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內(nèi)存雙雄:市況否極泰來

  • 華邦消費(fèi)性電子應(yīng)用需求回溫本季是谷底;南亞科上半年跌幅收斂。
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存儲(chǔ)器廠商Q1虧損恐難逃

  • 由于DRAM及NAND Flash第一季價(jià)格續(xù)跌,加上庫(kù)存水位過高,終端消費(fèi)支出持續(xù)放緩,據(jù)外電消息,韓國(guó)三星電子及SK海力士本季度的芯片業(yè)務(wù)恐因提列庫(kù)存損失而面臨數(shù)十億美元虧損。法人指出,南亞科(2408)及華邦電(2344)因減產(chǎn)及跌價(jià)導(dǎo)致營(yíng)收及毛利率持續(xù)下滑,第一季本業(yè)虧損恐將在所難免。據(jù)外電報(bào)導(dǎo),三星電子3月19日提交給韓國(guó)金融監(jiān)督院的申報(bào)文件中指出,截至去年第四季,整體庫(kù)存資產(chǎn)達(dá)到52.2兆韓元(約折合399億美元),遠(yuǎn)高于2021年的41.4兆韓元并創(chuàng)下歷史新高。其中,占三星營(yíng)收比重最高的半導(dǎo)
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平面→立體,3D DRAM重定存儲(chǔ)器游戲規(guī)則?

  • 近日,外媒《BusinessKorea》報(bào)道稱,三星的主要半導(dǎo)體負(fù)責(zé)人最近在半導(dǎo)體會(huì)議上表示正在加速3D DRAM商業(yè)化,并認(rèn)為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法,據(jù)稱這將改變存儲(chǔ)器行業(yè)的游戲規(guī)則。3D DRAM是什么?它將如何顛覆DRAM原有結(jié)構(gòu)?壹摩爾定律放緩,DRAM工藝將重構(gòu)1966年的秋天,跨國(guó)公司IBM研究中心的Robert H. Dennard發(fā)明了動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM),而在不久的將來,這份偉大的成就為半導(dǎo)體行業(yè)締造了一個(gè)影響巨大且市場(chǎng)規(guī)模超千億美元的產(chǎn)業(yè)帝國(guó)。DRA
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三大存儲(chǔ)模組廠商談產(chǎn)業(yè)前景

  • 存儲(chǔ)模組大廠威剛認(rèn)為,以供給面而言,DRAM供給相對(duì)單純且市場(chǎng)庫(kù)存水位較低,看好DRAM價(jià)格回溫時(shí)間可望早于NAND Flash。目前消費(fèi)性需求尚未全面復(fù)蘇,第一季DRAM與NAND Flash合約價(jià)仍有小幅下跌壓力,但存儲(chǔ)器中下游業(yè)者庫(kù)存調(diào)整已歷經(jīng)近一年時(shí)間,并也降至相對(duì)健康水位,因此只要存儲(chǔ)器價(jià)格明確落底,市場(chǎng)備貨需求將可望快速啟動(dòng),加速產(chǎn)業(yè)供需平衡。威剛預(yù)估,第一季營(yíng)收走勢(shì)可望逐月走升,第二季優(yōu)于第一季,下半年可望明顯回升,宇瞻則認(rèn)為,DRAM上半年仍會(huì)處于供過于求,但在原廠減產(chǎn)、減少資本支
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外媒:存儲(chǔ)大廠正在加速3D DRAM商業(yè)化

  • 據(jù)外媒《BusinessKorea》報(bào)道,三星電子的主要半導(dǎo)體負(fù)責(zé)人最近在半導(dǎo)體會(huì)議上表示正在加速3D DRAM商業(yè)化,并認(rèn)為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法。三星電子半導(dǎo)體研究所副社長(zhǎng)兼工藝開發(fā)室負(fù)責(zé)人Lee Jong-myung于3月10日在韓國(guó)首爾江南區(qū)三成洞韓國(guó)貿(mào)易中心舉行的“IEEE EDTM 2023”上表示,3D DRAM被認(rèn)為是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的未來增長(zhǎng)動(dòng)力??紤]到目前DRAM線寬微縮至1nm將面臨的情況,業(yè)界認(rèn)為3~4年后新型DRAM商品化將成為一種必然,而不是一種方向。與現(xiàn)有
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支持下一代 SoC 和存儲(chǔ)器的工藝創(chuàng)新

  • 本文將解析使 3D NAND、高級(jí) DRAM 和 5nm SoC 成為可能的架構(gòu)、工具和材料。要提高高級(jí) SoC 和封裝(用于移動(dòng)應(yīng)用程序、數(shù)據(jù)中心和人工智能)的性能,就需要對(duì)架構(gòu)、材料和核心制造流程進(jìn)行復(fù)雜且代價(jià)高昂的更改。正在考慮的選項(xiàng)包括新的計(jì)算架構(gòu)、不同的材料,包括更薄的勢(shì)壘層和熱預(yù)算更高的材料,以及更高縱橫比的蝕刻和更快的外延層生長(zhǎng)。挑戰(zhàn)在于如何以不偏離功率、性能和面積/成本 (PPAC) 曲線太遠(yuǎn)的方式組合這些。當(dāng)今的頂級(jí)智能手機(jī)使用集成多種低功耗、高性能功能的移動(dòng) SoC 平臺(tái),包括一個(gè)或多
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TrendForce:2023 年 Server DRAM 位元產(chǎn)出比重將達(dá) 37.6%,超越 Mobile DRAM

