cmos finfet 文章進(jìn)入cmos finfet技術(shù)社區(qū)

用于各類攝像應(yīng)用的高速CMOS圖像傳感器

在廣闊的市場上，高速CMOS圖像傳感器有幾種類型，即通用用途、高端或定制的高速攝像機(jī)。這些攝像機(jī)用于科學(xué)研究，撞擊測試，高速掃描，機(jī)器視覺和軍事研究等，所有用途中都要求高幀率運(yùn)動(dòng)捕獲。
關(guān)鍵字： CMOS 圖像傳感器高速應(yīng)用各類攝像用于

集成光電智能探測器SOC研究

　　1 序言　　本文所討論的智能探測器，是一種集成的半導(dǎo)體光電探測器。它與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體光敏器件相比，最為明顯的特點(diǎn)是系統(tǒng)集成，即將硅光電二極管與信號(hào)的放大、處理電路及輸出電路集成在一個(gè)芯片上，使得整個(gè)系統(tǒng)的可靠性明顯提高，體積大大減小，功耗和噪聲也大幅度減小，在批量生產(chǎn)的前提下，成本也較為低廉。它的另一個(gè)特點(diǎn)是技術(shù)含量較高，表現(xiàn)在：第一，需要設(shè)計(jì)一套CMOS兼容集成工藝流程，使它既能制造出合乎要求的光電二極管又能制造出CMOS模擬和數(shù)字電路。第二，工藝要求高。因?yàn)楣怆姸O管陣列和外圍讀
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EUV掩膜版清洗—Intel的解決之道

　　對(duì)于極紫外（EUV）光刻技術(shù)而言，掩膜版相關(guān)的一系列問題是其發(fā)展道路上必須跨越的鴻溝，而在這些之中又以如何解決掩膜版表面多層抗反射膜的污染問題最為關(guān)鍵。自然界中普遍存在的碳和氧元素對(duì)于EUV光線具有極強(qiáng)的吸收能力。在Texas州Austin召開的表面預(yù)處理和清洗會(huì)議上，針對(duì)EUV掩膜版清洗方面遇到的問題和挑戰(zhàn)，Intel Corp. (Santa Clara, Calif.)的Ted Liang主持召開了一次內(nèi)部討論，并在會(huì)上向與會(huì)的同仁報(bào)告了在這一領(lǐng)域Intel和Dai Nippon Printin
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提高射頻功率放大器效率的技術(shù)路線及其比較

　　關(guān)鍵詞：射頻功率放大器, 無線通信, 射頻芯片制造工藝　　特約撰稿人：周智勇　　在向著4G手機(jī)發(fā)展的過程中，便攜式系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師將面臨的最大挑戰(zhàn)是支持現(xiàn)有的多種移動(dòng)通信標(biāo)準(zhǔn)，包括GSM、GPRS、EDGE、UMTS、WCDMA和HSDPA，與此同時(shí)，要要支持100Mb/s～1Gb/s的數(shù)據(jù)率以及支持OFDMA調(diào)制、支持MIMO天線技術(shù)，乃至支持VoWLAN的組網(wǎng)，因此，在射頻信號(hào)鏈設(shè)計(jì)的過程中，如何降低射頻功率放大器的功耗及提升效率成為了半導(dǎo)體行業(yè)的競爭焦點(diǎn)之一。目前行業(yè)發(fā)展呈現(xiàn)三條技
關(guān)鍵字： CMOS 手機(jī) 射頻功率放大器無線通信射頻芯片制造工藝

基于OV6630圖像傳感器和DSP的圖像采集系統(tǒng)設(shè)計(jì)

