首頁　 資訊　 商機(jī) 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> cmos+dps

一種應(yīng)用于D類音頻放大器的CMOS振蕩器的設(shè)計(jì)

  • 文中介紹了一種應(yīng)用于低D類音頻功放的CMOS振蕩器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，用于對音頻信號的調(diào)制。振蕩器采用內(nèi)部正反饋的遲滯比較器設(shè)計(jì)，大大降低了電源電壓和環(huán)境溫度時(shí)CMOS振蕩器振蕩頻率的影響。理論分析及仿真結(jié)果表明，此CMOS振蕩器具有較高的頻率穩(wěn)定性。
  • 關(guān)鍵字： CMOS  應(yīng)用于  D類音頻放大器  振蕩器    

紅海的取勝策略

  • 手機(jī)是典型的紅海市場，很多歐美公司因此放棄了此塊業(yè)務(wù)，轉(zhuǎn)向工業(yè)、個(gè)人科技等利潤較高的藍(lán)海領(lǐng)域。而手機(jī)卻是我國本土芯片廠商活躍的地帶。
  • 關(guān)鍵字： 格科  CMOS  201304  

手持式觸摸屏系統(tǒng)的低功耗設(shè)計(jì)

  • 摘要：觸摸屏在移動設(shè)備中越來越受歡迎。但觸摸屏消耗的平均電流可能很大，從而會導(dǎo)致系統(tǒng)電池的電量快速耗盡。本文將主要探討以下內(nèi)容：功耗的基礎(chǔ)知識、影響功耗的不同因素以及為需要提供強(qiáng)大性能同時(shí)節(jié)省電池使用壽命的器件設(shè)計(jì)低功耗觸摸屏系統(tǒng)。
  • 關(guān)鍵字： 觸摸屏  CMOS  CPU  201304  

2012年第四季度的緩解并未給半導(dǎo)體制造商帶來安慰

  • 　　盡管在第四季度出現(xiàn)了高于預(yù)期的增長，2012年對于半導(dǎo)體市場和供應(yīng)商來說仍然是慘淡的一年，前25家芯片制造商中僅有8家勉強(qiáng)維持收入增長——但是，9家芯片制造商遭受兩位數(shù)下滑。 　　根據(jù)信息及分析公司IHS(紐約證券交易所：IHS)的IHS iSuppli競爭格局分析工具(CLT)的最終結(jié)果，與2011年相比，2012年的全球半導(dǎo)體收入下滑了2.2%。IHS在12月份發(fā)布的初步預(yù)測報(bào)告中預(yù)計(jì)下降2.3%。最終結(jié)果的適度改善來自第四季度的同比增長，該增長稍微高于預(yù)期，最高實(shí)現(xiàn)了2
  • 關(guān)鍵字： LED  CMOS  

用先進(jìn)的負(fù)載點(diǎn)穩(wěn)壓器改善醫(yī)療成像質(zhì)量

  • 傳統(tǒng)模擬 X 射線成像系統(tǒng)以專門的感光膠片為介質(zhì)，將通過的 X 射線轉(zhuǎn)變成可視圖像。為了完成這一任務(wù)，該膠片必須經(jīng)過一種化學(xué)顯影過程，這個(gè)過程可能需要幾分鐘，因此推遲了開始對病人進(jìn)行治療的時(shí)間。此外，顯影過程完成以后，醫(yī)療團(tuán)隊(duì)可能會發(fā)現(xiàn)，由于 X 射線曝光不正確，該圖像需要重新攝取。
  • 關(guān)鍵字： 凌力爾特  穩(wěn)壓器  CMOS  

PIC單片機(jī)學(xué)習(xí)方法

  • 為了給前一段時(shí)間學(xué)習(xí)PIC16F616型單片機(jī)的一個(gè)總結(jié)和方便大家的交流,我寫了這篇關(guān)于PIC單片機(jī)的學(xué)習(xí)心得,都 ...
  • 關(guān)鍵字： PIC單片機(jī)  PIC16F616  CMOS  

一種采用CMOS 0．18μm制造的帶EBG結(jié)構(gòu)小型化的片

  • 采用標(biāo)準(zhǔn)0．18μm CMOS工藝設(shè)計(jì)制造了一種帶EBG(電磁帶隙)結(jié)構(gòu)的小型化片上天線。該片上天線由一根長1．6 nm的偶極子天線以及一對一維的尺寸為240μm×340μm EBG結(jié)構(gòu)構(gòu)成。分別對該EBG結(jié)構(gòu)以及片上天線的S11及S21進(jìn)行了仿真和測試，結(jié)果表明該片上天線工作在20CHz，具有小型化的性能，同時(shí)具備三次諧波抑制的功能。
  • 關(guān)鍵字： CMOS  EBG  制造  天線    

CCD對比CMOS傳感器優(yōu)劣之分淺析

  • CCD及CMOS在從事機(jī)器視覺或攝影等行業(yè)的朋友來說一點(diǎn)也不陌生，目前雖然在價(jià)格上CMOS更有優(yōu)勢并且在技術(shù)上的進(jìn)步也在穩(wěn)步推進(jìn)當(dāng)中，但CCD在一些重點(diǎn)領(lǐng)域中的應(yīng)用并不見減少。圖像傳感器有CCD和CMOS兩種，是機(jī)器視覺攝
  • 關(guān)鍵字： 優(yōu)劣  淺析  傳感器  CMOS  對比  CCD  

