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圖騰柱無橋PFC與SiC相結(jié)合，共同提高電源密度和效率

  • 效率和尺寸是電源設(shè)計的兩個主要考慮因素，而功率因數(shù)校正 (PFC)也在變得越來越重要。為了減少無功功率引起的電力線諧波含量和損耗，盡可能降低電源運行時對交流電源基礎(chǔ)設(shè)施的影響，需要使用 PFC。但要設(shè)計出小尺寸、高效率電源（包括 PFC）仍極具挑戰(zhàn)性。本文介紹了如何通過修改傳統(tǒng) PFC 拓撲結(jié)構(gòu)來更好地實現(xiàn)這一目標。使用整流器和升壓二極管的 PFC電源的輸入級通常使用橋式整流器后接單相 PFC 級，由四個整流器二極管和一個升壓二極管組成。圖 1：橋式整流器后接單相 PFC 級圖騰柱無橋拓撲結(jié)構(gòu)還有一種提高
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采用SiC提高住宅太陽能系統(tǒng)性能

  • 預(yù)計在未來五年，住宅太陽能系統(tǒng)的數(shù)量將大幅增長。太陽能系統(tǒng)能為家庭提供清潔和綠色的能源，用于為家用電器供電，為電動汽車充電，甚至將多余的電力輸送至電網(wǎng)。有了太陽能系統(tǒng)，即使發(fā)生電網(wǎng)故障，也不用擔心。本篇博客介紹了住宅太陽能系統(tǒng)的主要組成部分，并建議采用安森美 (onsemi) 的電源方案方案來提高太陽能系統(tǒng)的效率、可靠性和成本優(yōu)勢。住宅太陽能逆變器系統(tǒng)概述住宅太陽能逆變器系統(tǒng)中包括了產(chǎn)生可變直流電壓的光伏面板陣列。升壓轉(zhuǎn)換器使用“最大功率點跟蹤”(MPPT) 方法（根據(jù)陽光的強度和方向優(yōu)化能量采集），將可
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杰平方半導體宣布啟動香港首間碳化硅（SiC）先進垂直整合晶圓廠項目

  • 由創(chuàng)新科技及工業(yè)局和引進重點企業(yè)辦公室共同推動，香港科技園公司（科技園公司）與微電子企業(yè)杰平方半導體（上海）有限公司（杰平方半導體）簽署合作備忘錄，在科學園設(shè)立以第三代半導體為主的全球研發(fā)中心，并投資開設(shè)香港首間碳化硅（SiC）8寸先進垂直整合晶圓廠，共同推進香港微電子生態(tài)圈及第三代半導體芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。香港特區(qū)政府創(chuàng)新科技及工業(yè)局去年公布的《香港創(chuàng)科發(fā)展藍圖》中，明確指出應(yīng)加強支持具策略性的先進制造產(chǎn)業(yè)發(fā)展，譬如半導體芯片，促進香港「新型工業(yè)化」的發(fā)展。作為全球最大的半導體進出口市場之一，香港更是位處大
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新增SiC和IGBT模型,羅姆官網(wǎng)可提供超過3,500種LTspice模型

  • 全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都）擴大了支持電路仿真工具*1 LTspice? 的SPICE模型*2陣容。LTspice?具有電路圖捕獲和波形查看器功能，可以提前確認和驗證電路是否按設(shè)計預(yù)期工作。此前羅姆已經(jīng)陸續(xù)提供了雙極晶體管、二極管和MOSFET*3的LTspice模型，此次又新增了SiC功率元器件和IGBT*4等的LTspice模型。至此，羅姆已經(jīng)提供超過3,500 種分立產(chǎn)品的LTspice?模型，這些模型從各產(chǎn)品頁面均可下載。目前，羅姆官網(wǎng)上發(fā)布的產(chǎn)品所對應(yīng)的LTspice?模型覆蓋率
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基于ST CCM PFC L4986A 設(shè)計的1KW 雙BOOST PFC電源方案

  • L4986簡介：L4986是一款峰值電流模式PFC升壓控制器，采用專有的乘法器“模擬器”，除了創(chuàng)新型THD優(yōu)化器，還保證在所有工條件下具有非常低的總諧波失真（THD）性能。該器件引腳采用SO封裝，集成了800V 高壓啟動功能，無需使用傳統(tǒng)的放電電阻?？梢灾С值墓β史秶鷱囊粌砂偻叩綆浊?。 ST 提供兩個版本：A為65 kHz，B為130 kHz。本案例方案中使用的是65K A版本。Double -boost 電路簡介：Double-boost 是無橋PFC的一種, 去掉了大功耗的整流橋，可以顯著提
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保障下一代碳化硅 (SiC) 器件的供需平衡

