cmos finfet 文章進(jìn)入cmos finfet技術(shù)社區(qū)

設(shè)計(jì)原則：?jiǎn)纹瑱C(jī)硬件系統(tǒng)擴(kuò)展外設(shè)

每天新產(chǎn)品時(shí)刻新體驗(yàn)一站式電子數(shù)碼采購(gòu)中心專業(yè)PCB打樣工廠，24小時(shí)加
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移動(dòng)處理器工藝制程挑戰(zhàn)技術(shù)極限 FinFET成主流

　　隨著半導(dǎo)體工藝技術(shù)的進(jìn)步與智能手機(jī)對(duì)極致效能的需求加劇，移動(dòng)處理器的工藝制程正在邁向新的高度。目前，全球領(lǐng)先的晶圓代工廠商已經(jīng)將工藝制程邁向10納米FinFET工藝，16/14納米節(jié)點(diǎn)的SoC也已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，那么半導(dǎo)體技術(shù)節(jié)點(diǎn)以摩爾定律的速度高速發(fā)展至今，移動(dòng)處理器的工藝制程向前演進(jìn)又存在哪些挑戰(zhàn)?同時(shí)，進(jìn)入20納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)之后傳統(tǒng)的CMOS工藝式微，這將給FinFET與FD-SOI工藝在技術(shù)與應(yīng)用上帶來怎樣的發(fā)展變革? 　　 5納米節(jié)點(diǎn)是目前技術(shù)極限摩爾定律被修正意義仍在
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TTL和CMOS電平的特點(diǎn)、使用方式

　　1，TTL電平(什么是TTL電平)：　　輸出高電平>2.4V,輸出低電平<0.4v。在室溫下，一般輸出高電平是3.5v，輸出低電平是0.2v。最小輸入高電平和低電平：輸入高電平>=2.0V，輸入低電平<=0.8v，噪聲容限是0.4v。< p=""> 　　特點(diǎn)：　　1.CMOS是場(chǎng)效應(yīng)管構(gòu)成，TTL為雙極晶體管構(gòu)成　　2.COMS的邏輯電平范圍比較大(5～15V)，TTL只能在5V下工作　　3.CMOS的高低電平之間相差比較大、抗
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關(guān)于TTL電平、CMOS電平、RS232電平

　　本文主要介紹了一下關(guān)于TTL電平、CMOS電平、RS232電平的知識(shí)要點(diǎn)，希望對(duì)你的學(xué)習(xí)有所幫助。　　一、TTL電平：　　TTL 電平信號(hào)被利用的最多是因?yàn)橥ǔ?shù)據(jù)表示采用二進(jìn)制規(guī)定，+5V等價(jià)于邏輯“1”，0V等價(jià)于邏輯“0”，這被稱做TTL(Transistor- Transistor Logic 晶體管-晶體管邏輯電平)信號(hào)系統(tǒng)，這是計(jì)算機(jī)處理器控制的設(shè)備內(nèi)部各部分之間通信的標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)。　　TTL 電平信號(hào)對(duì)于計(jì)算機(jī)處理器控制的設(shè)備內(nèi)部的
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全球首家：臺(tái)積電公布5納米FinFET技術(shù)藍(lán)圖

　　臺(tái)積電7月14日首度揭露最先進(jìn)的5納米FinFET(鰭式場(chǎng)效電晶體)技術(shù)藍(lán)圖。臺(tái)積電規(guī)劃，5納米FinFET于2020年到位，開始對(duì)外提供代工服務(wù)，是全球首家揭露5納米代工時(shí)程的晶圓代工廠。　　臺(tái)積電透露，配合客戶明年導(dǎo)入10納米制程量產(chǎn)，臺(tái)積電明年也將推出第二代后段整合型扇形封裝(InFO)服務(wù)。臺(tái)積電強(qiáng)化InFO布局，是否會(huì)威脅日月光、矽品等專業(yè)封測(cè)廠，業(yè)界關(guān)注。　　臺(tái)積電在晶圓代工領(lǐng)域技術(shù)領(lǐng)先，是公司維持高獲利的最大動(dòng)能，昨天的新聞發(fā)布會(huì)上，先進(jìn)制程布局，成為法人另一個(gè)關(guān)注焦點(diǎn)。　　
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CMOS和TTL集成門電路多余輸入端處理方法

