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飛思卡爾傳感器裝運(yùn)量突破10億

  • 　　新聞事件： 　　飛思卡爾半導(dǎo)體傳感器裝運(yùn)量突破10億只 　　行業(yè)影響： 　　飛思卡爾在業(yè)內(nèi)商用汽車傳感器供應(yīng)商中排名第一 　　代表了飛思卡爾與客戶的一個重要里程碑 　　飛思卡爾半導(dǎo)體提供的傳感器技術(shù)創(chuàng)新，幫助全球客戶過去三十年在汽車、消費(fèi)、工業(yè)和醫(yī)療產(chǎn)品上實(shí)現(xiàn)重大變化。飛思卡爾一直在傳感器領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位，最近其傳感器裝運(yùn)量突破10億只，取得重要里程碑。 　　飛思卡爾提供行業(yè)內(nèi)范圍最廣的傳感器產(chǎn)品系列，在成熟的傳感器市場中擁有強(qiáng)勁的發(fā)展趨勢，該市場涵
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展現(xiàn)深耕決心 中芯提升MEMS為獨(dú)立部門

  • 　　繼臺積電上周于技術(shù)論壇中廣發(fā)MEMS英雄帖后，中芯MEMS部門升格為獨(dú)立部門，以展現(xiàn)深耕MEMS市場決心。中芯表示，踏入此市場僅約1年，但預(yù)計2009年底前，已有3項(xiàng)商品已可進(jìn)入大量投產(chǎn)，而市場上每項(xiàng)MEMS產(chǎn)品，中芯至少都有1個客戶，因此對中芯來說，MEMS成長潛力值得期待。 　　臺積電于上周舉辦技術(shù)論壇中對于MEMS市場相當(dāng)看好，指出進(jìn)入MEMS市場到現(xiàn)在為止已有7年，當(dāng)中已累計出多項(xiàng)制程及IP技術(shù)，除此之外，臺積電更已可提供標(biāo)準(zhǔn)制程(StandardProcess)，讓MEMS客戶可安心至臺積
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MEMS市場繼續(xù)增長機(jī)會多

  • 　　按Yole Developpement報道,全球MEMS工業(yè)正面臨之前從未有過的停滯,2008年的銷售額下降2%,達(dá)68億美元,其2009年非?？赡茉鲩L率小于1%。然而當(dāng)汽車電子,工業(yè)壓力傳感器及打印頭市場隨著全球經(jīng)濟(jì)下滑時,許多新的MEMS應(yīng)用卻得到切實(shí)的增長。 　　MEMS在消費(fèi)類電子產(chǎn)品中,如加速度計,陀螺儀的市場繼續(xù)看好,推動供應(yīng)商如STMicron(日內(nèi)瓦),Invensense(加州桑尼威爾),其銷售額有10-30%增長。隨著MEMS在醫(yī)療電子和診斷設(shè)備的應(yīng)用擴(kuò)大,其市場繼續(xù)增大。今年新
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臺積電MEMS苦練7年　2010年進(jìn)入收成期

  • 　　臺積電在MEMS領(lǐng)域歷經(jīng)7年苦練后，與客戶關(guān)系由接受指導(dǎo)，轉(zhuǎn)變成共同合作開發(fā)，臺積電主流技術(shù)事業(yè)發(fā)展處處長劉信生自信表示，臺積電MEMS將迎頭趕上國際IDM廠商腳步，相信2010年臺積電MEMS將進(jìn)入收成期。 　　劉信生在出席臺積電技術(shù)研討會時指出，臺積電在MEMS上布局已有7年左右，經(jīng)過幾年努力，相信已可迎頭趕上IDM大廠。臺積電現(xiàn)已能提供多種標(biāo)準(zhǔn)制程模塊(Process Module)供客戶使用，包含蝕刻模塊、掏空模塊等，MEMS客戶至臺積電投產(chǎn)，僅需針對MEMS產(chǎn)品內(nèi)部架構(gòu)設(shè)計，其余交給臺積電
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臺積電搶進(jìn)電源IC 市場潛力160億美元

  • 　　不僅擴(kuò)充先進(jìn)制程研發(fā)、產(chǎn)能，臺積電主流制程技術(shù)也將積極搶攻整合組件廠(IDM)的電源管理IC市場，臺積電主流技術(shù)事業(yè)發(fā)展處長劉信生表示，目前臺積電在電源管理IC約150億~160億美元市場市占率約個位數(shù)，絕大部分市場由IDM業(yè)者把持，不過未來他看好IDM業(yè)者產(chǎn)能不足情況下轉(zhuǎn)單到晶圓代工的可能性，同時也將全力扶持臺灣IC設(shè)計客戶搶進(jìn)此一市場。 　　劉信生表示，在電源管理市場規(guī)模約150億~160億美元中，幾近8~9成是由IDM業(yè)者所把持，目前臺積電不論在設(shè)計環(huán)境與制程平臺上都已做足準(zhǔn)備，積極搶攻此市場
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一種基于真隨機(jī)數(shù)發(fā)生器的擴(kuò)展頻譜CMOS振蕩器的設(shè)

