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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 3d-nand

Gartner認(rèn)為SSD將在明年成為市場(chǎng)主流

  • 　　數(shù)年來(lái)固態(tài)硬盤正在變得越來(lái)越便宜和可靠，但相比大容量的硬盤而言，這種產(chǎn)品在容量和價(jià)格比上依然顯得有些奢侈，例如40GB的Intel SSD相當(dāng)于1TB的西部數(shù)據(jù)硬盤的價(jià)格。盡管如此，Gartner依然對(duì)SSD市場(chǎng)的前景十分看好，并認(rèn)為到2012年下半年，固態(tài)硬盤將成為市場(chǎng)的主流，并預(yù)期到時(shí)候的價(jià)格將會(huì)下降到每1美元1GB，這意味著主流的SSD價(jià)格將下調(diào)到100美元以下，例如64GB64美元，從而開始被大眾接受。
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NAND FLASH在儲(chǔ)存測(cè)試系統(tǒng)中的應(yīng)用

  • 0 引言　　計(jì)算機(jī)技術(shù)的高速發(fā)展，存儲(chǔ)系統(tǒng)容量從過去的幾KB存儲(chǔ)空間，到現(xiàn)在的T8；乃至不久的將來(lái)要達(dá)到的PB存儲(chǔ)空間，其數(shù)據(jù)存取的能力在飛速擴(kuò)展。隨之而來(lái)產(chǎn)生的SCSI、FC、SAN、iSCSI、IPStorage和數(shù)據(jù)生命周期管
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三星量產(chǎn)新型NAND閃存芯片

  • 　　5月13日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，全球最大的內(nèi)存芯片廠商三星電子周四稱，它已經(jīng)開始大批量生產(chǎn)新的NAND閃存芯片。這種閃存芯片傳送速度的速度比目前市場(chǎng)上的任何其它NAND閃存芯片都要快。 　　
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3D標(biāo)準(zhǔn)列入工信部重點(diǎn)工作

  • 　　工業(yè)和信息化部日前對(duì)外公布了2011年標(biāo)準(zhǔn)化重點(diǎn)工作，其中3D電視等標(biāo)準(zhǔn)的制定被列進(jìn)今年的標(biāo)準(zhǔn)化重點(diǎn)工作。 　　
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NAND Flash大廠積極制程轉(zhuǎn)換

  • 　　2011年全球NAND Flash中，全球三星電子(Samsung Electronics)仍是位居全球NAND Flash市場(chǎng)龍頭，市占率高達(dá)36.2%，緊追在后的是東芝(Toshiba)，市占率達(dá)35.1%，兩者合計(jì)掌握70%以上NAND Flash市場(chǎng);根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)TrendForce最新統(tǒng)計(jì)，2011年第1季NAND Flash品牌供應(yīng)商的位元出貨量為13%，營(yíng)收成長(zhǎng)9.9%，達(dá)53.63億美元。 　　2011年第1季全球NAND Flash市場(chǎng)變化相當(dāng)多，最大影響當(dāng)屬日本311東北強(qiáng)震，對(duì)
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三星與海力士提升NAND Flash芯片產(chǎn)量

  • 　　據(jù)了解，由于智能型手機(jī)(Smartphone)和平板計(jì)算機(jī)(Tablet PC)需求暴增，三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年雙雙提升NAND Flash芯片產(chǎn)量。 　　
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單片型3D芯片集成技術(shù)與TSV的研究

  • 單片型3D芯片集成技術(shù)與TSV的研究,盡管晶體管的延遲時(shí)間會(huì)隨著晶體管溝道長(zhǎng)度尺寸的縮小而縮短，但與此同時(shí)互聯(lián)電路部分的延遲則會(huì)提升。舉例而言，90nm制程晶體管的延遲時(shí)間大約在 1.6ps左右，而此時(shí)互聯(lián)電路中每1mm長(zhǎng)度尺寸的互聯(lián)線路，其延遲時(shí)間會(huì)
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三星、海力士擴(kuò)大NAND Flash投資

