海力士第2季營(yíng)收2.76兆韓元(約26.15億美元)，營(yíng)業(yè)利益4,470億韓元(約4.24億美元)，與 2010年同期相比營(yíng)收減少16%、營(yíng)業(yè)利益減少56%，然與2011年第1季相比，雖然營(yíng)收減少1%，但營(yíng)業(yè)利益則增加了38%。
  • 關(guān)鍵字： 海力士  DRAM  

未來(lái)幾年P(guān)C中的DRAM含量增長(zhǎng)速度將會(huì)放慢

  • 　　據(jù)IHS iSuppli公司的內(nèi)存與存儲(chǔ)報(bào)告，個(gè)人電腦(PC)中的DRAM含量增長(zhǎng)速度將出現(xiàn)歷史性的下降，2012年以后每臺(tái)新PC中的DRAM含量的平均年度增長(zhǎng)速度將不會(huì)超過(guò)35%，低于最近25年48%的平均水平。
  • 關(guān)鍵字： DRAM  操作系統(tǒng)  

臺(tái)塑將導(dǎo)入20納米DRAM制程

  • 　　臺(tái)塑表示不會(huì)放棄DRAM產(chǎn)業(yè)，將跨入20納米微縮制程提高產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。臺(tái)塑主管指出，目前50納米的制程已經(jīng)沒(méi)有競(jìng)爭(zhēng)力;南科與華亞科除由40納米跨入30納米的制程之外，更進(jìn)入一項(xiàng)空前的微縮制程，制程一舉由30納米跨入20納米。 　　
  • 關(guān)鍵字： 臺(tái)塑  20納米  DRAM  

第3季度DRAM展望

  • 　　第2季DRAM報(bào)價(jià)下跌幅度相當(dāng)大，主要是日本311地震后，下游客戶擔(dān)心斷鏈危機(jī)擴(kuò)大，因此提前拉貨，但最后發(fā)現(xiàn)PC終端需求低于預(yù)期，導(dǎo)致整個(gè)第2季記憶體市場(chǎng)都處于消化庫(kù)存情況，且一直到第3季庫(kù)存水位仍是偏高，因此DRAM市場(chǎng)持續(xù)陷入供過(guò)于求情況。
  • 關(guān)鍵字： DRAM  DDR3  

合約價(jià)跌跌不休 DRAM廠恐啟動(dòng)減產(chǎn)機(jī)制

  • 　　目前各DRAM廠雖無(wú)積極擴(kuò)產(chǎn)，不過(guò)在加速制程轉(zhuǎn)換下，使得產(chǎn)出量大為提升，而隨著2Gb價(jià)格來(lái)到現(xiàn)金成本，大部分DRAM廠財(cái)務(wù)狀況與現(xiàn)金水位都尚未回復(fù)至金融風(fēng)暴前的水平，以及下半年P(guān)C內(nèi)存搭載未顯著提升、加上全球經(jīng)濟(jì)衰退疑慮下，集邦科技(Trendforce)旗下研究部門DRAMeXchange指出，全球DRAM廠啟動(dòng)減產(chǎn)機(jī)制的可能性將大增。 　
  • 關(guān)鍵字： 集邦科技  DRAM  

DRAM報(bào)價(jià)直落 爾必達(dá)逆勢(shì)大舉募資

  • 　　DRAM產(chǎn)業(yè)產(chǎn)品價(jià)格一再破底，但DRAM廠募資腳步卻從未停歇，像茂德計(jì)劃募資是為尋找活下去的救命錢，爾必達(dá)(Elpida)日前也宣布要發(fā)行500 億日?qǐng)A(約新臺(tái)幣179億元)新股和近300億日?qǐng)A的可轉(zhuǎn)債，決定大舉投入30納米和25納米制程，并加碼行動(dòng)裝置用存儲(chǔ)器的技術(shù)投資。不過(guò)由于爾必達(dá)這次在市場(chǎng)景氣低迷之際，進(jìn)行如此大規(guī)模的募資行動(dòng)，也引發(fā)市場(chǎng)不小爭(zhēng)議。
  • 關(guān)鍵字： 爾必達(dá)  DRAM  

DRAM產(chǎn)業(yè)技術(shù)轉(zhuǎn)型期成本下降趨勢(shì)放緩

  • 　　據(jù)IHS iSuppli公司的研究，隨著DRAM市場(chǎng)過(guò)渡到效率更高的低納米技術(shù)，該產(chǎn)業(yè)的成本削減及節(jié)省步伐從2012年開(kāi)始將放緩。 　
  • 關(guān)鍵字： DRAM  納米  

爾必達(dá)擬發(fā)行新股籌資9.9億美元

  • 　　據(jù)路透社報(bào)道，世界第三大芯片制造商日本爾必達(dá)公司近日計(jì)劃發(fā)行新股和可轉(zhuǎn)換債券，融資近800億日元(折合9.92億美元)。爾必達(dá)從傳統(tǒng)的DRAM芯片生產(chǎn)轉(zhuǎn)向了更為有利可圖的智能手機(jī)芯片生產(chǎn)，因此需要此筆資金進(jìn)行新的研發(fā)和生產(chǎn)。
  • 關(guān)鍵字： 爾必達(dá)  DRAM  

