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要想手機(jī)拍照好，CMOS和CCD傳感器藏絕招

  • 圖像傳感器在智能手機(jī)、照相機(jī)、攝像機(jī)中都發(fā)揮著十分關(guān)鍵的作用。在CIS、CMOS和CCD三類傳感器中，人們經(jīng)常討論的是CMOS和CCD圖像傳感器之間的比較優(yōu)勢，本文將簡單介紹兩種傳感器的分類及特點(diǎn)，并會給出選擇兩種傳感器產(chǎn)品時的一些實用建議。
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北大碳基集成電路成果被《2017中國自然指數(shù)》專題報道

  • 　　2017年5月25日，英國《自然》期刊增刊《2017中國自然指數(shù)》(第5545卷，7655期)出版。最新的自然指數(shù)(nature index)表明，在過去15年中，材料科學(xué)(尤其是納米材料等)領(lǐng)域已成為各國政策制定者的關(guān)注重點(diǎn)，大力投資材料科學(xué)也成為中國整體科技戰(zhàn)略的重要組成部分。近年來，中國始終是在材料科學(xué)領(lǐng)域發(fā)表論文最多的國家，其背后是政府的大規(guī)模資金投入和大力引進(jìn)人才。然而，材料科學(xué)家認(rèn)為，需要將更多的資源投入到基礎(chǔ)研究的轉(zhuǎn)化中;應(yīng)用科學(xué)家表示，如果沒有足夠的扶持，中國在材料研究商業(yè)化方面的努力
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單芯片毫米波傳感器步入CMOS時代

  • CMOS內(nèi)的數(shù)字縮放降低了功率，縮小了尺寸，并且提高了每個節(jié)點(diǎn)的性能。同時，CMOS技術(shù)進(jìn)一步提高了在模擬組件中嵌入數(shù)字功能的能力，從而實現(xiàn)了在雷達(dá)系統(tǒng)部署方面的全新系統(tǒng)配置和拓?fù)洹?/li>
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FinFET布局和布線要經(jīng)受各種挑戰(zhàn)

  • 　　隨著高級工藝的演進(jìn)，電路設(shè)計團(tuán)隊在最先進(jìn)的晶片上系統(tǒng)內(nèi)加載更多功能和性能的能力日益增強(qiáng)。與此同時，他們同樣面臨許多新的設(shè)計挑戰(zhàn)。多重圖案拆分給設(shè)計實施過程帶來了許多重大布局限制，另外為降低功耗和提高性能而引入 FinFET 晶體管使之更加復(fù)雜，因為它對擺設(shè)和布線流程帶來了更多的限制。下面就隨模擬電子小編一起來了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。 　　FinFET布局和布線要經(jīng)受各種挑戰(zhàn) 　　隨著高級工藝的演進(jìn)，電路設(shè)計團(tuán)隊在最先進(jìn)的晶片上系統(tǒng)內(nèi)加載更多功能和性能的能力日益增強(qiáng)。與此同時，他們同樣面臨許多新的設(shè)
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英特爾推全新低功耗FinFET技術(shù)　22納米制程戰(zhàn)場煙硝起

  • 　　英特爾(Intel)宣布將在2017年底之前啟動全新22納米鰭式場效電晶體(FinFET)制程22 FFL，相關(guān)開發(fā)套件(PDK)在接下來幾個月也將陸續(xù)到位，市場上認(rèn)為22 FFL的推出，顯然是針對GlobalFoundries等業(yè)者以全空乏絕緣上覆硅(FD-SOI)為移動裝置及物聯(lián)網(wǎng)(IoT)應(yīng)用所生產(chǎn)之同類芯片而來。 　　據(jù)EE Times Asia報導(dǎo)，英特爾稱自家22 FFL是市場上首款為低功耗IoT應(yīng)用及移動裝置產(chǎn)品而開發(fā)出來的FinFET技術(shù)，能打造出高效能及低功耗的電晶體，漏電流(le
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傳梁孟松加盟中芯國際 兩岸半導(dǎo)體技術(shù)戰(zhàn)一觸即發(fā)

  • 　　繼網(wǎng)羅到蔣尚義這位臺灣半導(dǎo)體大將后，大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)又有新動作。據(jù)報道，傳大陸行業(yè)領(lǐng)頭羊中芯國際要將梁孟松收入麾下，梁孟松或于 5 月出任中芯國際 CTO 或 COO。和蔣尚義一樣，梁孟松同樣來自臺積電技術(shù)研發(fā)高層，他曾任臺積電資深研發(fā)處長。 　　之前蔣尚義加入中芯時，已經(jīng)是半導(dǎo)體行業(yè)的一枚重磅炸彈了，畢竟無論是從他 40 多年的行業(yè)經(jīng)驗還是在臺積電的任職時間來看，他都堪稱元老。在臺積電，蔣尚義參與主導(dǎo)了從0.25微米、0.18微米直至16納米制程技術(shù)的研發(fā)，張忠謀曾感激他為“臺積電16年
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后CMOS時代 Intel稱有12種設(shè)想可降低產(chǎn)品功耗