  • 　　由于智能型手機(jī)(Smartphone)和平板計(jì)算機(jī)(Tablet PC)需求暴增，三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年雙雙提升NAND Flash芯片產(chǎn)量。 　　
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三星FULL HD全高清3D橫掃中國(guó)市場(chǎng)

  • 5月6日-8日，深圳光電顯示周暨中國(guó)（國(guó)際）彩電節(jié)“CODECTVF2011”在深圳召開，作為專業(yè)顯示器展覽會(huì)，三星電子在本...
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美光：未來(lái)NAND Flash不求市占率但求低成本

  • 　　由于智能型手機(jī)等行動(dòng)裝置應(yīng)用驅(qū)動(dòng)NANDFlash需求成長(zhǎng)，加上日本強(qiáng)震造成東芝(Toshiba)5、6月NAND Flash供貨銳減50%，美光(Micron)看好NANDFlash產(chǎn)業(yè)將持續(xù)供不應(yīng)求，除與英特爾(Intel)合資新加坡廠取得多數(shù)股權(quán)和產(chǎn)能，未來(lái)不排除再擴(kuò)大NAND Flash產(chǎn)能，可行方案包括釋出代工權(quán)給華亞科生產(chǎn)，或是啟動(dòng)新加坡二廠。美光指出，未來(lái)NAND Flash策略不追求市占第1，但要做到成本最低。 　　
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4月上旬閃存芯片價(jià)格創(chuàng)7個(gè)月新高

  • 　　據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，內(nèi)存調(diào)研公司集邦科技發(fā)布最新研究數(shù)據(jù)，今年四月上旬NAND閃存芯片價(jià)格創(chuàng)下了7個(gè)月以來(lái)的新高水平，一定程度上反映了繼上月日本地震海嘯災(zāi)害中斷相關(guān)供應(yīng)鏈后芯片價(jià)格的總體情況。 　
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東芝將量產(chǎn)19nm工藝64Gbit NAND

  • 　　東芝宣布其開發(fā)出了“全球首款”(該公司)采用19nm工藝的64Gbit NAND型閃存。將從2011年4月底開始樣品供貨，2011年第三季度(2011年7～9月)開始量產(chǎn)。此次開發(fā)的64Gbit NAND芯片是2bit/單元產(chǎn)品，還計(jì)劃推出3bit/單元產(chǎn)品和1bit/單元產(chǎn)品。不過，這些產(chǎn)品的上市時(shí)間目前“尚未確定”(東芝)。 　
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NAND Flash嵌入式存儲(chǔ)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)分析

  • NAND Flash嵌入式存儲(chǔ)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)分析,　本文是以Samsung的NAND Flash K9F2808U0C作為存儲(chǔ)芯片，設(shè)計(jì)了一種在NFTL上實(shí)現(xiàn)壞塊管理并且實(shí)現(xiàn)連續(xù)數(shù)據(jù)讀取的方法。
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東芝Sandisk搭檔組推出19nm制程N(yùn)AND閃存芯片

  • 　　上周，Intel和鎂光發(fā)表聯(lián)合聲明，正式推出采用20nm制程技術(shù)制造的NAND閃存芯片產(chǎn)品，并稱這款產(chǎn)品將于年內(nèi)在IMFT屬下的工廠開始生產(chǎn)。不過兩家的頭名板凳還沒有坐熱，本周Sandisk和東芝組成的搭檔組合便重新奪回了NAND閃存制程技術(shù)的寶座，他們宣稱已經(jīng)制造出了采用19nm制程技術(shù)的NAND閃存芯片，目前這兩家公司在日本設(shè)有一家合資芯片制造公司?！?/li>
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NAND閃存芯片價(jià)格創(chuàng)7個(gè)月來(lái)新高

  • 　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，據(jù)臺(tái)灣集邦科技 (dramexchange technology inc)周一發(fā)表的行業(yè)數(shù)據(jù)顯示，NAND閃存芯片價(jià)格在4月份的上半個(gè)月創(chuàng)7個(gè)月的新高，反應(yīng)了在上個(gè)月日本發(fā)生嚴(yán)重的地震中斷了供應(yīng)鏈之后其它存儲(chǔ)芯片價(jià)格的情況。 　　
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3d-nand介紹

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