DRAM錢坑 臺(tái)塑集團(tuán)進(jìn)退兩難

  • 　　聯(lián)電榮譽(yù)副董事長(zhǎng)宣明智暗指臺(tái)塑集團(tuán)可以出面集成臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)，南亞科表示，無(wú)法評(píng)論此事;存儲(chǔ)器業(yè)界則認(rèn)為，臺(tái)塑集團(tuán)雖然資金實(shí)力雄厚，但DRAM 產(chǎn)業(yè)走到現(xiàn)在已不是資金問(wèn)題，沒(méi)有技術(shù)和專利也是關(guān)鍵，現(xiàn)在就算再投錢集成，也未必拼得過(guò)韓廠，而臺(tái)塑集團(tuán)這幾年DRAM產(chǎn)業(yè)投資并沒(méi)有得到等值回報(bào)，或許茂德財(cái)務(wù)狀況圓滿解決后，有非常劃算的機(jī)會(huì)可取，臺(tái)塑才會(huì)考慮與美光(Micron)合作切入，否則光是投錢集成，臺(tái)塑意愿恐怕不大。
  • 關(guān)鍵字： 臺(tái)塑  DRAM  

存儲(chǔ)器3Q景氣 NAND Flash略優(yōu)于DRAM

  • 　　存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)度過(guò)辛苦的第2季后，第3季景氣恐沒(méi)有這么快復(fù)蘇，業(yè)界預(yù)期NANDFlash產(chǎn)業(yè)景氣在第3季中之后，會(huì)隨著消費(fèi)性電子產(chǎn)品需求出籠而開(kāi)始翻揚(yáng)，但業(yè)界對(duì)于DRAM市場(chǎng)看法則是分歧，7月合約價(jià)續(xù)跌已成定局，部分業(yè)者認(rèn)為8月中開(kāi)始價(jià)格可止跌，但另一派業(yè)者則認(rèn)為DRAM報(bào)價(jià)到年底都不會(huì)反轉(zhuǎn)，且恐有續(xù)跌的可能性，整體來(lái)看，下半年NANDFlash景氣微幅優(yōu)于DRAM產(chǎn)業(yè)，但好日子也不會(huì)維持太長(zhǎng)。
  • 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器  DRAM  

DRAM成本削減及節(jié)省步伐從2012年開(kāi)始將放緩

  • 　　據(jù)IHS iSuppli公司的研究，隨著DRAM市場(chǎng)過(guò)渡到效率更高的低納米技術(shù)，該產(chǎn)業(yè)的成本削減及節(jié)省步伐從2012年開(kāi)始將放緩。
  • 關(guān)鍵字： DRAM  光刻  

茂德再度減資85%

  • 　　茂德再度啟動(dòng)2次減資計(jì)劃，繼2010年4月宣布減資65%后，2011年7月6日董事會(huì)中再度通過(guò)減資85%，預(yù)計(jì)將在第3季底前完成減資程序，之后將辦理增資引進(jìn)策略性投資人，市場(chǎng)屢次點(diǎn)名的老面孔鴻海、聯(lián)電等大型集團(tuán)，再度被提出來(lái)討論。 　　
  • 關(guān)鍵字： 茂德  DRAM  

DRAM產(chǎn)業(yè)走向低納米技術(shù) 成本縮減將放速

  • 　　最近幾個(gè)季度DRAM產(chǎn)業(yè)在推低光刻節(jié)點(diǎn)方面比較積極，但在今年剩余時(shí)間內(nèi)力度將逐漸減弱。今年第一季度DRAM產(chǎn)業(yè)的加權(quán)平均節(jié)點(diǎn)從2010年第四季度的5.3%上升到5.6%，表明推動(dòng)DRAM技術(shù)遷移的力度在增大。。在此期間，成本降幅從7.8%增大至14.2%，晶圓成本下降情況與光刻工藝的變化相符。據(jù)IHS iSuppli公司的研究，隨著DRAM市場(chǎng)過(guò)渡到效率更高的低納米技術(shù)，該產(chǎn)業(yè)的成本削減及節(jié)省步伐從2012年開(kāi)始將放緩。
  • 關(guān)鍵字： Inotera  DRAM  

存儲(chǔ)器3Q景氣NAND Flash略優(yōu)于DRAM

  • 　　存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)度過(guò)辛苦的第2季后，第3季景氣恐沒(méi)有這么快復(fù)蘇，業(yè)界預(yù)期NAND Flash產(chǎn)業(yè)景氣在第3季中之后，會(huì)隨著消費(fèi)性電子產(chǎn)品需求出籠而開(kāi)始翻揚(yáng)，但業(yè)界對(duì)于DRAM市場(chǎng)看法則是分歧，7月合約價(jià)續(xù)跌已成定局，部分業(yè)者認(rèn)為8月中開(kāi)始價(jià)格可止跌，但另一派業(yè)者則認(rèn)為DRAM報(bào)價(jià)到年底都不會(huì)反轉(zhuǎn)，且恐有續(xù)跌的可能性，整體來(lái)看，下半年NAND Flash景氣微幅優(yōu)于DRAM產(chǎn)業(yè)，但好日子也不會(huì)維持太長(zhǎng)。　
  • 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器  DRAM  

DRAM產(chǎn)業(yè)成本削減步伐將放緩

  • 　　據(jù)IHS iSuppli公司的研究，隨著DRAM市場(chǎng)過(guò)渡到效率更高的低納米技術(shù)，該產(chǎn)業(yè)的成本削減及節(jié)省步伐從2012年開(kāi)始將放緩。 　　雖然最近幾個(gè)季度DRAM產(chǎn)業(yè)在推低光刻節(jié)點(diǎn)方面比較積極，但在今年剩余時(shí)間內(nèi)力度將逐漸減弱。今年第一季度該產(chǎn)業(yè)的加權(quán)平均節(jié)點(diǎn)從2010年第四季度的5.3%上升到5.6%，表明推動(dòng)DRAM技術(shù)遷移的力度增大。在此期間，成本降幅從7.8%增大至14.2%，晶圓成本下降情況與光刻工藝的變化相符。
  • 關(guān)鍵字： DRAM  50納米  
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