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臺(tái)DRAM產(chǎn)業(yè)集成是唯一之道

  •   存儲(chǔ)器模塊廠金士頓(Kingston)不畏存儲(chǔ)器景氣波動(dòng),2010年全球獨(dú)立DRAM模塊廠市占率首度突破50%大關(guān),NAND Flash市場(chǎng)布局也成功跨足固態(tài)硬盤(SSD)市場(chǎng),面對(duì)臺(tái)灣上游DRAM廠仍處于生存困境的當(dāng)下,金士頓創(chuàng)辦人之一的杜紀(jì)川表示,認(rèn)同孫大衛(wèi)認(rèn)為臺(tái)灣 DRAM產(chǎn)業(yè)要集成才有活路的策略,唯有計(jì)畫性地將各方力量做結(jié)合,才能讓臺(tái)灣DRAM廠免受全球經(jīng)濟(jì)、市場(chǎng)波動(dòng)沖擊。 
  • 關(guān)鍵字: NAND  DRAM  

需求趨緩致NAND閃存芯片價(jià)格下降

  •   由于蘋果等大型企業(yè)的需求不夠強(qiáng)勁,導(dǎo)致5月的NAND閃存芯片合約價(jià)格“快速”降低。   今年5月的NAND芯片價(jià)格的降幅已經(jīng)超過15%,現(xiàn)貨市場(chǎng)的降幅則在20%左右。蘋果仍是NAND閃存芯片的最大買家,但需求提升不像往年的第二季度那么強(qiáng)勁?! ?/li>
  • 關(guān)鍵字: ipad  NAND  

終端需求疲軟 NAND Flash合約價(jià)大跌

  •   第2季NAND Flash終端需求太差,新出爐合約報(bào)價(jià)大跌超過10%,內(nèi)存模塊廠表示,合計(jì)整個(gè)5月現(xiàn)貨報(bào)價(jià)跌幅達(dá)20%,合約價(jià)合計(jì)跌幅也超過15%,反映終端需求確實(shí)需要新刺激,目前市場(chǎng)是底部已臨,靜待反彈階段;展望第3季,市場(chǎng)認(rèn)同威剛董事長(zhǎng)陳立白的基調(diào),預(yù)期第3季仍會(huì)比第2季好一些,但市場(chǎng)不至于會(huì)有缺貨或價(jià)格飆漲的情況發(fā)生。
  • 關(guān)鍵字: 三星  NAND Flash  

移動(dòng)機(jī)器人3D仿真軟件的設(shè)計(jì)

  • 在機(jī)器人技術(shù)研究中,為了提高機(jī)器人控制算法的開發(fā)效率,提出移動(dòng)機(jī)器人三維仿真軟件的設(shè)計(jì)方案并加以實(shí)現(xiàn)。該軟件采用ODE物理引擎生成動(dòng)力學(xué)世界和實(shí)現(xiàn)碰撞檢測(cè),提高了仿真速度和精確度,同時(shí)采用OpenGL繪制三維圖
  • 關(guān)鍵字: 軟件  設(shè)計(jì)  仿真  3D  機(jī)器人  移動(dòng)  

三星移動(dòng)顯示器布局有機(jī)EL戰(zhàn)略

  •   在美國(guó)洛杉磯舉行的顯示器學(xué)會(huì)“SID 2011”上,韓國(guó)三星移動(dòng)顯示器(SMD)的論文發(fā)表多于往年。比如:“AMOLEDs and AMLCD TVs”會(huì)議的4篇論文發(fā)表中,有3篇是SMD發(fā)表的,“AMOLED Driving”會(huì)議的3篇全是SMD發(fā)表的。在“3D TVOLED”會(huì)議中,SMD的發(fā)表也占了4篇中的2篇。從這些論文發(fā)表的技術(shù)動(dòng)向可以看出SMD公司的戰(zhàn)略。
  • 關(guān)鍵字: 三星  3D  

廠商從不同出發(fā)點(diǎn)開發(fā)3D顯示器

  •   在全球最大規(guī)模顯示器學(xué)會(huì)“SID 2011”(美國(guó)洛杉磯,2011年5月15~20日)的展示會(huì)場(chǎng),韓國(guó)廠商及日本面板廠商都展出了3D顯示器。其中,在東芝和NEC的展位上能強(qiáng)烈感受到兩家公司開發(fā)3D顯示器的不同。   
  • 關(guān)鍵字: 東芝  3D  

聯(lián)發(fā)科技高效能電視單芯片解決方案廣受市場(chǎng)肯定

  •   全球無線通信及數(shù)字媒體IC設(shè)計(jì)領(lǐng)導(dǎo)廠商聯(lián)發(fā)科技股份有限公司(MediaTek, Inc.)今日宣布,其3D電視單芯片解決方案廣受全球客戶支持,目前已獲夏普、創(chuàng)維、TCL、海信、海爾、長(zhǎng)虹等多家知名一線電視品牌采用。未來也將持續(xù)以高效能、畫質(zhì)穩(wěn)定的數(shù)字影音家庭娛樂平臺(tái)協(xié)助全球客戶,引領(lǐng)3D影音享受新風(fēng)潮。
  • 關(guān)鍵字: 聯(lián)發(fā)科技  3D  