隔離技術(shù)與部件在醫(yī)療系統(tǒng)安全中的應(yīng)用

  • 醫(yī)療領(lǐng)域與其它領(lǐng)域的區(qū)別在于隔離要求。隔離在這些醫(yī)療系統(tǒng)中起到關(guān)鍵作用，它必須是強(qiáng)健和可靠的，并且僅需較少空間和成本。然而隨著技術(shù)的發(fā)展，更小、更可靠和高性能隔離器件出現(xiàn)了，如單封裝、多通道數(shù)字隔離器、AC電流感應(yīng)器和隔離柵驅(qū)動器。
  • 關(guān)鍵字： 隔離器  醫(yī)療系統(tǒng)  CMOS  

GF推出強(qiáng)化型55納米CMOS邏輯制程

  • 　　GLOBALFOUNDRIES今日宣布將公司的55納米(nm)低功耗強(qiáng)化型(LPe)制程技術(shù)平臺進(jìn)行了最新技術(shù)強(qiáng)化,推出具備ARM公司合格的下一代存儲器和邏輯IP解決方案的55nmLPe1V?！?5nmLPe1V”是業(yè)內(nèi)首個(gè)且唯一支持ARM1.0/1.2V物理IP庫的強(qiáng)化型制程節(jié)點(diǎn)，使芯片設(shè)計(jì)人員能夠在單一系統(tǒng)級芯片(SoC)中使用單一制程同時(shí)支持兩個(gè)工作電壓。 　　GLOBALFOUNDRIES產(chǎn)品營銷副總裁BruceKleinman表示：“‘55n
  • 關(guān)鍵字： GF  CMOS  

寬動態(tài)監(jiān)控?cái)z像機(jī)CCD/CMOS-DSP解析

  • 寬動態(tài)監(jiān)控?cái)z像機(jī)CCD/CMOS-DSP解析,寬動態(tài)攝像機(jī)到現(xiàn)在為止，究竟經(jīng)歷了幾代，沒能講得清楚。就技術(shù)而言，不算背光補(bǔ)償技術(shù)，寬動態(tài)現(xiàn)有二種重要實(shí)現(xiàn)方式：CCD+DSP技術(shù)和CMOS+DPS技術(shù)。CCD+DSP技術(shù)：DSP芯片是一種特殊的微處理器，根據(jù)數(shù)字信號處理理論
  • 關(guān)鍵字： 解析  CCD/CMOS-DSP  攝像機(jī)  監(jiān)控  動態(tài)  

GLOBALFOUNDRIES推出強(qiáng)化型55納米CMOS邏輯制程

  • 　　GLOBALFOUNDRIES今日宣布將公司的55 納米(nm) 低功耗強(qiáng)化型 (LPe)制程技術(shù)平臺進(jìn)行了最新技術(shù)強(qiáng)化, 推出具備ARM公司合格的下一代存儲器和邏輯IP解決方案的 55nm LPe 1V ?！?5nm LPe 1V”是業(yè)內(nèi)首個(gè)且唯一支持ARM 1.0/1.2V物理IP庫的強(qiáng)化型制程節(jié)點(diǎn)，使芯片設(shè)計(jì)人員能夠在單一系統(tǒng)級芯片(SoC)中使用單一制程同時(shí)支持兩個(gè)工作電壓。 　　GLOBALFOUNDRIES產(chǎn)品營銷副總裁Bruce Kleinman表示：&ldqu
  • 關(guān)鍵字： GLOBALFOUNDRIES  CMOS  55nm  

CMOS圖像傳感器基本原理與應(yīng)用簡介

  • 摘要：本文介紹了CMOS圖像傳感器器件的原理、性能、優(yōu)點(diǎn)、問題及應(yīng)對措施，以及CMOS圖像傳感器的市場狀況和一些...
  • 關(guān)鍵字： CMOS  圖像傳感器  電信號  

嵌入式CMOS成像器用于全息數(shù)據(jù)檢索

  • 過去，由于缺乏低成本系統(tǒng)部件，或因全息多路技術(shù)過于復(fù)雜以及找不到合適的記錄材料，使全息數(shù)據(jù)存儲產(chǎn)品的開...
  • 關(guān)鍵字： CMOS  成像器  全息數(shù)據(jù)檢索  

IDT推出首款高性能四頻MEMS振蕩器

  • 擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商 IDT?公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI)日前推出業(yè)界首款具備多同步輸出的高性能四頻MEMS振蕩器。IDT的最新振蕩器提供業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)兼容封裝尺寸內(nèi)的可配置輸出，從而節(jié)省通信、網(wǎng)絡(luò)、存儲、工業(yè)和FPGA等應(yīng)用中的電路板面積和物料清單 (BOM) 成本。
  • 關(guān)鍵字： IDT  MEMS振蕩器  CMOS  
共945條 28/63 |‹ « 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 » ›|

cmos+dps介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條cmos+dps!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對cmos+dps的理解，并與今后在此搜索cmos+dps的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473