  • 采用恒流源充放電技術(shù)，以比較器為核心，利用一種新型真隨機(jī)數(shù)發(fā)生器產(chǎn)生隨機(jī)控制信號，設(shè)計一種基于0.5μm CMOS工藝的擴(kuò)展頻譜振蕩器，振蕩頻率在1～1.6 MHz的范圍內(nèi)。通過Cadence spectre仿真工具對電路進(jìn)行仿真驗(yàn)證，結(jié)果表明，該方案能夠在1～1.6 MHz的范圍內(nèi)產(chǎn)生隨機(jī)振蕩信號。該振蕩器可以用于改善DC／DC轉(zhuǎn)換器的噪聲性能。
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基于攝像頭的賽道信息處理和控制策略實(shí)現(xiàn)

  • 　　在去年的Freescale全國大學(xué)生智能車大賽中，賽道信息檢測方案總體上有兩大類：光電傳感器方案和攝像頭方案。前者電路設(shè)計簡單、信息檢測頻率高，但檢測范圍、精度有限且能耗較大;后者獲取的賽道信息豐富，但電路設(shè)計和軟件處理較復(fù)雜，且信息更新速度較慢。在比較了兩種方案的特點(diǎn)并實(shí)際測試后，我們選擇了攝像頭方案。本文將在獲得攝像頭采集數(shù)據(jù)的前提下，討論如何對數(shù)據(jù)進(jìn)行處理和控制策略的實(shí)現(xiàn)。 　　數(shù)據(jù)采集 　　我們選擇了一款1/3?OmniVision?CMOS攝像頭，用LM1881進(jìn)行信號分離，結(jié)合AD采樣
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韓國半導(dǎo)體代工廠MagnaChip已申請破產(chǎn)保護(hù)

  • 　　Thomson Reuters12日報導(dǎo)，法院相關(guān)文件顯示，南韓CMOS影像傳感器廠商MagnaChipSemiconductor Ltd.以及旗下5家子公司已于美國德拉瓦(Delaware)州地方法院依據(jù)破產(chǎn)法第11章聲請破產(chǎn)保護(hù)。根據(jù)報導(dǎo)，MagnaChip列出的資產(chǎn)總額達(dá)5,000萬美元，負(fù)債則超過10億美元。 　　2004年10月自Hynix獨(dú)立出來的MagnaChip總部設(shè)于南韓首爾。Magnachip為模擬及先進(jìn)混合信號制程的專業(yè)半導(dǎo)體代工廠商，且為力旺于韓國首位取得合作的半導(dǎo)體代工策略
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NEC和東芝將擴(kuò)展與IBM的芯片技術(shù)協(xié)議

  • 　　NEC電子公司(NEC Electronics Corp.)和東芝公司(Toshiba Corp.)同意擴(kuò)展與IBM Corp.的研發(fā)協(xié)議，允許聯(lián)合開發(fā)使用于消費(fèi)者產(chǎn)品的28 納米半導(dǎo)體技術(shù)。 　　這三家公司18日表示，兩家日本公司將與IBM一起開發(fā)28納米互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS)技術(shù)。在IBM紐約州East Fishkill的工廠，該團(tuán)隊(duì)還將包括Infineon Technologies和三星電子公司(Samsung Electronics Co.)。 　　東芝公司2007年12月加
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高性能小型化成霍爾傳感器未來發(fā)展方向

  • 　　霍爾傳感器是一種基于霍爾效應(yīng)的器件，它能實(shí)現(xiàn)磁電轉(zhuǎn)換，可用于檢測磁場及其變化。 　　霍爾效應(yīng)雖然在1879年才被發(fā)現(xiàn)，但是直到20世紀(jì)50年代才出現(xiàn)了對其的應(yīng)用，然而器件成本很高。1965年，人們開始將霍爾傳感器集成進(jìn)硅芯片中，從而促進(jìn)了霍爾器件的應(yīng)用。 　　經(jīng)歷三大發(fā)展階段 　　霍爾器件的發(fā)展大致可分為三個階段： 　　第一階段是從霍爾效應(yīng)被發(fā)現(xiàn)到20世紀(jì)40年代前期。最初由于金屬材料中的電子濃度很大,霍爾效應(yīng)十分微弱而沒有引起人們的重視。到了1910年，有人用金屬鉍制成霍爾元件作為磁場傳感器
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市場前景看好NXP潛心相變存儲器技術(shù)