3D LED液晶電視設(shè)計(jì)方案

  •   摘要:MST6E48+ECT223H+MST6M30QS的3D液晶電視方案通過HDMI1.4的接口接收3D信號(hào),還提供了普通的DVD設(shè)備不具備的3D信號(hào)輸出,也可以通過電視實(shí)現(xiàn)2D轉(zhuǎn)3D信號(hào)的功能?!?/li>
  • 關(guān)鍵字: 3D  LED  液晶電視  201105  

2011年LED背光與3D各占電視多大比重

  • 根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究部門WitsView調(diào)查研究顯示,液晶電視(LCDTV)在歷經(jīng)2006年以來的快速成長(zhǎng)...
  • 關(guān)鍵字: LED背光  3D  CRT  

NAND Flash需求急凍 模組廠瀕臨警戒線

  •   全球NANDFlash市場(chǎng)需求在5月進(jìn)入冰河期,不僅快閃記憶卡和隨身碟應(yīng)用需求大幅降溫,甚至傳出平板電腦及智慧型手機(jī)大廠亦出現(xiàn)砍單情況,記憶體零售和系統(tǒng)端需求明顯降溫,市場(chǎng)五窮六絕跡象顯現(xiàn),使得記憶體模組廠營(yíng)收恐再次探底,部分廠商傳出力守2月營(yíng)收低點(diǎn)的警戒線。不過,以毛利率角度來看,由于NANDFlash價(jià)格并沒有出現(xiàn)急跌,因此,模組廠5月毛利率仍可暫時(shí)守穩(wěn)在水準(zhǔn)之上。
  • 關(guān)鍵字: NAND  DRAM  

3D市場(chǎng)設(shè)備火熱 內(nèi)容商冷淡

  •   根據(jù)OVUM的研究,廣電業(yè)者認(rèn)為制作3D節(jié)目和3D頻道的科技投資重要性不高,已經(jīng)買了3D電視的消費(fèi)者缺乏3D節(jié)目可看的情況還會(huì)繼續(xù)下去。   
  • 關(guān)鍵字: SONY  3D  

日月光和臺(tái)灣交大合作開發(fā)三維IC封測(cè)技術(shù)

  •   將以最先進(jìn)的三維集成電路(3D IC)封測(cè)技術(shù)為研發(fā)主題,“日月光交大聯(lián)合研發(fā)中心”日前成立,日月光總經(jīng)理暨研發(fā)長(zhǎng)唐和明表示,日月光積極和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈進(jìn)行技術(shù)整合,3D IC預(yù)計(jì)2013年導(dǎo)入量產(chǎn),將應(yīng)用在手機(jī)、PC及生醫(yī)等高階產(chǎn)品。   
  • 關(guān)鍵字: 日月光  3D IC  

基于DDR NAND閃存的高性能嵌入式接口設(shè)計(jì)

  • 基于DDR NAND閃存的高性能嵌入式接口設(shè)計(jì),摘要:介紹了一種最新DDR NAND閃存技術(shù),它突破了傳統(tǒng)NAND Flash 50 MHz的讀寫頻率限制,提供更好的讀寫速度,以適應(yīng)高清播放和高清監(jiān)控等高存儲(chǔ)要求的應(yīng)用。分析該新型閃存軟硬件接口的設(shè)計(jì)方法。
    關(guān)鍵詞:DDR NAN
  • 關(guān)鍵字: 嵌入式  接口  設(shè)計(jì)  高性能  閃存  DDR  NAND  基于  

基于NAND FLASH的高速大容量存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì)

  • 摘要:為了解決目前記錄系統(tǒng)容量小、存儲(chǔ)速度低的問題,采用性能優(yōu)良的固態(tài)NAND型FLASH為存儲(chǔ)介質(zhì),大規(guī)模集成電路FPGA為控制核心,通過使用并行處理技術(shù)和流水線技術(shù)實(shí)現(xiàn)了多片低速FLASH時(shí)高速數(shù)據(jù)的存儲(chǔ),提高了整
  • 關(guān)鍵字: FLASH  NAND  大容量  存儲(chǔ)    

存儲(chǔ)器思謀發(fā)展

  •   存儲(chǔ)器是隨著計(jì)算機(jī)而發(fā)展起來的一種專用電子部件,用于保存數(shù)據(jù)和程序,傳統(tǒng)上計(jì)算機(jī)的主存儲(chǔ)器稱Memory,外部設(shè)備用存儲(chǔ)器稱Storage(常用磁盤、磁帶)。上世紀(jì)50年代中期,主存曾用磁芯存儲(chǔ)器,60年代中期以來,半導(dǎo)體存儲(chǔ)器開始取代磁芯存儲(chǔ)器。隨著時(shí)間的前進(jìn),存儲(chǔ)器獲得了長(zhǎng)足的發(fā)展。   
  • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器  NAND  201105  
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3d-nand介紹

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