3d-nand 文章進(jìn)入3d-nand技術(shù)社區(qū)

商刊：英特爾NAND閃存面臨多重問(wèn)題

　　北京時(shí)間3月5日《商業(yè)周刊》文章指出，由于美國(guó)經(jīng)濟(jì)衰退導(dǎo)致電腦和消費(fèi)電子產(chǎn)品銷(xiāo)售增長(zhǎng)減速，對(duì)英特爾的NAND閃存芯片業(yè)務(wù)的利潤(rùn)造成很大壓力。　　英特爾在2005年下半年宣布與美光科技組成合資公司，共同研發(fā)和生產(chǎn)一種名為NAND閃存的內(nèi)存芯片，這種芯片被廣泛應(yīng)用于各種消費(fèi)電子產(chǎn)品。兩年多來(lái)，英特爾巧妙地避過(guò)了那些芯片的價(jià)格波動(dòng)。　　全球最大電腦芯片廠(chǎng)商英特爾在3月3日晚間宣布，它預(yù)計(jì)其第一季度毛利率將在54%左右，低于之前作出的56%的預(yù)期目標(biāo)。主要原因在于：NAND閃存的價(jià)格低于預(yù)期水平。在第
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NAND和NOR flash詳解

NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu)，強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤(pán)一樣可以通過(guò)接口輕松升級(jí)。但是經(jīng)過(guò)了十多年之后，仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。　　
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分析師稱(chēng)NAND閃存市場(chǎng)可能再次面臨崩潰

　　在最近發(fā)生了產(chǎn)品種類(lèi)短缺和平均銷(xiāo)售價(jià)格走平之后，NAND閃存市場(chǎng)可能會(huì)再一次崩潰。　　據(jù)Needham&Co.LLC公司位分析師EdwinMok稱(chēng)，全球最大的NAND閃存買(mǎi)主蘋(píng)果計(jì)算機(jī)公司在12月和1月期間減少了三種類(lèi)型NAND閃存芯片的采購(gòu)。現(xiàn)在NAND閃存還沒(méi)有殺手應(yīng)用。這些因素都會(huì)對(duì)NAND閃存市場(chǎng)產(chǎn)生影響。　　Mok稱(chēng)，蘋(píng)果在2006年就曾采取過(guò)同樣的減少采購(gòu)的行動(dòng)，導(dǎo)致了2006年1至9月NAND閃存芯片的供應(yīng)量超過(guò)了需求的70%和價(jià)格的下降。　　這位分析師稱(chēng)，雖然自從2
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內(nèi)存產(chǎn)業(yè)2008年再纏斗戰(zhàn)線(xiàn)不斷擴(kuò)大

　　快閃內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的發(fā)展在2007年有點(diǎn)出乎各界意料，整個(gè)產(chǎn)業(yè)的高點(diǎn)反而是落在第一季底，第二、三季深受NAND Flash缺貨所苦，大家的發(fā)展反而綁手綁腳，一路往下滑;2007下半年不但沒(méi)有傳統(tǒng)的消費(fèi)性電子產(chǎn)品旺季出現(xiàn)，反而NAND Flash價(jià)格劇烈的忽上忽下，可說(shuō)是一團(tuán)混亂，終于2007年第四季面臨了NAND Flash崩跌走勢(shì)，雖然大家對(duì)于「寒流」來(lái)襲，都已有心理準(zhǔn)備，但仍是不敢大意。　　TRI觀點(diǎn)：　　2007年內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的變化多端，出乎大家的意料，然而其中影響甚巨的一個(gè)事件，就是Samsun
關(guān)鍵字：內(nèi)存 NAND Flash MCU和嵌入式微處理器