  • IT之家 2 月 20 日消息,TrendForce 集邦咨詢今日發(fā)布報(bào)告稱,2023 年的 Server DRAM 位元產(chǎn)出比重約 37.6%,將正式超越 Mobile DRAM 的 36.8%?!?圖源:TrendForce 集邦咨詢報(bào)告指出,自 2022 年起 DRAM 原廠持續(xù)將原先配置給 Mobile DRAM 的產(chǎn)能移轉(zhuǎn)至前景相對(duì)強(qiáng)勁穩(wěn)健的 Server DRAM,試圖減輕 Mobile DRAM 端供需失衡的壓力。2023 年由于智能手機(jī)出貨增長(zhǎng)率與平均搭載容量成長(zhǎng)率仍保守,原廠的
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威剛:內(nèi)存產(chǎn)業(yè)需求有望從第三季度起恢復(fù)增長(zhǎng)動(dòng)能

  • IT之家 2 月 10 日消息,據(jù)威剛官方消息,威剛 1 月合并營(yíng)收僅月減 7.57% 為 21.77 億元新臺(tái)幣。威剛表示,公司短期內(nèi)仍將維持彈性且謹(jǐn)慎的庫(kù)存策略,并隨時(shí)掌握產(chǎn)業(yè)變化,預(yù)期內(nèi)存產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈庫(kù)存有望在今年上半年逐步去化完成,隨著下半年消費(fèi)性需求回籠,以及各項(xiàng)產(chǎn)品單機(jī)內(nèi)存搭載容量快速成長(zhǎng),內(nèi)存產(chǎn)業(yè)需求有望從第三季起恢復(fù)成長(zhǎng)動(dòng)能。威剛董事長(zhǎng)陳立白進(jìn)一步指出,目前公司對(duì)內(nèi)存景氣展望不變,預(yù)期本季內(nèi)存價(jià)格仍處短期修正波段,但受惠于上游供應(yīng)商獲利不再且投片態(tài)度轉(zhuǎn)趨保守,DRAM 與 NAND
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存儲(chǔ)設(shè)備庫(kù)存擠壓嚴(yán)重,各類儲(chǔ)存卡、SSD 價(jià)格暴跌:最低 3.59 元起

  • 2023 年 2 月 7 日消息,據(jù) DT 報(bào)道稱主要存儲(chǔ)廠商包括美光、SK海力士、三星等存儲(chǔ)大廠們的芯片庫(kù)存仍在不斷膨脹擠壓中,庫(kù)存壓力巨大。不斷增長(zhǎng)的庫(kù)存壓力也讓供銷商對(duì)終端出貨的預(yù)期保持謹(jǐn)慎,甚至預(yù)測(cè)到 2023 年第四季度才能回暖。價(jià)格方面,目前 DRAM 內(nèi)存芯片價(jià)格預(yù)計(jì)一季度下跌 20%,二季度下跌 11%;而 NAND 閃存價(jià)格預(yù)計(jì)一季度下跌 10%,二季度下跌 3%,各位有需求入手儲(chǔ)存卡、固態(tài)硬盤 SSD 的用戶,近期好價(jià)可以選擇入手!
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TrendForce:預(yù)計(jì)一季度服務(wù)器 DRAM 價(jià)格跌幅約 20%-25%

  • IT之家 2 月 1 日消息,TrendForce 集邦咨詢最新報(bào)告指出,全球經(jīng)濟(jì)持續(xù)疲軟,促使北美四大云服務(wù)供應(yīng)商下修 2023 年服務(wù)器采購(gòu)量,且數(shù)字可能持續(xù)下修,下修幅度由多到少依次為 Meta、Microsoft(微軟)、Google(谷歌)、AWS(亞馬遜云科技)。IT之家了解到,TrendForce 集邦咨詢預(yù)計(jì),四家廠商服務(wù)器采購(gòu)量由原先預(yù)估的同比增長(zhǎng) 6.9%,降至 4.4%,此將影響 2023 年全球服務(wù)器整機(jī)出貨年增率下降到 1.87%,進(jìn)一步加劇 Server DRAM 供
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三星電子計(jì)劃明年擴(kuò)大晶圓代工與 DRAM 產(chǎn)能,擬新設(shè)至少 10 臺(tái) EUV 光刻機(jī)

