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東芝32納米即將量產(chǎn) 群聯(lián)備戰(zhàn)將全線支持
- 面臨英特爾(Intel)和美光(Micron)陣營的壓力,東芝(Toshiba)下半年積極轉進32納米的NAND Flash制程技術,東芝原本預計32納米制程產(chǎn)量,在年底可達產(chǎn)能30%,但以目前進度來看,勢必會延后量產(chǎn)時間點,其控制芯片供應商群聯(lián)則表示,支持東芝32納米的所有產(chǎn)品線都已經(jīng)準備妥當,包括隨身碟和記憶卡的控制芯片皆然,隨時可進入量產(chǎn)階段。此外,群聯(lián)8月營收將持續(xù)成長,估計月增率可達10%以上,8月毛利率可微幅高于7月,整體第3季獲利持續(xù)上揚。 東芝43納米制程量產(chǎn)成熟,下半年積極轉進
- 關鍵字: 東芝 32納米 NAND
2013年閃存需求規(guī)模將達到08年的11倍
- 根據(jù)配備各種存儲器的電子終端等的產(chǎn)量,筆者預測了2013年之前NAND型閃存和DRAM的需求走勢。預測結果為,1990年代曾經(jīng)拉動半導體元件投資增長的DRAM即將完成其使命,NAND型閃存將取而代之,一躍成為投資主角。 按8Gbit產(chǎn)品換算,NAND需求規(guī)模將達到400億個 《日經(jīng)市場調(diào)查》的調(diào)查結果顯示,按8Gbit產(chǎn)品換算,2013年NAND型閃存的需求規(guī)模將達到約400億個。這一規(guī)模相當于2008年的11倍左右。支持需求增長的產(chǎn)品是個人電腦用SSD(固態(tài)硬盤)。不過,SSD市場要到2
- 關鍵字: 三星 DRAM NAND
20nm之后將采取三維層疊技術
- 在今后的2年~3年內(nèi),NAND閃存的集成度仍將保持目前的發(fā)展速度。具體來說,到2011年~2012年,通過采用2Xnm的制造工藝與3位/單元~4位/單元的多值技術,NAND閃存很有可能實現(xiàn)128Gb的容量。 但是,如果要實現(xiàn)超過128Gb的更大容量,恐怕就需要全新的技術。目前正在量產(chǎn)的NAND閃存通常都使用浮柵結構的存儲單元。許多工程師也認為,2011年~2012年將量產(chǎn)的2Xnm工藝及其后的20nm工藝仍可采用現(xiàn)有的浮柵結構的存儲單元。但據(jù)SanDisk公司分析,當工藝發(fā)展到20nm以下時,從
- 關鍵字: SanDisk 20nm NAND
美光:TMC模式不會成功
- 隨著TMC股東和班底逐漸浮上臺面,美光(Micron)和臺塑集團將加速送出整合計畫書,美光在臺代表暨華亞科執(zhí)行副總勒松言(Michael Sadler)表示,TMC模式不會成功,即使成功亦不會解決臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)問題,但臺系DRAM廠并不會步上奇夢達(Qimonda)后塵,因為臺灣12寸廠產(chǎn)能相當吸引人,不會像奇夢達倒了都還找不到買主,而美光在臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)布局策略,除華亞科之外,亦將尋求與其它DRAM廠合資(JV)機會。 現(xiàn)階段TMC還未有產(chǎn)能奧援,初期定位以利基型存儲器公司作出發(fā),采取爾必
- 關鍵字: 美光 DRAM NAND
英特爾美光聯(lián)合推出34納米閃存芯片