Gartner:08全球半導(dǎo)體設(shè)備開(kāi)支將降9.9%

　　據(jù)市場(chǎng)研究公司Gartner最新發(fā)表的研究報(bào)告稱(chēng)，2008年全球半導(dǎo)體設(shè)備開(kāi)支預(yù)計(jì)將達(dá)到403億美元，比2007年的448億美元減少9.9%。　　Gartner半導(dǎo)體生產(chǎn)事業(yè)部副總裁KlausRinnen稱(chēng)，2007年的特點(diǎn)是DRAM內(nèi)存不顧供過(guò)于求的現(xiàn)實(shí)繼續(xù)加大投資、NAND閃存開(kāi)支增速減緩和代工廠(chǎng)商恢復(fù)開(kāi)支的狀況令人失望。在2008年，我們預(yù)計(jì)隨著DRAM內(nèi)存市場(chǎng)將糾正資本開(kāi)支的長(zhǎng)期錯(cuò)誤，半導(dǎo)體主要設(shè)備市場(chǎng)的開(kāi)支將減少。代工廠(chǎng)商開(kāi)支增長(zhǎng)速度減緩和由于擔(dān)心美國(guó)經(jīng)濟(jì)衰退而采取的謹(jǐn)慎態(tài)度都是造成20
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供大于求明年NAND閃存市場(chǎng)難以復(fù)蘇

　　比特網(wǎng)(ChinaByte) 12月27日消息(羽人編譯) 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，內(nèi)存模塊制造商消息人士稱(chēng)，NAND閃存市場(chǎng)仍將處于供大于求的局面，這不僅對(duì)現(xiàn)貨市場(chǎng)造成了影響，而且還影響了12月份中下旬的產(chǎn)品合同價(jià)格。　　12月份中下旬的8Gb MLC芯片的合同價(jià)格下降了13-25%，平均為3.48美元，而16Gb MLC芯片的價(jià)格下跌了21-25%，至6.52美元，而SLC芯片由于限制了的產(chǎn)量，價(jià)格沒(méi)有出現(xiàn)大幅滑落。　　NAND閃存合同價(jià)格的下降，主要是由于蘋(píng)果每年戰(zhàn)略性削減其12月份的NAND
關(guān)鍵字： NAND 閃存市場(chǎng) 存儲(chǔ)器

NAND Flash進(jìn)軍NB/PC應(yīng)用領(lǐng)域借以擴(kuò)大市占率

　　拓墣產(chǎn)業(yè)研究所(Topology Research Institute)針對(duì)NAND Flash應(yīng)用市場(chǎng)發(fā)表研究報(bào)告指出，2008年起，除了由原手持式消費(fèi)電子產(chǎn)品將繼續(xù)大量采用NAND Flash作為儲(chǔ)存裝置外，NAND Flash將通過(guò)NB與PC的采用，以混合式硬盤(pán)或固態(tài)硬盤(pán)(SSD)的產(chǎn)品型態(tài)，逐步擴(kuò)大市場(chǎng)占有率，市場(chǎng)需求將從2007年的6.7%增長(zhǎng)至15.3%。　　拓墣表示，NAND Flash在過(guò)去幾年快速擴(kuò)充產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域，從2004年產(chǎn)品應(yīng)用比例最高的數(shù)碼相機(jī)，到2006年MP3 Pla
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iSuppli調(diào)低08年半導(dǎo)體預(yù)期

　　市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)iSuppli以全球經(jīng)濟(jì)不景氣為由，調(diào)低了2008年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)銷(xiāo)售收入預(yù)期，不過(guò)對(duì)于整個(gè)市場(chǎng)形勢(shì)仍持樂(lè)觀態(tài)度。　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，iSuppli的最新預(yù)期顯示，2008年全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售收入將增至2914億美元，較2007年2709億美元(評(píng)估數(shù)據(jù))增長(zhǎng)7.5%，而iSuppli今年9月份預(yù)測(cè)的增幅為9.3%，預(yù)期增幅減少了1.8個(gè)百分點(diǎn)。　　iSuppli表示，2008年半導(dǎo)體市場(chǎng)將受到了能源成本上升的不利影響，美國(guó)經(jīng)濟(jì)2008年的預(yù)期并不樂(lè)觀，而美國(guó)經(jīng)濟(jì)的影響力自然會(huì)波及全球
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東芝推出首個(gè)對(duì)應(yīng)多值技術(shù)的大容量NAND閃存