　　0 引言　　DSP是基于可編程超大規(guī)模集成電路和計(jì)算機(jī)技術(shù)發(fā)展起來的一門重要技術(shù)，DSP芯片的快速數(shù)據(jù)采集與處理功能以及片上集成的各種功能模塊為DSP應(yīng)用于各種場合提供了極大的方便。而CMOS圖像傳感器與CCD相比，由于CMOS圖像傳感器能將時(shí)序處理電路和圖像信號(hào)的前端放大與數(shù)字化部分集成于一個(gè)芯片內(nèi)，因而其發(fā)展一直受到業(yè)界的高度重視?，F(xiàn)在，隨著技術(shù)與工藝的發(fā)展，CMOS圖像傳感器不僅在噪聲上得到了有效改善，而且分辨率也得到了明顯提高。CMOS圖像傳感器將以其低廉的價(jià)格、實(shí)用的圖像質(zhì)量、高集成度
關(guān)鍵字： DSP 圖像傳感器圖像采集系統(tǒng) CMOS CCD

MEMS創(chuàng)新工藝解決微型MEMS的無縫互連挑戰(zhàn)

　　如果你正在尋求挑戰(zhàn)，那么就試試將微電機(jī)系統(tǒng)(MEMS)IC 和傳統(tǒng)IC 以及其它MEMS IC互連吧。MEMS 技術(shù)涉及到許多不同功能之間的高層集成。　　MEMS 芯片的集成通常是指電子和機(jī)械功能的集成。那么這種工藝的最終目標(biāo)是什么呢？答案是：將MEMS 結(jié)構(gòu)無縫集成到與之相連的同一CMOS 芯片上。　　目前的MEMS 芯片可能包含了電子和機(jī)械功能。在某些情況下，它們還可能包含光信號(hào)。這種被稱為微光電機(jī)系統(tǒng)(MOEMS)的器件采用微鏡引導(dǎo)高清電視中的信號(hào)，今后甚至?xí)龑?dǎo)互聯(lián)網(wǎng)上的信號(hào)。另外一種
關(guān)鍵字： MEMS 無縫互連 IC CMOS 微流體

機(jī)械式視覺系統(tǒng)及其子系統(tǒng)

　　機(jī)械式視覺系統(tǒng)將照像機(jī)、照明工具和軟件的功能結(jié)合在一起，用來捕獲和分析移動(dòng)的圖像，它與其它電子成像技術(shù)的差別在于：它與工業(yè)生產(chǎn)有著一些特殊的聯(lián)系。最近對(duì)機(jī)械式視覺系統(tǒng)的革新擴(kuò)展了它的多樣化應(yīng)用和市場之門，其關(guān)鍵問題在于滿足客戶日益增長的對(duì)高質(zhì)量的產(chǎn)品、更簡便操作的要求。　　現(xiàn)在的系統(tǒng)比以前更小、更加注重價(jià)格，而且是不需要太多知識(shí)的大眾化傻瓜系統(tǒng)。廠商知道，使用機(jī)械式視覺系統(tǒng)自動(dòng)化、高速的成像過程可以提高產(chǎn)品質(zhì)量，增加生產(chǎn)效率，減少浪費(fèi)。根據(jù)最新市場論證的結(jié)果，我們知道隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，機(jī)械式視覺
關(guān)鍵字：自動(dòng)化機(jī)械式視覺感應(yīng)器 CMOS

一種機(jī)器人視覺系統(tǒng)模塊的設(shè)計(jì)

　　一、概述　　視覺技術(shù)是近幾十年來發(fā)展的一門新興技術(shù)。機(jī)器視覺可以代替人類的視覺從事檢驗(yàn)、目標(biāo)跟蹤、機(jī)器人導(dǎo)向等方面的工作，特別是在那些需要重復(fù)、迅速的從圖象中獲取精確信息的場合。盡管在目前硬件和軟件技術(shù)條件下，機(jī)器視覺功能還處于初級(jí)水平，但其潛在的應(yīng)用價(jià)值引起了世界各國的高度重視，發(fā)達(dá)國家如美國、日本、德國、法國等都投入了大量的人力物力進(jìn)行研究，近年來已經(jīng)在機(jī)器視覺的某些方面獲得了突破性的進(jìn)展，機(jī)器視覺在車輛安全技術(shù)、自動(dòng)化技術(shù)等應(yīng)用中也越來越顯示出其重要價(jià)值。本文根據(jù)最新的CMOS圖像采集芯片設(shè)
關(guān)鍵字：機(jī)器人機(jī)器視覺 CMOS 圖像傳感器 FPGA