  • 　　NXP公司，前身為飛利浦公司的芯片部門，正在研究專有的相變存儲器(PCM)，該公司的首席技術(shù)官Rene Penning de Vries表示該技術(shù)將十分“有希望”。 　　他表示，“我們已經(jīng)看到了很好性能。下一個問題是是否繼續(xù)生產(chǎn)。”他還補(bǔ)充道，這一決議還未作出。PCM的關(guān)鍵優(yōu)勢在于可以在斷電時也能保存數(shù)據(jù)，作為當(dāng)前環(huán)保節(jié)能戰(zhàn)略的積極響應(yīng)，因此前景十分看好。預(yù)計PCM的性能要好于閃存，并且其幾何尺寸也要比閃存小。 　　Penning de Vries在
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中國MEMS市場前景樂觀 汽車電子領(lǐng)域發(fā)展最快

  • 　　2008年，在國際金融危機(jī)的影響下，中國網(wǎng)絡(luò)與通信類電子整機(jī)、計算機(jī)類電子整機(jī)、消費(fèi)類電子整機(jī)產(chǎn)量以及汽車電子增速明顯下降，這也直接導(dǎo)致MEMS加速度計、MEMS壓力計、DMD(數(shù)字微鏡元件)、噴墨打印頭、硅麥克風(fēng)等產(chǎn)品需求量快速下滑。2008年，中國MEMS市場規(guī)模達(dá)110.6億元，同比增長21.9%，較2007年，市場增速下降接近20個百分點(diǎn)。 　　MEMS市場前景樂觀 　　2008年，中國MEMS市場增速大幅回落。然而，作為半導(dǎo)體領(lǐng)域最為前沿的產(chǎn)品領(lǐng)域之一，未來，MEMS新型顯示器、MEMS
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正電壓型電壓穩(wěn)壓器S-1137系列（SII）

  • 　　S-1137系列是使用CMOS技術(shù)開發(fā)的低壓差、高精度輸出電壓、備有軟啟動功能、輸出電流為300 mA的正電壓型電壓穩(wěn)壓器。 可使用1.0 µF的小型陶瓷電容器，也可以在低消耗電流(消耗電流為45 µA典型值)的條件下工作。 為了使負(fù)載電流不超過輸出晶體管的電流容量，內(nèi)置了過載電流保護(hù)電路。 此外，還能通過電源開/關(guān)控制電路來延長電池的使用壽命。 和以往采用CMOS工藝的電壓穩(wěn)壓器相比，可使用的電容器種類較多，還可以使用小型的陶瓷電容器。 因能采用小型的SOT-89-5, SO
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ST攜手Soitec開發(fā)新一代CMOS圖像感測器技術(shù)

  • 　　全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司和全球 CMOS 影像技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)商意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics)(STM) 和世界領(lǐng)先的工程基板供應(yīng)商 Soitec今天公布了兩家公司之間一項(xiàng)獨(dú)家合作，以便於為消費(fèi)電子產(chǎn)品的新一代圖像感測器開發(fā) 300mm 晶圓級背面照度 (BSI) 技術(shù)。 　　當(dāng)今最先進(jìn)的圖像感測器的解析度正不斷提高，而特別是在消費(fèi)市場，總體減少相機(jī)模組占用空間的需求很高。這意味著必須開發(fā)更小的單個圖元尺寸，同時保持圖元靈敏度以便產(chǎn)生高品質(zhì)的圖像。在開發(fā)新一代圖像感測器時，背面照度是一項(xiàng)能
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先進(jìn)FPGA有助于信息包處理

  •       初創(chuàng)公司Cswitch推出一種瞄準(zhǔn)網(wǎng)絡(luò)、無線基站和電信基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用等信息包處理的新穎的可配置邏輯芯片。該器件由異質(zhì)陣列組成，這一陣列將一排排通用邏輯單元（與傳統(tǒng)FPGA中的非常類似）跟一排排可配置SRAM的RAM和CAM（內(nèi)容地址存儲器）模塊、ALU（算術(shù)邏輯單元）和專門用于信息包處理的模塊散布在一起。Cswitch公司總裁兼首席執(zhí)行官Doug Laird表示，其目的是滿足日益增長的如下應(yīng)用：這類應(yīng)用必須以線速處理打包數(shù)據(jù)，而且要使用比傳統(tǒng)FP
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