　　東芝今天宣布即將推出搭載世界上首個(gè)對(duì)應(yīng)多值技術(shù)的大容量NAND閃存(多值NAND)的行業(yè)內(nèi)最大級(jí)別128Gb的SSD(Solid State Drive：固態(tài)硬盤(pán))產(chǎn)品，主要用于計(jì)算機(jī)。計(jì)劃2008年第一季度出貨，并同時(shí)開(kāi)始量產(chǎn)。在此之前，東芝將于明年1月7日-10日在美國(guó)拉斯維加斯召開(kāi)的世界最大規(guī)模的家電展中亮相該新產(chǎn)品。　　目前的SSD，采用高速雙值NAND閃存，和HDD相比，高速、體積輕，但也存在容量小、成本高的問(wèn)題，目前還沒(méi)有真正普及。因此，搭載可以提高每個(gè)器件容量的普及型多值NAND的S
關(guān)鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) 東芝 NAND 閃存

DRAM市場(chǎng)基礎(chǔ)繼續(xù)惡化預(yù)計(jì)08年資本開(kāi)支下滑超過(guò)30%

　　Friedman Billings Ramsey & Co. Inc.(FBR)分析師Mehdi Hosseini日前表示，“根據(jù)三星日前的報(bào)告，我們分析2008年上半年DRAM內(nèi)存市場(chǎng)基礎(chǔ)繼續(xù)惡化，大多數(shù)DRAM供應(yīng)商，尤其韓國(guó)之外的廠(chǎng)商2008年資本開(kāi)支出現(xiàn)大幅削減?！? 　　預(yù)計(jì)2008年，DRAM領(lǐng)域的資本開(kāi)支將下滑超過(guò)30%，原來(lái)預(yù)計(jì)下降20%。這將導(dǎo)致總體內(nèi)存資本開(kāi)支減少10-12%。　　在DRAM市場(chǎng)經(jīng)歷了漫長(zhǎng)的低迷之后，該市場(chǎng)仍然存在嚴(yán)重的供過(guò)于求情況?！斑@主要由于按容量計(jì)
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各類(lèi)器件增長(zhǎng)強(qiáng)勁出貨量增長(zhǎng)率預(yù)測(cè)調(diào)高

　　據(jù)市場(chǎng)調(diào)研公司ICInsights，2007年IC單位出貨量有望增長(zhǎng)10%。該公司先前的預(yù)測(cè)是增長(zhǎng)8%。　　ICInsights將調(diào)高增長(zhǎng)率預(yù)測(cè)歸因于以下器件的出貨量強(qiáng)勁增長(zhǎng)：DRAM(上升49%)、NAND閃存(上升38%)、接口IC(增長(zhǎng)60%)、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換IC(上升58%)和汽車(chē)相關(guān)的模擬IC(上升32%)。　　ICInsights表示，如果2007年IC單位出貨量增長(zhǎng)率達(dá)到10%或者更高水平，將是連續(xù)第六年以?xún)晌粩?shù)的速度增長(zhǎng)，創(chuàng)下前所未有的強(qiáng)勁增長(zhǎng)紀(jì)錄。　　ICInsights認(rèn)為，
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內(nèi)存芯片廠(chǎng)商提出新設(shè)計(jì)欲破摩爾定律