低電壓高精度低噪聲運(yùn)算放大器AD8656／AD8655及其應(yīng)用

　　0 引言　　AD8656／AD8655是一種電壓反饋、軌一軌輸入輸出的精密CMOS放大器。AD8656是AD8655的雙放大器版本，它們采用+2.7～+5.5 V低電源電壓供電，并具有很好的低噪聲性能，因此非常適用于各種工業(yè)、通信、消費(fèi)類和醫(yī)學(xué)設(shè)備。由于AD8656／AD8655采用了ADI公司的DigiTrim封裝內(nèi)數(shù)字微調(diào)技術(shù)，因此無需依靠系統(tǒng)調(diào)節(jié)便可達(dá)到高精度的要求。AD8656／AD8655具有低失真和快速建立時(shí)間等特性，能驅(qū)動(dòng)諸如AD7685這樣的高精度模數(shù)轉(zhuǎn)換器，以滿足工業(yè)和儀器儀表(
關(guān)鍵字：放大器低噪聲 CMOS D／A轉(zhuǎn)換器

Avago推出高速雙電源電壓數(shù)字光電耦合器

　　Avago Technologies(安華高科技)宣布進(jìn)一步擴(kuò)充高速雙電源電壓數(shù)字CMOS光電耦合器系列產(chǎn)品線，Avago的ACPL-W70L和ACPL-K73L數(shù)字CMOS延展型光電耦合器可以在3.3V和5V的雙電源電壓下工作，最低轉(zhuǎn)換速度為15MBd。此外，這些新光電耦合器產(chǎn)品還可以提供高達(dá)5kV的隔離電壓保護(hù)，同時(shí)達(dá)到最大55ns的更低傳播延遲以及最高25ns的波寬失真，并加入了無噪聲脈沖電源啟動(dòng)功能，這個(gè)功能可以在電源失效時(shí)輸出低電壓邏輯，并在電源回復(fù)后提供相當(dāng)于輸入電壓的邏輯輸出，ACPL-
關(guān)鍵字： Avago 光電耦合器 CMOS LED

基于TLC5510的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)設(shè)計(jì)

　　1 TLC5510簡介　　TLC5510是美國德州儀器(TI)公司的8位半閃速架構(gòu)A／D轉(zhuǎn)換器。采用CMOS工藝，大大減少比較器數(shù)。TLC5510最大可提供20 Ms／s的采樣率，可廣泛應(yīng)用于高速數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換、數(shù)字TV、醫(yī)學(xué)圖像、視頻會(huì)議以及QAM解調(diào)器等領(lǐng)域。TLC5510的工作電源為5 V，功耗為100 mW(典型值)。內(nèi)置采樣保持電路，可簡化外圍電路設(shè)計(jì)。TLC5510具有高阻抗并行接口和內(nèi)部基準(zhǔn)電阻，模擬輸入范圍為0.6 V～2.6 V。　　1.1 引腳功能描述　　TLC5510采用2
關(guān)鍵字：數(shù)據(jù)采集 CMOS A／D轉(zhuǎn)換器 FPGA

MagnaChip 推出VGA Bayer輸出CMOS圖像傳感器

　　MagnaChip推出用于電腦、筆記本和手機(jī)攝像頭應(yīng)用產(chǎn)品的 VGA 原裝拜耳 (Bayer) 輸出 CMOS 圖像傳感器 (MC502ER)。　　MC502ER支持 VGA (640Hx480V) 分辨率，并采用MagnaChip 的0.13微米 CMOS 接觸式圖像傳感器 (CIS) 工藝，來實(shí)現(xiàn)先進(jìn)的低噪點(diǎn)處理。該產(chǎn)品量子效率高、讀噪聲低，因此其信噪比 (SNR) 超過 15dB，性能要優(yōu)于目前市場上常見的傳感器。隨著該新型傳感器的推出，MagnaChip 增強(qiáng)了其產(chǎn)品組合，旨在滿足日益發(fā)展
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Broadcom推出Bluetooth? 2.1+EDR手機(jī)單芯片解決方案