  • 在工業(yè)、汽車和可再生能源應(yīng)用中，基于寬禁帶 (WBG) 技術(shù)的組件，比如 SiC，對提高能效至關(guān)重要。在本文中，安森美 (onsemi) 思考下一代 SiC 器件將如何發(fā)展，從而實現(xiàn)更高的能效和更小的尺寸，并討論對于轉(zhuǎn)用 SiC 技術(shù)的公司而言，建立穩(wěn)健的供應(yīng)鏈為何至關(guān)重要。在廣泛的工業(yè)系統(tǒng)（如電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施）和可再生能源系統(tǒng)（如太陽能光伏 (PV)）應(yīng)用中，MOSFET 技術(shù)、分立式封裝和功率模塊的進步有助于提高能效并降低成本。然而，平衡成本和性能對于設(shè)計人員來說是一項持續(xù)的挑戰(zhàn)，必須在不增加太陽
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保障下一代碳化硅(SiC)器件的供需平衡

  • 在工業(yè)、汽車和可再生能源應(yīng)用中，基于寬禁帶 (WBG) 技術(shù)的組件，比如 SiC，對提高能效至關(guān)重要。在本文中，安森美 (onsemi) 思考下一代 SiC 器件將如何發(fā)展，從而實現(xiàn)更高的能效和更小的尺寸，并討論對于轉(zhuǎn)用 SiC 技術(shù)的公司而言，建立穩(wěn)健的供應(yīng)鏈為何至關(guān)重要。在廣泛的工業(yè)系統(tǒng)（如電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施）和可再生能源系統(tǒng)（如太陽能光伏 (PV)）應(yīng)用中，MOSFET 技術(shù)、分立式封裝和功率模塊的進步有助于提高能效并降低成本。然而，平衡成本和性能對于設(shè)計人員來說是一項持續(xù)的挑戰(zhàn)，必須在不增加太陽
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意法半導體為博格華納提供SiC，“上車”沃爾沃？

  • 近日，意法半導體官微宣布，將為博格華納的Viper功率模塊提供最新的第三代750V碳化硅功率MOSFET芯片。博格華納將該功率模塊用于沃爾沃和未來多款純電動汽車設(shè)計電驅(qū)逆變器平臺。為了充分發(fā)揮意法半導體SiC MOSFET 芯片的優(yōu)勢，意法半導體和博格華納技術(shù)團隊密切合作，力爭讓意法半導體的芯片與博格華納的Viper功率開關(guān)匹配，最大限度提高逆變器性能，縮小電驅(qū)架構(gòu)尺寸并提升經(jīng)濟效益。意法半導體汽車和分立器件產(chǎn)品部（ADG）總裁Marco Monti表示，意法半導體和博格華納合作有助于提升沃爾沃的車輛性能
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基于STM32G474RBT6 MCU的數(shù)字控制3KW通信電源方案

  • STDES-3KWTLCP參考設(shè)計針對5G通信應(yīng)用的3 kW/53.5V AC-DC轉(zhuǎn)換器電源，使用完整的ST數(shù)字電源解決方案。STDES-3KWTLCP參考設(shè)計針對5G通信應(yīng)用的3 kW/53.5V AC-DC轉(zhuǎn)換器電源，使用完整的ST數(shù)字電源解決方案。電路設(shè)計包括前端無橋圖騰柱PFC和后端LLC全橋架構(gòu)。前級圖騰柱PFC提供功率因數(shù)校正（PFC）和諧波失真（THD）抑制，后記全橋LLC轉(zhuǎn)換器提供安全隔離和穩(wěn)定的輸出電壓。該參考設(shè)計為高效率緊湊型解決方案，在230 VAC輸入時，測量峰值效率為96.3%
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意法半導體SiC技術(shù)助力博格華納Viper功率模塊設(shè)計

  • ●? ?意法半導體為博格華納的Viper功率模塊提供碳化硅(SiC)功率MOSFET，支持沃爾沃汽車在2030年前全面實現(xiàn)電動化目標●? ?博格華納將采用意法半導體碳化硅芯片為沃爾沃現(xiàn)有和未來的多款純電動汽車設(shè)計電驅(qū)逆變器平臺服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST)將與提供創(chuàng)新和可持續(xù)移動解決方案的全球領(lǐng)導者博格華納公司(紐約證券交易所股票代碼：BWA)合作，為博格華納專有的基于 Viper 功率模塊
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自動執(zhí)行寬禁帶SiC/GaN器件的雙脈沖測試

