cmos digital image sensor 文章 進(jìn)入cmos digital image sensor技術(shù)社區(qū)
無線設(shè)備中CMOS頻率源的應(yīng)用趨勢(shì)
- 采用CMOS技術(shù)提供頻率參考源比采用傳統(tǒng)頻率發(fā)生方法有更多的優(yōu)點(diǎn)。而最近發(fā)布的CMOS時(shí)鐘發(fā)生器主要是針對(duì)有線應(yīng)用設(shè)計(jì)的,可以在高頻率下工作、尺寸小和易于集成的優(yōu)點(diǎn)使其能夠非常容易地?cái)U(kuò)展到更加廣泛的無線應(yīng)用中。在有些應(yīng)用中,CMOS振蕩器可以為那些要求嚴(yán)格的產(chǎn)品改善性能;而在另外一些應(yīng)用中,通過它們就能夠設(shè)計(jì)出全新的無線產(chǎn)品且避免使用非半導(dǎo)體器件。
- 關(guān)鍵字: 應(yīng)用 趨勢(shì) 頻率 CMOS 設(shè)備 無線
晶圓代工廠發(fā)展MEMS的唯一要訣:找到強(qiáng)大的設(shè)計(jì)伙伴
- 1位伊朗人30多年前獨(dú)自來到美國柏克萊大學(xué)念書,自畢業(yè)后為了一圓其大學(xué)時(shí)期對(duì)于MEMS的夢(mèng)想,前前后后共創(chuàng)立了多達(dá)6家的MEMS設(shè)計(jì)公司,而第6家公司InvenSense在其正式開張前,就已花了1年多時(shí)間在家埋頭苦干,開創(chuàng)出1套前無古人的MEMS設(shè)計(jì)公司營(yíng)運(yùn)模式,如今看來他對(duì)了,至今InvenSense成為任天堂Wii下世代Wii Motion Plus游戲搖桿的唯一陀螺儀供應(yīng)商,而讓所有MEMS業(yè)界為之瞠目結(jié)舌的是,
- 關(guān)鍵字: MEMS IC 晶圓 CMOS
美國國家半導(dǎo)體 WEBENCH Sensor Designer 傳感器設(shè)計(jì)工具榮獲 Electronic Products 雜志年度最佳產(chǎn)品獎(jiǎng)項(xiàng)
- 二零零九年二月四日--中國訊 -- 美國國家半導(dǎo)體公司 (National Semiconductor Corporation) (美國紐約證券交易所上市代碼:NSM)宣布該公司的 WEBENCH Sensor Designer 在線傳感器設(shè)計(jì)工具榮獲 Electronic Products 雜志“2008年度最佳產(chǎn)品”獎(jiǎng)項(xiàng)。該雜志的編輯委員會(huì)會(huì)從每年參賽的數(shù)以千計(jì)杰出新產(chǎn)品中挑選出最優(yōu)秀的產(chǎn)品。這些新產(chǎn)品不但具備領(lǐng)先技術(shù)、創(chuàng)新設(shè)計(jì)、而且價(jià)格/性能比也大幅改善。 El
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新日本無線開發(fā)出雙電路低噪聲CMOS單電源運(yùn)算放大器
- 新日本無線開發(fā)完成了雙電路低噪聲CMOS單電源軌至軌輸出運(yùn)算放大器NJU7029,該產(chǎn)品最適用于加速度傳感器、震蕩傳感器和光傳感器的信號(hào)處理。 NJU7029是雙電路CMOS運(yùn)算放大器,實(shí)現(xiàn)了低噪聲(13nV/√Hz typ. at f="1kHz")、增益寬帶(3MHz)、低電壓工作(2.2V~5.5V),并且具有輸入偏置電流為1pA(typ.)的高輸入阻抗特性,即便是加速度、震蕩、光等各種傳感器的微小輸入信號(hào)也能準(zhǔn)確地放大。 NJU7029具有軌至軌輸出特性,實(shí)現(xiàn)
- 關(guān)鍵字: 新日本無線 運(yùn)算放大器 CMOS 低噪聲
基于CPLD的高幀頻CMoS相機(jī)驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)
- 依據(jù)Micon公司MI―MVl3型高幀頻互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)圖像傳感器驅(qū)動(dòng)控制時(shí)序關(guān)系,設(shè)計(jì)了高幀頻相機(jī)驅(qū)動(dòng)控制時(shí)序。選用Actel公司復(fù)雜的可編程邏輯器件及其開發(fā)系統(tǒng),并利用硬件描述語言實(shí)現(xiàn)了驅(qū)動(dòng)時(shí)序及控制時(shí)序。實(shí)驗(yàn)表明,設(shè)計(jì)的控制驅(qū)動(dòng)時(shí)序完全能滿足圖像傳感器的要求。
- 關(guān)鍵字: CPLD CMoS 幀 相機(jī)
低功耗低噪聲CMOS放大器設(shè)計(jì)與優(yōu)化
- 分析了兩種傳統(tǒng)的基于共源共柵結(jié)構(gòu)的低噪聲放大器LNA技術(shù):實(shí)現(xiàn)噪聲優(yōu)化和輸入匹配SNIM技術(shù)并在功耗約束下同時(shí)實(shí)現(xiàn)噪聲優(yōu)化和輸入匹配PCSNIM技術(shù)。針對(duì)其固有不足,提出了一種新的低功耗、低噪聲放大器設(shè)計(jì)方法。
- 關(guān)鍵字: CMOS 低功耗 低噪聲 放大器設(shè)計(jì)
SoC與SiP各有千秋 兩者之爭(zhēng)仍將繼續(xù)
- 對(duì)生命周期相對(duì)較長(zhǎng)的產(chǎn)品來說,SoC將繼續(xù)作為許多產(chǎn)品的核心;而若對(duì)產(chǎn)品開發(fā)周期要求高、生命周期短、面積小、靈活性較高,則應(yīng)使用SiP。 現(xiàn)代集成技術(shù)已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超越了過去40年中一直以摩爾定律發(fā)展的CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)工藝。人們正在為低成本無源元件集成和MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))傳感器、開關(guān)和振蕩器等電器元件開發(fā)新的基于硅晶的技術(shù)。這意味著與集成到傳統(tǒng)CMOS芯片相比,可以把更多的功能放到SiP封裝(系統(tǒng)級(jí)封裝)中,這些新技術(shù)并不會(huì)替代CMOS芯片,而只是作為補(bǔ)充。 如果
- 關(guān)鍵字: SoC CMOS SiP
cmos digital image sensor介紹
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