  • IT之家 12 月 26 日消息,韓國(guó)《首爾經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》表示,盡管明年全球經(jīng)濟(jì)將放緩,三星電子仍計(jì)劃明年在其最大半導(dǎo)體工廠增加芯片產(chǎn)能。據(jù)稱,三星 2023 年存儲(chǔ)器和系統(tǒng)半導(dǎo)體的晶圓產(chǎn)能提高約 10%。業(yè)內(nèi)消息人士稱,三星電子將在位于韓國(guó)平澤的 P3 工廠增加 DRAM 設(shè)備,12 英寸晶圓月產(chǎn)能可達(dá) 7 萬片,明年將把 P3 代工晶圓產(chǎn)能提高 3 萬片(共 10 萬),高于目前 P3 廠 DRAM 產(chǎn)線的每月 2 萬片產(chǎn)能。三星電子計(jì)劃利用新的設(shè)備生產(chǎn) 12 納米級(jí) DRAM。截至今
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三星電子首款12納米級(jí)DDR5 DRAM開發(fā)成功

  • 三星電子宣布,已成功開發(fā)出其首款采用12納米(nm)級(jí)工藝技術(shù)打造的16 Gb DDR5 DRAM,并與AMD一起完成了兼容性方面的產(chǎn)品評(píng)估。三星電子首款12納米級(jí)DDR5 DRAM三星電子高級(jí)副總裁兼DRAM產(chǎn)品與技術(shù)負(fù)責(zé)人Jooyoung Lee表示:"三星12nm級(jí)DRAM將成為推動(dòng)整個(gè)市場(chǎng)廣泛采用DDR5 DRAM的關(guān)鍵因素。憑借卓越的性能和能效,我們希望新款DRAM能夠成為下一代計(jì)算、數(shù)據(jù)中心和AI驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)等領(lǐng)域更可持續(xù)運(yùn)營(yíng)的基礎(chǔ)。"AMD高級(jí)副總裁、企業(yè)院士兼客戶、計(jì)算
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業(yè)界最快:SK 海力士開發(fā)出數(shù)據(jù)傳輸速率達(dá) 8Gbps 的服務(wù)器 DDR5 內(nèi)存模組

  • IT之家 12 月 8 日消息,SK 海力士今日在官網(wǎng)宣布,成功開發(fā)出 DDR5 多路合并陣列雙列直插內(nèi)存模組樣品,這是目前業(yè)界最快的服務(wù)器 DRAM 產(chǎn)品。該產(chǎn)品的最低數(shù)據(jù)傳輸速率也高達(dá) 8Gbps,較之目前 DDR5 產(chǎn)品 4.8Gbps 提高了 80% 以上。官方稱,該 MCR DIMM 產(chǎn)品采用了全新的方法來以提高 DDR5 的傳輸速度。雖然普遍認(rèn)為 DDR5 的運(yùn)行速度取決于單個(gè) DRAM 芯片的速度,但 SK 海力士工程師在開發(fā)該產(chǎn)品時(shí)另辟蹊徑,提高了模塊的速度而非單個(gè) DRAM 芯
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DRAM大廠:消費(fèi)端整體市況回穩(wěn)恐得等到2023年下半年

  • 12月5日,DRAM大廠南亞科發(fā)布公告11月自結(jié)合并營(yíng)收為新臺(tái)幣27.71億元,較上月減少0.40%,較去年同期減少61.81%。累計(jì)合并營(yíng)收為新臺(tái)幣545.52億元,較去年同期減少30.65%。據(jù)TrendForce集邦咨詢11月16日研究顯示,南亞科(Nanya)因consumer DRAM產(chǎn)品比重高,第三季營(yíng)收衰退達(dá)40.8%,衰退幅度為第三季前六大業(yè)者最甚。南亞科已于第四季小幅減少投片,但轉(zhuǎn)進(jìn)1Anm的進(jìn)度仍舊持續(xù),預(yù)期2023上半年推出樣本,然客戶端因需求展望保守,導(dǎo)入意愿可能并不積極,預(yù)計(jì)
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1TB降到100元可期!SSD還要降價(jià) 原廠顆粒賣不動(dòng):內(nèi)存閃存市場(chǎng)價(jià)繼續(xù)走跌

  • 很顯然內(nèi)存市場(chǎng)的需求依然很淡,不少消費(fèi)者依然沒有出手,當(dāng)然還是覺得廠商能繼續(xù)降價(jià)。調(diào)研機(jī)構(gòu)TrendForce現(xiàn)發(fā)布了最新的研究報(bào)告,表明目前DRAM現(xiàn)貨報(bào)價(jià)仍在保持下跌的趨勢(shì),主要買家對(duì)未來皆抱持跌價(jià)心態(tài),整體市況仍因大環(huán)境因素影響價(jià)格難以止跌。具體來說:DDR4 1Gx8 2666/3200 部分,SK 海力士 DJR-XNC 一般成交價(jià)在 1.95~2.00 美元左右;三星WC-BCWE報(bào)價(jià)下調(diào)至 2.08~2.10 美元,WC-BCTD 因月底即將到貨而降至 2.00~2.03 美元。
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