cmos finfet 文章 進(jìn)入cmos finfet技術(shù)社區(qū)
海力士將于5月決定8寸晶圓廠未來
- 海力士(Hynix)唯一還在運(yùn)作中的8寸晶圓廠M8產(chǎn)線,下周將確定往后的運(yùn)用方案,海力士的選擇受到業(yè)界矚目。海力士正在尋找解決辦法,因?yàn)槌掷m(xù)運(yùn)作,早晚會(huì)遭遇收益性問題,而要以出銷方式處理也不是件容易的事情。部分IC設(shè)計(jì)業(yè)者提議將此設(shè)施作為代工專用廠使用,另外也有建構(gòu)成韓國(guó)代表性純代工廠的意見。 海力士社長(zhǎng)權(quán)五哲22日在財(cái)報(bào)說明會(huì)中,針對(duì)M8 廠是否會(huì)改變?yōu)榇S脧S的問題表示,目前正在多方探討M8廠長(zhǎng)期性的活用方案,5月底前可定案。 位于韓國(guó)忠清北道清州的M8廠主要生產(chǎn)低容量快閃存儲(chǔ)器,并
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CMOS圖像傳感器IBIS5-B-1300的驅(qū)動(dòng)時(shí)序設(shè)計(jì)
- 介紹Cypress公司的圖像傳感器IBIS5-B-1300,分析其特性和工作原理,并對(duì)其兩種快門方式進(jìn)行了比較。在此基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)它所需要的時(shí)序控制電路。選用Xilinx公司的Spartan3系列FPGA芯片XC3S50作為硬件設(shè)計(jì)平臺(tái),對(duì)采用不同配置和快門的時(shí)序控制電路進(jìn)行了仿真。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,設(shè)計(jì)的驅(qū)動(dòng)電路能夠滿足成像器的工作需求。
- 關(guān)鍵字: 時(shí)序 設(shè)計(jì) 驅(qū)動(dòng) IBIS5-B-1300 圖像 傳感器 CMOS 數(shù)字信號(hào)
全球最大容量 爾必達(dá)4Gb DDR3顆粒開發(fā)完成
- 日本DRAM大廠爾必達(dá)今天宣布,已經(jīng)成功開發(fā)出4Gbit容量DDR3內(nèi)存顆粒。這是目前市場(chǎng)上DDR3顆粒的最大容量,只需單面8顆即可組成 4GB容量?jī)?nèi)存條,雙面16顆即可構(gòu)成單條8GB內(nèi)存。該顆粒使用40nm CMOS工藝制造,相比同工藝的2Gb顆??晒?jié)能30%。支持x4、x8、x16 bit位寬,其中x4/x8位寬版本采用78-ball FBGA封裝,x16bit產(chǎn)品采用96-ball FBGA封裝。除DDR3標(biāo)準(zhǔn)的1.5V電壓外,還可支持1.35V低壓標(biāo)準(zhǔn)。 爾必達(dá)計(jì)劃將該顆粒使用在單條32
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臺(tái)積電讓大家感到驚奇的7件事
- 象過去多年來一樣, 在今年的會(huì)上臺(tái)積電也爆出讓人感到驚奇的新工藝技術(shù)。它的新工藝路線圖, 包括CMOS,Analog,MEMS,RF等領(lǐng)域。以下是在一天的會(huì)中對(duì)于會(huì)議的觀察及感受; 1,Morris張去年79歲高令重新執(zhí)掌臺(tái)積電, 那時(shí)正值全球IC業(yè)混亂時(shí)代, 它又重新?lián)P帆啟航。但是在此次會(huì)上見到張時(shí)仍是如1990年首次見到它時(shí)那樣精力充沛而健談。更重要的是在公司經(jīng)歷40nm的風(fēng)波后,它似乎為客戶重塑了信心及在它的掌舵下公司又重新采取積極的投資, 研發(fā)與招工策略, 張認(rèn)為至今年底公司將從今日的2
