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3d-nand
3d-nand 文章 進(jìn)入3d-nand技術(shù)社區(qū)
Linux驅(qū)動(dòng)之Nand Flash四問(wèn),原理、工作方式都包含了
- Nand Flash 是一個(gè)存儲(chǔ)芯片?! ∧敲矗哼@樣的操作很理“讀地址A的數(shù)據(jù),把數(shù)據(jù)B寫(xiě)到地址A” 問(wèn)1:原理圖上的Nand Flash和SC2440之間只有數(shù)據(jù)線(xiàn),怎么傳輸?shù)刂? 答:在Data0-Data7上既傳輸數(shù)據(jù),又傳輸?shù)刂?,?dāng)ALE為高電平時(shí)傳輸?shù)氖堑刂贰 ?wèn)2:從Nand Flash芯片手冊(cè)可知,要操作Nand Flash需要先發(fā)出命令,怎么傳入命令?! 〈穑涸贒ata0-Data7既傳輸數(shù)據(jù),又傳輸?shù)刂?,也傳輸命令 ?dāng)ALE為高
- 關(guān)鍵字: Linux Nand
3D NAND存儲(chǔ)助力智能手機(jī)應(yīng)用進(jìn)入新時(shí)代
- 前言 全球的智能手機(jī)用戶(hù)一直在不斷尋求更好的移動(dòng)體驗(yàn)。他們不僅下載比以往任何時(shí)候都更多的應(yīng)用,而且還使用更為復(fù)雜的應(yīng)用來(lái)支持?jǐn)z影、4K Ultra視頻的播放和錄制、電影流式播放、導(dǎo)航、圖像采集以及虛擬現(xiàn)實(shí)(VR)/增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)(AR)等方面更大的技術(shù)進(jìn)步?! ≡谀承┑貐^(qū),智能手機(jī)是唯一與外界聯(lián)系的設(shè)備,因此用戶(hù)對(duì)它們的依賴(lài)程度非常高,已經(jīng)習(xí)慣于讓手機(jī)不間斷地運(yùn)行并管理他們的日常生活。中國(guó)擁有全球最大智能手機(jī)用戶(hù)群,這些用戶(hù)經(jīng)常使用高級(jí)在線(xiàn)支付服務(wù)(如Alipay(支付寶)和Tenpay(財(cái)付通
- 關(guān)鍵字: NAND 存儲(chǔ)
美光科技和英特爾發(fā)布NAND存儲(chǔ)聯(lián)合開(kāi)發(fā)計(jì)劃的最新動(dòng)態(tài)
- 美光科技和英特爾今日發(fā)布了雙方 NAND 存儲(chǔ)聯(lián)合開(kāi)發(fā)計(jì)劃的最新動(dòng)態(tài)。這段成功的合作關(guān)系已幫助兩家公司開(kāi)發(fā)出行業(yè)領(lǐng)先的 NAND 技術(shù)并順利推向市場(chǎng)?! 〈舜伟l(fā)布內(nèi)容包括兩家公司商定將各自獨(dú)立開(kāi)發(fā)新世代 3D NAND 技術(shù)。雙方同意共同完成第三代 3D NAND 技術(shù)的開(kāi)發(fā),該技術(shù)將在 2018 年末交付,并持續(xù)到 2019 年初。在此技術(shù)節(jié)點(diǎn)之后,兩家公司將獨(dú)
- 關(guān)鍵字: 美光科技 NAND
ARM平臺(tái)數(shù)據(jù)為何會(huì)莫名其妙丟失
- Nand-Flash/eMMC(帶有Flash控制器的Nand-Flash)作為一種非線(xiàn)性宏單元模式存儲(chǔ)器,為固態(tài)大容量存儲(chǔ)的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-Flash存儲(chǔ)器具有容量大,改寫(xiě)速度快等優(yōu)點(diǎn),適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ),因而越來(lái)越廣泛地應(yīng)用在如嵌入式產(chǎn)品、智能手機(jī)、云端存儲(chǔ)資料庫(kù)等業(yè)界各領(lǐng)域?! ?nbsp; 圖1 Nand-Flash與eMMC芯片 1.1存儲(chǔ)器件使用壽命 使用了Nand-Flash的主板出現(xiàn)丟數(shù)據(jù)掉程序現(xiàn)象,是一個(gè)讓無(wú)數(shù)工程師毛骨悚然的
- 關(guān)鍵字: Nand-Flash eMMC
東芝宣布興建第7座NAND Flash工廠
