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中芯國際將45納米工藝技術(shù)延伸至40納米以及55納米

  • 　　中芯國際今天宣布其45納米的互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 技術(shù)將延伸至40納米以及55納米。 　　這些新工藝技術(shù)進(jìn)一步豐富了中芯國際現(xiàn)有的技術(shù)能力，更好地滿足全球客戶的需求，包括快速增長的中國市場在內(nèi)。其應(yīng)用產(chǎn)品包括多媒體產(chǎn)品、圖形芯片、芯片組以及手機(jī)設(shè)備(如3G/4G 手機(jī))。 　　“中芯國際上海的12英寸廠已提前達(dá)標(biāo)完成了45納米的技術(shù)工藝。我們也同樣期盼著這些附加的延伸技術(shù)能取得佳績。”張汝京博士 -- 中芯國際總裁兼首席執(zhí)行長表示，“這些新技術(shù)為
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安森美推出0.18微米CMOS工藝技術(shù)

  • 　　全球領(lǐng)先的高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴(kuò)展定制晶圓代工能力，推出新的具價(jià)格競爭力、符合業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的0.18微米(µm) CMOS工藝技術(shù)。 　　這ONC18工藝是開發(fā)低功率及高集成度數(shù)字及混合信號專用集成電路(ASIC)的極佳平臺，用于汽車、工業(yè)及醫(yī)療應(yīng)用?；贠NC18工藝的方案將在安森美半導(dǎo)體位于美國俄勒岡州Gresham的8英寸晶圓制造廠制造，因此，預(yù)期對于尋求遵從國際武器貿(mào)易規(guī)章(ITAR)的合作伙伴、在美國國內(nèi)生產(chǎn)的美國軍事應(yīng)用設(shè)計(jì)人
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諾貝爾獎當(dāng)之無愧，CCD傳感器已無處不在

  • 　　1969年，貝爾實(shí)驗(yàn)室(Bell Laboratories)的科學(xué)家Willard S. Boyle和George E. Smith發(fā)明了第一個(gè)成功的數(shù)字影像傳感器技術(shù)：電荷耦合組件(CCD)。40年后，隨著影像傳感器逐漸發(fā)展成為一個(gè)年出貨量達(dá)13億顆的龐大市場，這兩位技術(shù)先鋒也在2009年獲頒諾貝爾物理獎，以表揚(yáng)他們在數(shù)字成像領(lǐng)域的貢獻(xiàn)。 　　“影像傳感器技術(shù)對世界和整個(gè)社會帶來了巨大且深遠(yuǎn)的影響，”iSuppli分析師Pamela Tufegdzic說。“影像
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采用0.18micro;m CMOS設(shè)計(jì)用于2.5Gb/s收發(fā)器系統(tǒng)

  • 本文采用0.18µm CMOS工藝設(shè)計(jì)了用于2.5Gb/s收發(fā)器系統(tǒng)的16:1復(fù)用器電路。該電路采用數(shù)?；旌系姆椒ㄟM(jìn)行設(shè)計(jì)，第一級用數(shù)字電路實(shí)現(xiàn)16:4的復(fù)用，第二級用模擬電路實(shí)現(xiàn)4:1的復(fù)用，從而實(shí)現(xiàn)16:1的復(fù)用器。該電路采用SMIC 0.18µm工藝模型，使用Virtuoso AMS Simulator 工具進(jìn)行了仿真。仿真結(jié)果表明，當(dāng)電源電壓為1.8V，溫度范圍為0～70℃時(shí)，電路可以工作在2.5b/s，功耗約為6mW。
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臺積電與AMCC結(jié)盟 取得嵌入式微處理器訂單

  • 　　臺積電宣布與AMCC(應(yīng)用微電路;Applied Micro Circuits Corporation;AMCC-US)結(jié)盟，AMCC的Power Architecture嵌入式微處理器將以臺積電90奈米CMOS制程生產(chǎn)，未來將進(jìn)一步推進(jìn)到65奈米及40奈米制程。這意味著臺積電在 CPU代工領(lǐng)域再下一城。 　　AMCC為全球能源及通訊解決方案商，臺積電表示，這次雙方的合作，是AMCC Power Architecture嵌入式微處理器首次采用非SOI制程技術(shù)，受惠于臺積電成熟的bulk CMOS技術(shù)
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一種新型CMOS圖像傳感器的設(shè)計(jì)

  • 為了提高CMOS圖像傳感器的圖像質(zhì)量，通過對圖像主要的噪聲源以及圖像失真的分析，提出一種新型的CMOS有源像素圖像傳感器。該CMOS圖像傳感器使用4T有源像素，大大提高了圖像傳感器的靈敏度。通過在傳感器中集成圖像預(yù)處理功能，對改善圖像的質(zhì)量起到了很好的效果。
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華虹NEC 0.162微米CIS工藝成功進(jìn)入量產(chǎn)

  • 　　世界領(lǐng)先的純晶圓代工廠之一，上海華虹NEC電子有限公司(以下簡稱“華虹NEC”)日前宣布成功開發(fā)了0.162微米CMOS 圖像傳感器 (CIS162) 工藝技術(shù)，已進(jìn)入量產(chǎn)階段。 　　華虹NEC和關(guān)鍵客戶合作共同開發(fā)的CIS162工藝是基于標(biāo)準(zhǔn)0.162微米純邏輯工藝，1.8V的核心器件，3.3V的輸入輸出電路。經(jīng)過精細(xì)調(diào)整集成了4個(gè)功能晶體管和光電二極管(photo diode) 的像素單元可以提供超低的漏電和高清優(yōu)質(zhì)的圖像。而特別處理的后端布線工藝保證了像素區(qū)高敏感性，可
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CMOS射頻接收機(jī)系統(tǒng)與電路