- 英特爾和美光科技周二發(fā)布了用于閃存卡和優(yōu)盤的高數(shù)據(jù)容量閃存技術。這兩家公司稱,他們已經(jīng)開發(fā)出了基于34納米技術的NAND閃存芯片,存儲容量為每個儲存單元3比特。這個存儲密度高于目前標準的每個存儲單元2比特的技術,從而將實現(xiàn)高容量的優(yōu)盤。 美光NAND閃存營銷經(jīng)理Kevin Kilbuck說,雖然在一個存儲單元加入更多比特的數(shù)據(jù)能夠提供更大的數(shù)據(jù)密度,但是,這種做法沒有基于更標準的技術的閃存那樣可靠。因此,每個儲存單元3比特的芯片最初將僅限于應用到優(yōu)盤。優(yōu)盤沒有要求固態(tài)硬盤的那種數(shù)據(jù)存儲可靠性。固
- 關鍵字: 英特爾 NAND 34納米
臺灣媒體:奇夢達資產(chǎn)拍賣 大陸撿便宜
- 曾經(jīng)是歐洲最大內(nèi)存廠的奇夢達進入資產(chǎn)拍賣階段,而此舉剛好給了大陸切入內(nèi)存產(chǎn)業(yè)領域的大好時機!浪潮集團將于8月中收購奇夢達西安研發(fā)中心,至于蘇州封測也傳出將由華潤集團接手,而這些收購公司背后都有國資背景,顯見在官方撐腰并下指導棋的情況下,大陸內(nèi)存產(chǎn)業(yè)鏈終于完備。 德國內(nèi)存龍頭廠奇夢達確定遭到市場淘汰,并已正式進入資產(chǎn)拍賣階段。目前奇夢達的資產(chǎn)包括6大研發(fā)中心、美國的弗吉尼亞與德國的德勒斯登12吋晶圓廠,以及大陸、葡萄牙、馬來西亞的后段封測廠。至于奇夢達在大陸的基地,只有西安的研發(fā)中心與蘇州的內(nèi)存后
- 關鍵字: 奇夢達 晶圓 服務器 DRAM NAND
日本半導體和液晶生產(chǎn)復蘇 廠家暑期加班應對
- 據(jù)日本媒體報道,日本近期半導體和液晶面板的生產(chǎn)水平得到回升,大型電器生產(chǎn)廠家紛紛決定利用暑期休假時間加班加點進行生產(chǎn)。由于環(huán)保積分制度促進數(shù)碼家電銷量增長等因素,市場需求得到恢復,庫存調(diào)整也取得進展。生產(chǎn)水平的回升一旦上了軌道,這些企業(yè)的業(yè)績有望得到好轉,也可能為日本國內(nèi)經(jīng)濟帶來一股活力。 在液晶生產(chǎn)領域擁有主導權的夏普公司旗下龜山第二工廠的液晶面板生產(chǎn)線暑期照常開工。該工廠從8月起將液晶面板產(chǎn)能提高約10%,在建中的堺市新工廠也將于10月起按預定計劃開工。 東芝公司旗下生產(chǎn)用于手機等的&
- 關鍵字: 夏普 液晶面板 半導體 NAND
東芝大砍6成芯片支出 轉加強電力及基礎建設
- 8月6日消息,日本芯片制造業(yè)龍頭東芝(Toshiba)周三表示,由于公司芯片業(yè)務資本支出增長將減緩,并尋求擴張核能發(fā)電及智能型電網(wǎng)業(yè)務,3年后其電力及基礎建設業(yè)務的獲利,將達電子產(chǎn)品部的2倍。 東芝的半導體部門已連續(xù)3季出現(xiàn)營業(yè)虧損,使其減緩該部門支出,并在其它領域?qū)で蠊潭I收來源,例如健康醫(yī)療及水處理等。 東芝目前預期,包含微芯片、傳感器及液晶顯示器(LCD)等電子產(chǎn)品部門于2012年3月底結束的會計年度,獲利將達約1000億日元(10億美元);而屆時社會基礎建設業(yè)務獲利則可達2000億
- 關鍵字: 東芝 NAND 晶圓
東芝閃存工廠遭雷擊 出貨量下降價格上漲10%
- 據(jù)臺灣媒體報道,東芝日前發(fā)生日本晶圓廠遭到雷擊短暫停電事件,盡管NAND Flash產(chǎn)能并未受到影響,然令業(yè)界意外的是,由于該廠房主要生產(chǎn)包含快閃記憶卡控制芯片的邏輯IC產(chǎn)品,因此,使得東芝microSD卡供應量驟降,帶動近期microSD卡價格上漲逾10%。 內(nèi)存業(yè)者認為,過去記憶卡價格一直嚴重偏低,業(yè)界趁此機會調(diào)漲終端記憶卡售價,但NAND Flash芯片價格上漲機率則不高。 業(yè)內(nèi)人士表示,2009年初NAND Flash芯片價格持續(xù)上漲,記憶卡價格卻沒有跟上來,導致NAND Flas
- 關鍵字: 東芝 NAND 晶圓
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