- 2017 年是 NAND Flash 閃存廠商豐收的一年,零售價(jià)格的暴漲帶動(dòng)了廠商的營(yíng)收,同時(shí)還對(duì)獲利有了巨大貢獻(xiàn)。 所以,當(dāng)前全球的 4 大 NAND Flash 廠商,包括三星、Intel/美光、東芝、SK 海力士也有了充足的資金來(lái)進(jìn)行新一波的投資。 而根據(jù)外電的報(bào)導(dǎo),東芝就最新宣布,將拿出 70 億日?qǐng)A的金額,準(zhǔn)備興建第 7 座閃存工廠(Fab7),地點(diǎn)就在日本的四日市(Yokkaichi)。 事實(shí)上,目前東芝的第 6 座工廠(Fab 6)正在建設(shè)當(dāng)中,預(yù)計(jì)將于 2018 年第 4 季完工
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明年上半年DRAM吃緊、NAND恐供大于求
- 內(nèi)存明年市況恐將不同調(diào),DRAM市場(chǎng)仍將持續(xù)吃緊,NAND Flash市場(chǎng)則將于明年上半年轉(zhuǎn)為供過(guò)于求。 DRAM 與 NAND Flash 市場(chǎng)今年都處于供不應(yīng)求狀態(tài),產(chǎn)品價(jià)格同步高漲,只是業(yè)界普遍預(yù)期,明年 DRAM 與 NAND Flash 市況恐將不同調(diào)。 內(nèi)存模塊廠創(chuàng)見(jiàn)指出,DRAM 市場(chǎng)供貨持續(xù)吃緊,價(jià)格未見(jiàn)松動(dòng)跡象。 NAND Flash 方面,隨著 3D NAND Flash 技術(shù)日益成熟,生產(chǎn)良率改善,可望填補(bǔ)供貨缺口。 另一內(nèi)存模塊廠威剛表示,短期內(nèi)全球 DRAM
- 關(guān)鍵字: DRAM NAND
成本節(jié)省高達(dá)50%:Stratasys在中國(guó)市場(chǎng)推出全新經(jīng)濟(jì)型材料
- 3D 打印和增材制造解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)者 Stratasys中國(guó)(以下簡(jiǎn)稱(chēng)Stratasys)宣布,專(zhuān)門(mén)為本地市場(chǎng)推出的兩款高性比新材料VeroDraft? 和FullCure 700?正式發(fā)布,即刻上市?! tratasys此次推出的兩款材料為本地市場(chǎng)帶來(lái)了高價(jià)值的新選擇,大大降低了專(zhuān)業(yè)3D打印應(yīng)用的門(mén)檻。這兩種材料均經(jīng)過(guò)優(yōu)化,可用于一般用途的原型制作。VeroDraft是一種剛性不透明光敏聚合物,可為形狀、匹配度與功能測(cè)試提供卓越的可視化效果和光滑表面。F
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DRAM下季度再漲5%,已連漲七季歷史最長(zhǎng)
- DRAM嚴(yán)重供不應(yīng)求,三星明年首季再漲價(jià)3%至5%之后,SK海力士 下季也將漲價(jià)約5%,全球DRAM價(jià)格連續(xù)七季上揚(yáng),是歷來(lái)漲勢(shì)最久的一次。 業(yè)界解讀,三星、海力士下季漲價(jià)態(tài)度堅(jiān)決,等于向全球宣告,韓系大廠決定維持DRAM價(jià)格持穩(wěn)不墜的決心,消除外界認(rèn)為兩大韓廠打算調(diào)降售價(jià)格,防止中國(guó)DRAM競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手竄起的流言。 手機(jī)中國(guó)聯(lián)盟秘書(shū)長(zhǎng)王艷輝認(rèn)為,有人說(shuō)三星瘋狂擴(kuò)產(chǎn)存儲(chǔ)器是為了將中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)扼殺在萌芽,有點(diǎn)太看得起自己,雖然明年大陸存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)開(kāi)始進(jìn)入試產(chǎn)階段,要與三星、海力士抗衡,至少還需要
- 關(guān)鍵字: DRAM NAND
費(fèi)恩格爾:全面屏?xí)r代的3D—TOF