　　很多廠(chǎng)商都設(shè)計(jì)出了未來(lái)的閃存技術(shù)，但誰(shuí)能夠首先推出產(chǎn)品呢? 　　Spansion表示，其MirrorBit和Ornand閃存芯片的基礎(chǔ)是電荷捕獲技術(shù)，這一技術(shù)為閃存產(chǎn)業(yè)繼續(xù)縮小芯片尺寸、提高閃存芯片性能提供了一條途徑。　　Spansion CEO伯特蘭向CNET News.com表示，Spansion已經(jīng)生產(chǎn)出了采用電荷捕獲技術(shù)的閃存芯片。Spansion已經(jīng)啟動(dòng)了一項(xiàng)營(yíng)銷(xiāo)活動(dòng)，希望向其它制造商許可一些技術(shù)。　　伯特蘭說(shuō)，三星、東芝、Hynix公開(kāi)表示對(duì)電荷捕獲技術(shù)有很大的興趣。我們擁有這一
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第三季度NAND閃存銷(xiāo)售額增長(zhǎng)37%，達(dá)42億美元

　　市場(chǎng)調(diào)研公司iSuppli日前在聲明中表示，第三季度NAND閃存半導(dǎo)體全球銷(xiāo)售額增長(zhǎng)37%，達(dá)到42億美元。但iSuppli指出，在包括蘋(píng)果iPod在內(nèi)的消費(fèi)電子產(chǎn)品需求刺激下的連續(xù)增長(zhǎng)勢(shì)頭，本季度可能結(jié)束。由于產(chǎn)量增長(zhǎng)速度快于需求，本季度NAND的平均銷(xiāo)售價(jià)格將下降18%。　　韓國(guó)海力士半導(dǎo)體第三季度增長(zhǎng)最快，其N(xiāo)AND銷(xiāo)售額比第二季度大增79%，達(dá)到8.06億美元。它的市場(chǎng)份額是19%，在當(dāng)季全球排名第三。最大的NAND閃存供應(yīng)商三星電子，市場(chǎng)份額從第二季度的45%降至40%，它出貨的閃存數(shù)量
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閃存成本下滑固態(tài)硬盤(pán)價(jià)格將下降筆記本很有優(yōu)勢(shì)

　　固態(tài)硬盤(pán)明年仍然少見(jiàn)且價(jià)格昂貴，但隨著其量產(chǎn)，閃存成本的下滑，固態(tài)硬盤(pán)價(jià)格從2009年，2010年開(kāi)始將開(kāi)始下降。　　DRAM與閃存產(chǎn)品制造商Micron Technology本周公布了固態(tài)硬盤(pán)發(fā)展計(jì)劃。這種硬盤(pán)功能與常規(guī)硬盤(pán)無(wú)異，但與一般硬盤(pán)將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在磁碟上不同，固態(tài)硬盤(pán)將數(shù)據(jù)保存在NAND內(nèi)存芯片上，就像MP3播放器保存文件的方式一樣。　　Micron將從明年第一季度開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)固態(tài)硬盤(pán)。第一批產(chǎn)品為32GB或64GB型號(hào)。雖然容量是現(xiàn)在筆記本電腦硬盤(pán)平均容量的一半，但Micron內(nèi)存
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三星減少NAND閃存供貨量擬甩掉臺(tái)灣廠(chǎng)商

　　近期，三星和海力士(Hynix)面向臺(tái)灣的NAND閃存芯片供貨量有所下降，另一方面，英特爾和Micron的合資公司IM則推出了更具競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格并逐步搶占市場(chǎng)，許多分析人士認(rèn)為未來(lái)閃存市場(chǎng)或許將會(huì)出現(xiàn)另一番局面。　　三星和海力士減少向臺(tái)灣內(nèi)存廠(chǎng)商的供貨量，是為了滿(mǎn)足蘋(píng)果這類(lèi)國(guó)際大客戶(hù)的供貨需求。東芝也限制了供應(yīng)量，唯獨(dú)沒(méi)有對(duì)群聯(lián)電子(Phison Electronics)采取限制措施，這使得不少臺(tái)灣企業(yè)開(kāi)始考慮降低對(duì)大廠(chǎng)商產(chǎn)品的依賴(lài)。　　一些臺(tái)灣內(nèi)存廠(chǎng)商指出，它們都不愿意繼續(xù)向三星和海力士采購(gòu)，
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