  • CMOS技術(shù)作為設(shè)計(jì)射頻接收機(jī)電路的一種主要技術(shù)，正在得到廣泛研究。本文首先總結(jié)了當(dāng)前射頻接收機(jī)的幾種常用結(jié)構(gòu)和主要的工作特性、參數(shù)，然后介紹了三種最新的不同結(jié)構(gòu)形式的CMOS射頻前端電路。
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基于CMOS圖像傳感器的納型衛(wèi)星遙感系統(tǒng)設(shè)計(jì)

  • 為滿足納型衛(wèi)星的遙感系統(tǒng)要求, 設(shè)計(jì)了一套基于互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體CMOS 圖像傳感器的納型衛(wèi)星遙感系統(tǒng), 采用PC 機(jī)模擬星上數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)的功能, 通過控制器局域網(wǎng)CAN總線實(shí)現(xiàn)了對CMOS 相機(jī)的控制和圖像傳輸?shù)裙δ堋Ｍㄟ^熱循環(huán)實(shí)驗(yàn), 得到了該CMOS 相機(jī)平均暗輸出和暗不一致性隨溫度的變化曲線, 預(yù)測其適于在10～25 ℃的空間溫度環(huán)境中工作, 并可經(jīng)受- 25～60 ℃的衛(wèi)星艙內(nèi)溫度變化。
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DALSA與IBM等多方合作 創(chuàng)立新微電子創(chuàng)新中心

  • 　　日前，由謝布克大學(xué)、加拿大魁北克政府以及IBM(加拿大)和DALSA公司攜手成立的新微電子創(chuàng)新中心在加拿大魁北克Bromont高科技園區(qū)正式落成。該研究中心將對下一代硅片集成以及MEMS系統(tǒng)進(jìn)行深入研究與開發(fā)。 　　新的微電子創(chuàng)新中心對于DALSA未來的發(fā)展尤為關(guān)鍵，尤其是在MEMS與WLP相關(guān)設(shè)備的安裝和未來操作職責(zé)上擔(dān)負(fù)主要角色。 　　Dalsa是一家MEMS、高壓CMOS和先進(jìn)CCD制造代工廠。
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2009年全球圖像傳感器市場規(guī)模預(yù)測

  • 　　市場研究機(jī)構(gòu)StrategiesUnlimited指出，全球圖像傳感器市場將在09年縮水11%，來到64億美元規(guī)模，不過接下來將逐漸恢復(fù)正常成長。該機(jī)構(gòu)預(yù)期，未來數(shù)年該市場的平均年成長率會維持在個(gè)位數(shù);到09年為止，其十年來的復(fù)合年成長率高達(dá)22%。 　　圖像傳感器市場在2009年的衰退主要是受到全球經(jīng)濟(jì)景氣循環(huán)影響，而這樣的負(fù)面影響恐怕會持續(xù)下去，特別是在該市場因?yàn)閹缀跛惺謾C(jī)都內(nèi)建相機(jī)而經(jīng)歷爆炸性成長之后。未來幾年，預(yù)計(jì)圖像傳感器的銷售量仍將呈現(xiàn)成長，但短期需求波動、供應(yīng)過?；虺跃o，以及沉重的價(jià)
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基于0.13μm CMOS工藝的快速穩(wěn)定的高增益Telescop

  • 近年來，軟件無線電(Software Radio)的技術(shù)受到廣泛的關(guān)注。理想的軟件無線電臺要求對天線接收的模擬信號經(jīng)過放大后直接采樣，但是由于通常射頻頻率(GHz頻段)過高，技術(shù)上所限難以實(shí)現(xiàn)，而多采用中頻采樣的方法。而對
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高性能CMOS集成電壓比較器設(shè)計(jì)


  • 電壓比較器是對輸入信號進(jìn)行鑒幅與比較的電路，其功能是比較一個(gè)模擬信號和另一個(gè)模擬信號(參考信號)，并以輸出比較得到的二進(jìn)制信號。其在A／D轉(zhuǎn)換器、數(shù)據(jù)傳輸器、切換功率調(diào)節(jié)器等設(shè)備中有著廣泛的應(yīng)用。在
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耶魯大學(xué)與SRC公司聯(lián)合開發(fā)下一代內(nèi)存芯片技術(shù)FeDRAM

  • 　　SRC公司與耶魯大學(xué)的研究者們周二宣布發(fā)明了一種能顯著提高內(nèi)存芯片性能的新技術(shù)。這項(xiàng)技術(shù)使用鐵電體層來替換傳統(tǒng)內(nèi)存芯片中的電容結(jié)構(gòu)作為基本的存儲 單元，科學(xué)家們將這種內(nèi)存稱為鐵電體內(nèi)存(FeDRAM),這種內(nèi)存芯片的存儲單元將采用與CMOS微晶體管類似的結(jié)構(gòu)，不過其門極采用鐵電體材料而不是傳統(tǒng)的電介質(zhì)材料制作。 　　這種技術(shù)能使存儲單元的體積更小，信息的保存時(shí)間比傳統(tǒng)方式多1000倍左右，刷新的時(shí)間間隔可以更大，因此耗電量也更小，還可以像閃存芯片中那樣在一個(gè)存儲單元中存儲多位數(shù)據(jù)。此外，有關(guān)的制
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CMOS圖像傳感器集成A/D轉(zhuǎn)換器技術(shù)的研究

  • 片上集成A/D轉(zhuǎn)換器是CMOS圖像傳感器的關(guān)鍵部件，文章分析和比較了三類不同集成方式：芯片級，列級和象素級的原理，性能和特點(diǎn)。最后，展望了CMOS圖像傳感器上集成A/D轉(zhuǎn)換器的未來發(fā)展趨勢。
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