  • 　　自從14nm節(jié)點(diǎn)開始，Intel在傳統(tǒng)CMOS半導(dǎo)體工藝升級上的步伐就慢下來了，Tick-Tock戰(zhàn)略名存實亡，還被TSMC、三星兩家趕超、奚落，甚至連市值都被TSMC超越了，以致于Intel為了挽回面子都想法推動新的半導(dǎo)體工藝命名規(guī)則了。傳統(tǒng)CMOS工藝很可能在2024年終結(jié)，對此Intel也不是沒有準(zhǔn)備，最近他們公布了后CMOS時代的一些技術(shù)思路，Intel的目標(biāo)是在保持現(xiàn)有晶圓工廠的情況下制造功耗更低的產(chǎn)品，電壓可以低至0.5V，這在目前的晶體管下是不可能的。   　　根據(jù)EE
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芯片業(yè)追尋后CMOS時代研發(fā)新方向

  • 傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體技術(shù)形成了摩爾定律的基礎(chǔ)，并在數(shù)十年來持續(xù)落實于產(chǎn)業(yè)界，如今它正日益成熟，業(yè)界也越來越迫切需要一種超越硅晶的新技術(shù)藍(lán)圖...
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摩爾定律活不久了 CMOS電路被判“死刑”

  • 盡管Intel一直嘴硬說摩爾定律未滅，但傳統(tǒng)半導(dǎo)體這幾年內(nèi)確實面臨著很大挑戰(zhàn)，IRDS日前發(fā)布的一份報告則給CMOS電路判了死刑——2024年它就會終結(jié)了。
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索尼再現(xiàn)黑科技:將DRAM集成到CMOS傳感器

  • 　　索尼這幾年的手機(jī)之路走得并不平坦，不過沒有隨波逐流，漸漸變得默默無聞。作為黑科技的代名詞，索尼在半導(dǎo)體上的造詣可不是一般的強(qiáng)大?？赡芎芏嗳藭X得索尼沒聽說在半導(dǎo)體上有哪些重大貢獻(xiàn)，但是如果索尼的半導(dǎo)體工廠停工，因為全球的手機(jī)CMOS大部分來自索尼。 　　索尼XZ Prumium 　　索尼鏡頭 　　索尼展示技術(shù) 　　在今年的MWC上，索尼除了帶來全新的智能手機(jī)之外，他們還帶來了全新的三層堆疊式CMOS傳感器。據(jù)索尼官方介紹，三層堆疊式CMOS傳感器是在像素層和信號處理電路之間加入一層
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FinFET之父胡正明談人才培育

  • 　　潘文淵文教基金會日前舉行“潘文淵獎”頒獎典禮，2016年的得獎人是加州大學(xué)柏克萊分校講座教授胡正明，他曾回臺擔(dān)任臺積電首任技術(shù)長，也是工研院院士，他所研發(fā)的3D鰭式晶體管(FinFET)突破物理極限，堪稱半導(dǎo)體工業(yè)40多年來的最大變革。 　　胡正明目前仍深耕學(xué)術(shù)教育，為產(chǎn)學(xué)研界培育眾多優(yōu)秀人才。 在頒獎典禮中，胡正明與清華大學(xué)前校長劉炯朗以“創(chuàng)新人才培育─邁向科技新世代”為題進(jìn)行高峰論壇，兩人提出許多深具啟發(fā)性的見解。 　　肯定自己 解決問題就是創(chuàng)新
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汽車電子產(chǎn)業(yè)變革催生半導(dǎo)體行業(yè)機(jī)遇

  • 汽車智能化趨勢使得汽車電子半導(dǎo)體市場的增長不再依賴于汽車產(chǎn)量的增加，而是車載半導(dǎo)體數(shù)量的增加。
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胡正明續(xù)寫摩爾傳奇 FinFET/FD-SOI廠商如何押寶？

  • 　　近日格羅方德12英寸晶圓廠落戶中國成都引起業(yè)界關(guān)注，為何?因為FD-SOI技術(shù)。 　　眾所周知，當(dāng)柵極長度逼近20nm大關(guān)時，對電流控制能力急劇下降，漏電率相應(yīng)提高。FinFET與FD-SOI恰是半導(dǎo)體微縮時代續(xù)命的高招。 　　盡管FinFET與FD-SOI師出同門，但是，兩者卻被“陣營化”，F(xiàn)inFET陣營占據(jù)絕對優(yōu)勢。格羅方德是為數(shù)不多的FD-SOI技術(shù)堅守與推動者了。FD-SOI能是否叫板FinFET?希望格羅方德12英寸晶圓廠能給出答案。 　　今天我們就來談?wù)凢i
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本土手機(jī)芯片廠商日益強(qiáng)大 2017市場增長極都有誰？

  • 手機(jī)產(chǎn)業(yè)持續(xù)平穩(wěn)增長，芯片市場維持高景氣度
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索尼革命性拍照黑科技：把內(nèi)存塞進(jìn)CMOS

  • 　　盡管近段時間索尼忙于月底的MWC 2017，但這似乎并不影響索尼偶爾刷刷黑科技的習(xí)慣。近日，索尼推出了一款劃時代的傳感器產(chǎn)品——全球首款三層堆疊式CMOS傳感器。據(jù)了解，索尼這種三層堆疊式傳感器基于目前CMOS傳感器進(jìn)行改進(jìn)，在像素層和信號處理電路層之間又增加了一層DRAM。新一代CMOS傳感器原理新一代CMOS傳感器原理　　技術(shù)介紹稱，大容量低功耗DRAM的加入可以讓傳感器獲得高速讀取的能力，從而拍攝快速移動物體時能夠更加從容，有效減少拍攝時所產(chǎn)生的焦平面失真現(xiàn)象，使得抓拍、慢動作都會更加
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