　　一、CMOS門電路　　CMOS 門電路一般是由MOS管構(gòu)成，由于MOS管的柵極和其它各極間有絕緣層相隔，在直流狀態(tài)下，柵極無電流，所以靜態(tài)時(shí)柵極不取電流，輸入電平與外接電阻無關(guān)。由于MOS管在電路中是一壓控元件，基于這一特點(diǎn)，輸入端信號(hào)易受外界干擾，所以在使用CMOS門電路時(shí)輸入端特別注意不能懸空。在使用時(shí)應(yīng)采用以下方法：　　1、與門和與非門電路：由于與門電路的邏輯功能是輸入信號(hào)只要有低電平，輸出信號(hào)就為低電平，只有全部為高電平時(shí)，輸出端才為高電平。而與非門電路的邏輯功能是輸入信號(hào)只要有低電平
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【E問E答】CMOS和TTL集成門電路多余輸入端如何處理？

CMOS和TTL集成門電路在實(shí)際使用時(shí)經(jīng)常遇到這樣一個(gè)問題，即輸入端有多余的，如何正確處理這些多余的輸入端才能使電路正常而穩(wěn)定的工作？一、CMOS門電路 CMOS 門電路一般是由MOS管構(gòu)成，由于MOS管的柵極和其它各極間有絕緣層相隔，在直流狀態(tài)下，柵極無電流，所以靜態(tài)時(shí)柵極不取電流，輸入電平與外接電阻無關(guān)。由于MOS管在電路中是一壓控元件，基于這一特點(diǎn)，輸入端信號(hào)易受外界干擾，所以在使用CMOS門電路時(shí)輸入端特別注意不能懸空。在使用時(shí)應(yīng)采用以下方法： 1、與門和與非門電路：由于與門電路的邏輯功能
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汽車圖像傳感器在提高行車安全和駕乘體驗(yàn)方面的應(yīng)用

　　近年來，在政府對(duì) 汽車安全法令的貫徹和實(shí)施、消費(fèi)者駕乘體驗(yàn)及自動(dòng)駕駛的趨勢(shì)推動(dòng)下，汽車圖像傳感器領(lǐng)域呈爆發(fā)式增長(zhǎng)。汽車圖像傳感有著廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，具有卓越性能和先進(jìn)的圖像處理能力的圖像傳感器在提高行車安全的同時(shí)還提升用戶駕乘體驗(yàn)，成為近年來汽車領(lǐng)域的炙手可熱的技術(shù)。預(yù)測(cè)顯示，2014-2018年間汽車CMOS 傳感器市場(chǎng)的收入年復(fù)合增長(zhǎng)率(CAGR)將達(dá)到28%。　　汽車圖像傳感器主要應(yīng)用領(lǐng)域　　汽車圖像傳感器的應(yīng)用非常廣泛，包括用于視覺應(yīng)用如倒車影像、前視、后視、俯視、全景泊車影像、車
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索尼仍是CMOS感光元件市場(chǎng)絕對(duì)領(lǐng)導(dǎo)者

　　對(duì)于消費(fèi)者而言，智能手機(jī)的拍照能力依然是決定購(gòu)買的重要因素之一，這也使得手機(jī)攝像頭元件制作成為目前一個(gè)重要且快速增長(zhǎng)的產(chǎn)業(yè)。在未來5年里，CMOS感光元件產(chǎn)業(yè)的價(jià)值將達(dá)到190億美元。而就目前而言，索尼依然是CMOS感光元件市場(chǎng)的絕對(duì)領(lǐng)導(dǎo)者。　　根據(jù)調(diào)查統(tǒng)計(jì)，CMOS感光元件市場(chǎng)在2015年總市值達(dá)到67億美元，而單單索尼就控制著其中35%的市場(chǎng)份額(36億美元)。而其余的競(jìng)爭(zhēng)者都無法撼動(dòng)索尼的地位，不管是三星(19%)、OmniVision、On Semiconductor、佳能、東芝還是松下。
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MRAM在28nm CMOS制程處于領(lǐng)先位置

　　在28nm晶片制程節(jié)點(diǎn)的嵌入式非揮發(fā)性記憶體競(jìng)賽上，自旋力矩轉(zhuǎn)移磁阻式隨機(jī)存取記憶體(STT-MRAM)正居于領(lǐng)先的位置。　　比利時(shí)研究機(jī)構(gòu)IMEC記憶體部門總監(jiān)Arnaud Furnemont指出，雖然電阻式隨機(jī)存取記憶體(ReRAM)和相變記憶體(PCM)等其他類型的記憶器也都有其支持者，但這些記憶體都存在著微縮的問題，而難以因應(yīng)28nm CMOS制程的要求。　　28nm平面CMOS節(jié)點(diǎn)可望具有更長(zhǎng)的壽命，以因應(yīng)更多的“超越摩爾定律”(More-than-Moore
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Sony暗示iPhone相機(jī)模組被LG搶單？坦承錯(cuò)估CMOS需求