- 談到生物識(shí)別,有兩點(diǎn)不得不談,其中一個(gè)是算法,另一個(gè)便是傳感器。在費(fèi)恩格爾CEO黃昊看來(lái),生物識(shí)別的關(guān)鍵在于算法,算法是提供今天生物識(shí)別行業(yè)的基礎(chǔ)。 細(xì)細(xì)看來(lái),從光學(xué)指紋到電容指紋,從各種方案的支撐到小面陣的縮減再至屏下指紋、屏內(nèi)指紋,這是整個(gè)指紋識(shí)別技術(shù)更新的方向。2017年iPhone X發(fā)布的Face ID把生物識(shí)別在手機(jī)端的應(yīng)用提高到一個(gè)新高度,出現(xiàn)了人臉識(shí)別算法。不變的是,人臉識(shí)別在智能手機(jī)的出現(xiàn),它最重要的一個(gè)前提就是自學(xué)算法對(duì)傳統(tǒng)人臉識(shí)別算法的支撐。 指紋傳感器也被堪稱(chēng)為生物
- 關(guān)鍵字: 全面屏 3D-TOF
潘健成:明年3D NAND進(jìn)入96層 群聯(lián)準(zhǔn)備好了
- 今年全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)成功轉(zhuǎn)換至64/72層3D NAND規(guī)格,隨著制程轉(zhuǎn)換完成,全球缺貨問(wèn)題也逐漸紓解,群聯(lián)董事長(zhǎng)潘健成指出,2018年底將進(jìn)入96層的3D NAND技術(shù)世代,帶動(dòng)單一芯片的容量提升至256Gb/512Gb,SSD控制芯片技術(shù)也全面提升至新層次,群聯(lián)的關(guān)鍵技術(shù)已經(jīng)準(zhǔn)備好了,呈現(xiàn)蓄勢(shì)待發(fā)的姿態(tài)! 今年的NAND Flash產(chǎn)業(yè)受到技術(shù)轉(zhuǎn)換不順、數(shù)據(jù)中心對(duì)于儲(chǔ)存容量需求快速攀升之故,導(dǎo)致產(chǎn)業(yè)供需失衡,芯片價(jià)格一直高居不下,但這樣的狀況停留太久后,導(dǎo)致終端產(chǎn)品的需求被抑制,
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美光任命Derek Dicker為存儲(chǔ)產(chǎn)品事業(yè)部副總裁兼總經(jīng)理
- 美光科技有限公司今日宣布任命 Derek Dicker 為存儲(chǔ)產(chǎn)品事業(yè)部副總裁兼總經(jīng)理?! ≡诖寺毼簧希珼icker 將負(fù)責(zé)領(lǐng)導(dǎo)和拓展美光的固態(tài)存儲(chǔ)業(yè)務(wù),包括打造世界領(lǐng)先的存儲(chǔ)解決方案,從而把握云端、企業(yè)級(jí)和客戶(hù)端計(jì)算等大型細(xì)分市場(chǎng)中日漸增多的機(jī)遇。他將向美光科技執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官 Sumit Sadana 匯報(bào)?! icker 在半導(dǎo)體行業(yè)擁有 20 年的從業(yè)經(jīng)驗(yàn),包括在 Intel、
- 關(guān)鍵字: 美光 NAND
Stratasys加大中國(guó)市場(chǎng)投入
- 3D 打印和增材制造解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)者 Stratasys中國(guó)(以下簡(jiǎn)稱(chēng)Stratasys)在上海舉行辦公室喬遷暨打印服務(wù)中心開(kāi)業(yè)儀式,以3倍于前的辦公環(huán)境配置,踏上市場(chǎng)開(kāi)拓的新征程。上海辦公室擴(kuò)建之舉,也是為了將上海建成為Stratasys南亞總部,覆蓋除日韓之外的整個(gè)亞太市場(chǎng),包括大中華區(qū)、印度、東南亞、澳大利亞、新西蘭等廣大地區(qū)?! tratasys南亞總部暨上海打印服務(wù)中心開(kāi)業(yè)儀式 Stratasys亞太及日本地區(qū)總裁Omer Krieger表示,“中國(guó)是正
- 關(guān)鍵字: Stratasys 3D 打印
3d-nand介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條3d-nand!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)3d-nand的理解,并與今后在此搜索3d-nand的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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