  • _____減少碳排放的迫切需求推動了對電氣技術(shù)的投資，特別是數(shù)據(jù)中心和電動汽車領(lǐng)域。根據(jù)彭博社最新的電動汽車展望報告，到 2050 年，幾乎所有道路運輸都將實現(xiàn)電氣化，預(yù)計將導致全球電力需求激增 27%。這一趨勢凸顯了電氣解決方案在遏制溫室氣體排放和塑造更具可持續(xù)性的未來方面的重要意義。越來越多的氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等寬帶隙 (WBG) 半導體取代開關(guān)模式電源和電機驅(qū)動器中的硅基功率 MOSFET 和 IGBT。這種轉(zhuǎn)變是由 GaN 和 SiC 器件的出色性能帶來的，包括比硅器件更快
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碳化硅芯片是否即將主宰市場？阿斯麥臉色不再重要！

  • 在科技領(lǐng)域中，碳化硅芯片正如一顆閃耀的明星，逐漸嶄露頭角。隨著移動互聯(lián)網(wǎng)、人工智能和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域的迅速發(fā)展，芯片技術(shù)也不斷突破創(chuàng)新。而在這股技術(shù)浪潮中，碳化硅芯片憑借其獨特的優(yōu)勢正愈發(fā)引起人們的矚目。伴隨著阿斯麥這位傳統(tǒng)芯片巨頭的重磅投資，人們開始紛紛關(guān)注，碳化硅芯片是否即將主宰市場？更高的溫度耐受性碳化硅芯片，作為一種新興的半導體材料，因其出色的性能和優(yōu)異的耐受性而備受關(guān)注。其中，其更高的溫度耐受性是其最大的優(yōu)勢之一。碳化硅芯片的高溫耐受性是由其特殊的晶格結(jié)構(gòu)決定的。碳化硅是由碳原子和硅原子組成的晶體，
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東芝開發(fā)出業(yè)界首款2200V雙碳化硅(SiC)MOSFET模塊

  • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出業(yè)界首款[1]2200V雙碳化硅（SiC）MOSFET模塊---“MG250YD2YMS3”。新模塊采用東芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏極電流（DC）額定值為250A，適用于光伏發(fā)電系統(tǒng)和儲能系統(tǒng)等使用DC 1500V的應(yīng)用。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。類似上述的工業(yè)應(yīng)用通常使用DC?1000V或更低功率，其功率器件多為1200V或1700V產(chǎn)品。然而，預(yù)計未來幾年內(nèi)DC?1500V將得到廣泛應(yīng)用，因此東芝發(fā)布了業(yè)界首款
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大功率、高性能汽車類 SiC 牽引逆變器參考設(shè)計

  • TIDM-02014 是一款由德州儀器 (TI) 和 Wolfspeed 開發(fā)的基于 SiC 的 800V、300kW 牽引逆變器系統(tǒng)參考設(shè)計，該參考設(shè)計為 OEM 和設(shè)計工程師創(chuàng)建高性能、高效率的牽引逆變器系統(tǒng)并更快地將其推向市場提供了基礎(chǔ)。該解決方案展示了 TI 和 Wolfspeed 的牽引逆變器系統(tǒng)技術(shù)（包括用于驅(qū)動 Wolfspeed SiC 電源模塊、具有實時可變柵極驅(qū)動強度的高性能隔離式柵極驅(qū)動器）如何通過降低電壓過沖來提高系統(tǒng)效率。隔離式柵極驅(qū)動器與 TI 的隔離式輔助電源解決方案配合使用
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適用于高性能功率器件的 SiC 隔離解決方案

  • 隨著設(shè)備變得越來越小，電源也需要跟上步伐。因此，當今的設(shè)計人員有一個優(yōu)先目標：化單位體積的功率（W/mm 3）。實現(xiàn)這一目標的一種方法是使用高性能電源開關(guān)。盡管需要進一步的研發(fā)計劃來提高性能和安全性，并且使用這些寬帶隙 (WBG) 材料進行設(shè)計需要在設(shè)計過程中進行額外的工作，但氮化鎵 (GaN) 和 SiC 已經(jīng)為新型電力電子產(chǎn)品鋪平了道路階段。使用 SiC 柵極驅(qū)動器可以減少 30% 的能量損耗，同時限度地延長系統(tǒng)正常運行時間。Maxim Integrated 推出了一款碳化硅 (SiC) 隔離式柵極驅(qū)
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