　　Sony 24日盤后公布了因熊本強(qiáng)震影響而一度擱置的今年度(2016年度、2016年4月-2017年3月)財(cái)測(cè)，而熊本強(qiáng)震雖對(duì)Sony營(yíng)益帶來1,150億日?qǐng)A的影響，不過Sony仍預(yù)估今年度營(yíng)益有望呈現(xiàn)增長(zhǎng)，也帶動(dòng)Sony 25日股價(jià)大漲?！　「鶕?jù)嘉實(shí)XQ全球贏家系統(tǒng)報(bào)價(jià)，截至臺(tái)北時(shí)間25日上午8點(diǎn)18分為止，Sony飆漲5.47%至3,044日?qǐng)A，稍早最高漲至3,058日?qǐng)A、創(chuàng)4月21日以來新高水準(zhǔn)?！　〔贿^全球智能手機(jī)成長(zhǎng)減速，也對(duì)Sony核心事業(yè)之一的元件事業(yè)帶來沖擊，Sony也坦承嚴(yán)重錯(cuò)估了使
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ARM攜手臺(tái)積電打造多核10納米FinFET測(cè)試芯片推動(dòng)前沿移動(dòng)計(jì)算未來

　　ARM今日發(fā)布了首款采用臺(tái)積電公司(TSMC)10納米FinFET工藝技術(shù)的多核 64位 ARM?v8-A 處理器測(cè)試芯片。仿真基準(zhǔn)檢驗(yàn)結(jié)果顯示，相較于目前常用于多款頂尖智能手機(jī)計(jì)算芯片的16納米FinFET+工藝技術(shù)，此測(cè)試芯片展現(xiàn)更佳運(yùn)算能力與功耗表現(xiàn)。　　此款測(cè)試芯片的成功驗(yàn)證(設(shè)計(jì)定案完成于2015 年第四季度)是ARM 與臺(tái)積電持續(xù)成功合作的重要里程碑。該驗(yàn)證完備的設(shè)計(jì)方案包含了IP、EDA工具、設(shè)計(jì)流程及方法，能夠使新客戶采用臺(tái)積電最先進(jìn)的
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華人胡正明獲美國(guó)最高科技獎(jiǎng)：FinFET發(fā)明人

　　據(jù)中新網(wǎng)、網(wǎng)易等報(bào)道，當(dāng)?shù)貢r(shí)間2016年5月19日，美國(guó)總統(tǒng)奧巴馬在白宮為2015年度美國(guó)最高科技獎(jiǎng)項(xiàng)獲得者頒獎(jiǎng)，包括9名國(guó)家科學(xué)獎(jiǎng)獲得者和8名國(guó)家技術(shù)和創(chuàng)新獎(jiǎng)獲得者。其中兩張華裔面孔格外引人注意，包括80歲高齡的何南施女士(Nancy ho)，出生于南京，1957年畢業(yè)于臺(tái)灣大學(xué)。　　她1993年制造出一種酵母，除了讓木糖發(fā)酵，也可以吧果糖變成乙醇，因此能夠利用稻草之類的非食用材料大量制造乙醇，幫助減少對(duì)進(jìn)口石油的依賴。　　另一位是胡正明教授，他1947年出生于北京豆芽菜胡同，在臺(tái)灣長(zhǎng)大，后
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顯卡大戰(zhàn) AMD/Nvidia各有妙招

Nvidia和AMD雙方都擁有為數(shù)眾多的粉絲,每天在網(wǎng)上相互抨擊的文章和帖子是數(shù)不勝數(shù)，大家都認(rèn)為自家購(gòu)買的顯卡是最好的，而把對(duì)方貶的一無是處，顯卡如此，CP黨爭(zhēng)更是如此。
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CCD與CMOS技術(shù)，我們居然還有這么多不知道

　　在工業(yè)應(yīng)用中成像系統(tǒng)的廣泛采用持續(xù)擴(kuò)展，不僅由新的影像感測(cè)器技術(shù)和產(chǎn)品的開發(fā)所推動(dòng)，還由支援平臺(tái)的進(jìn)步所推動(dòng)，如電腦功率和高速數(shù)據(jù)介面。今天，成像系統(tǒng)的使用在各種領(lǐng)域很常見，如配線檢查、交通監(jiān)測(cè)/執(zhí)法、監(jiān)控和醫(yī)療及科學(xué)成像，由于影像感測(cè)器技術(shù)的進(jìn)步，使成像性能、讀取速度和解析度提高。隨著影像感測(cè)器現(xiàn)在采用電荷耦合元件(CCD)和互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)技術(shù)設(shè)計(jì)，審視這兩大平臺(tái)對(duì)于選擇最適合特定應(yīng)用的影像感測(cè)器很有幫助?！　‰娮映上窦夹g(shù)的發(fā)展始于上世紀(jì)60年代，諾貝爾獎(jiǎng)得主Boyle和Smit
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