　　Broadcom（博通）公司宣布推出下一代Bluetooth? 2.1+EDR單芯片解決方案。該方案除了在性能上有重大突破外，還具備更低功耗、更小芯片尺寸和更強(qiáng)的射頻性能。這款最新的單芯片系統(tǒng)（SoC）解決方案以先進(jìn)的65納米CMOS制造工藝設(shè)計(jì)，針對(duì)移動(dòng)電話的應(yīng)用。它具備Broadcom公司獨(dú)特的SmartAudio?語音和音頻增強(qiáng)技術(shù)，該技術(shù)以前只適用于無線耳機(jī)。而現(xiàn)在，手機(jī)制造商可利用它來改善電池使用壽命和語音質(zhì)量，提供消費(fèi)者更清晰更滿意的無線通訊體驗(yàn)。　　作為一項(xiàng)免提功
關(guān)鍵字： Broadcom 藍(lán)牙 EDR 手機(jī) 芯片 CMOS RF

ST公布導(dǎo)入經(jīng)認(rèn)證的設(shè)計(jì)流程,加快下一代半導(dǎo)體開發(fā)過程

　　微電子半導(dǎo)體解決方案全球領(lǐng)先廠商意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所代碼：STM）宣布，采用經(jīng)權(quán)威機(jī)構(gòu)認(rèn)證的電子系統(tǒng)級(jí)（ESL）系統(tǒng)芯片參考設(shè)計(jì)流程。　　在十多個(gè)采用新設(shè)計(jì)流程開發(fā)的專用集成電路（ASIC）成功定案后，顯示新設(shè)計(jì)流程較傳統(tǒng)方法提高生產(chǎn)率四到十倍，已經(jīng)在ST內(nèi)部推廣應(yīng)用，。此外，市場對(duì)整合數(shù)字信號(hào)和射頻/混合信號(hào)技術(shù)的完整系統(tǒng)級(jí)平臺(tái)的需求日益增長，ST的解決方案還能滿足消費(fèi)電子市場領(lǐng)先廠商的設(shè)計(jì)需求。ST的很多尖端產(chǎn)品都已利用這個(gè)參考設(shè)計(jì)流程開發(fā)，如200萬像素YUV CMOS 圖像傳感器和高
關(guān)鍵字： ST ESL 消費(fèi)電子 CMOS ASIC 安捷倫 ADS

基于0.18μm RF CMOS工藝的低相噪寬帶LC VCO設(shè)計(jì)

壓控振蕩器(VCO)是射頻集成電路(RF-ICs)中的關(guān)鍵模塊之一。近年來隨著無線通信技術(shù)的快速發(fā)展，射頻收發(fā)機(jī)也有了新的發(fā)展趨勢，即單個(gè)收發(fā)機(jī)要實(shí)現(xiàn)寬頻率多標(biāo)準(zhǔn)的覆蓋，例如用于移動(dòng)數(shù)字電視接收的調(diào)諧器一般要實(shí)現(xiàn)T-DMB、DMB-T等多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)，并能覆蓋VHF、UHF和LBAND等多個(gè)頻段。本文所介紹的VCO設(shè)計(jì)采用如圖1(a)所示的交叉耦合電感電容結(jié)構(gòu)，相對(duì)于其他結(jié)構(gòu)的VCO來說該結(jié)構(gòu)更加易于片上集成和實(shí)現(xiàn)低功耗設(shè)計(jì)，并且利用LC諧振回路的帶通濾波特性，能獲得更好的相位噪聲性能。
關(guān)鍵字：寬帶 LC VCO 設(shè)計(jì) 相噪工藝 0.18 RF CMOS 基于