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張忠謀談半導(dǎo)體業(yè) 需要加強(qiáng)合作
- 臺(tái)積電總裁張忠謀認(rèn)為,雖然近期IC業(yè)的形勢(shì)越來越好, 但是產(chǎn)業(yè)還是面臨諸多挑戰(zhàn)。 在近期舉行的臺(tái)積電技術(shù)會(huì)上張忠謀表示,摩爾定律正在減緩和芯片制造成本越來越高,因此臺(tái)積電將比過去在芯片制造商與代工之間更加加強(qiáng)緊密合作。 它對(duì)于大家說,此種合作關(guān)系要從芯片設(shè)計(jì)開始, 并相信未來臺(tái)積電會(huì)做得更好。 它同時(shí)指出,加強(qiáng)合作要依技術(shù)為先。從技術(shù)層面, 那些老的,包括新的代工競(jìng)爭(zhēng)者, 如GlobalFoundries,Samsung及UMC,對(duì)于臺(tái)積電都能構(gòu)成大的威脅。 非常幸運(yùn), 大部分
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低功耗高轉(zhuǎn)換速率CMOS模擬緩沖器
- 提出了減小輸入電容的軌到軌電壓緩沖器。軌到軌操作不僅在電路的輸出端,同樣在電路的輸入端實(shí)現(xiàn)。所介紹電路的AB特性導(dǎo)致了低功耗和高的轉(zhuǎn)換速率,使它很適合驅(qū)動(dòng)大的電容負(fù)載。仿真結(jié)果已經(jīng)提供了該電路的操作。
- 關(guān)鍵字: CMOS 低功耗 轉(zhuǎn)換速率 模擬
基于3GHz CMOS低噪聲放大器優(yōu)化設(shè)計(jì)
- 摘 要: 基于0.18 μm CMOS工藝,采用共源共柵源極負(fù)反饋結(jié)構(gòu),設(shè)計(jì)了一種3 GHz低噪聲放大器電路。從阻抗匹配及噪聲優(yōu)化的角度分析了電路的性能,提出了相應(yīng)的優(yōu)化設(shè)計(jì)方法。仿真結(jié)果表明,該放大器具有良好的性能
- 關(guān)鍵字: 3GHz CMOS 低噪聲放大器 優(yōu)化設(shè)計(jì)
淺析:視頻監(jiān)控相關(guān)技術(shù)發(fā)展與市場(chǎng)動(dòng)向
- 最早的視頻監(jiān)控系統(tǒng)是全模擬的視頻監(jiān)控系統(tǒng),也稱閉路電視監(jiān)控系統(tǒng)(CCTV)。圖像信息采用視頻電纜,以模擬方式傳...
- 關(guān)鍵字: 數(shù)字 網(wǎng)絡(luò) 視頻監(jiān)控 CMOS 圖像 傳感器 智能 芯片
DSP內(nèi)嵌PLL中的CMOS壓控環(huán)形振蕩器設(shè)計(jì)
- DSP內(nèi)嵌PLL中的CMOS壓控環(huán)形振蕩器設(shè)計(jì),本文設(shè)計(jì)了一種應(yīng)用于DSP內(nèi)嵌鎖相環(huán)的低功耗、高線性CM0S壓控環(huán)形振蕩器。電路采用四級(jí)延遲單元能方便的獲得正交輸出時(shí)鐘,每級(jí)采用RS觸發(fā)結(jié)構(gòu)來產(chǎn)生差分輸出信號(hào),在有效降低靜態(tài)功耗的同時(shí).具有較好的抗噪聲能力。在延遲單元的設(shè)計(jì)時(shí)。綜合考慮了電壓控制的頻率范圍以及調(diào)節(jié)線性度,選擇了合適的翻轉(zhuǎn)點(diǎn)。 仿真結(jié)果表明.電路叮實(shí)現(xiàn)2MHz至90MHz的頻率調(diào)節(jié)范圍,在中心頻率附近具有很高的調(diào)節(jié)線性度,可完全滿足DSP芯片時(shí)鐘系統(tǒng)的要求。
- 關(guān)鍵字: 振蕩器 設(shè)計(jì) 環(huán)形 CMOS 內(nèi)嵌 PLL DSP
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