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星載MEMS原子鐘穩(wěn)頻系統(tǒng)的優(yōu)化及實驗研究

  • 1 引言
    相干布居俘獲CPT(Coherent Population Trapping)是原子與相干光相互作用所產(chǎn)生的一種量子干涉現(xiàn)象。利用高分辨CPT光譜研制出的被動型CPT原子頻標具有體積小、功耗低、啟動快等特點。CPT頻標是原理上唯一
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從CEATEC看2010電子大勢(五)

  • 目前有愈來愈多的行動設(shè)備上配置了運動傳感器，最常見的是加上一顆加速度傳感器，用來自動旋轉(zhuǎn)畫面。傳感器的技術(shù)正快速的在進步中，在應(yīng)用上對于人類的生活具有顛覆性的影響力
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iSuppli：MEMS麥克風(fēng)出貨量2013年將突破10億個

  • 　　據(jù)iSuppli預(yù)估，盡管歷經(jīng)2009年的衰退，但在移動手持裝置與其它類似應(yīng)用的強力驅(qū)動下，2008至2013年，全球微機電系統(tǒng)(MEMS)麥克風(fēng)仍預(yù)計將成長三倍以上。 　　2013年，全球MEMS麥克風(fēng)出貨量將從2008年的3.285億個成長至11億個。不過，在2009年期間，由于經(jīng)歷了史上罕見的全面性衰退，MEMS麥克風(fēng)的強勁成長態(tài)勢將會減緩。 　　MEMS麥克風(fēng)是通過微機電技術(shù)在半導(dǎo)體上蝕刻壓力感測膜片而制程的微型麥克風(fēng)，普遍應(yīng)用在手機、筆記型計算機、數(shù)字攝影機與車用裝置上。 　　&ldq
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中芯國際將45納米工藝技術(shù)延伸至40納米以及55納米

  • 　　中芯國際今天宣布其45納米的互補型金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 技術(shù)將延伸至40納米以及55納米。 　　這些新工藝技術(shù)進一步豐富了中芯國際現(xiàn)有的技術(shù)能力，更好地滿足全球客戶的需求，包括快速增長的中國市場在內(nèi)。其應(yīng)用產(chǎn)品包括多媒體產(chǎn)品、圖形芯片、芯片組以及手機設(shè)備(如3G/4G 手機)。 　　“中芯國際上海的12英寸廠已提前達標完成了45納米的技術(shù)工藝。我們也同樣期盼著這些附加的延伸技術(shù)能取得佳績。”張汝京博士 -- 中芯國際總裁兼首席執(zhí)行長表示，“這些新技術(shù)為
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下一代無線傳感進一步向前發(fā)展

  • 　　說到游戲業(yè)，你會發(fā)現(xiàn)運動傳感目前處于技術(shù)最前沿。當(dāng)今的領(lǐng)先游戲平臺(及后續(xù)產(chǎn)品)均包含無線傳感手持遙控器。這種運動傳感遙控器可用來表現(xiàn)現(xiàn)實生活中的各種運動器材，如球拍、劍和方向盤。 　　當(dāng)今的無線傳感遙控器 　　當(dāng)今的動作游戲控制器中集成動作傳感功能，使紅外線LED與遙控上的光傳感器協(xié)同工作，這樣它就可以作為一個精確的定點設(shè)備(可達5m)。該控制器需要兩節(jié)AA電池作為電源，如果僅為加速計提供電源，電池的使用壽命可達60小時;而如果同時給加速計和指示器提供電源，電池的使用時間則只有25小時。 　　
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安森美推出0.18微米CMOS工藝技術(shù)

  • 　　全球領(lǐng)先的高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴展定制晶圓代工能力，推出新的具價格競爭力、符合業(yè)界標準的0.18微米(µm) CMOS工藝技術(shù)。 　　這ONC18工藝是開發(fā)低功率及高集成度數(shù)字及混合信號專用集成電路(ASIC)的極佳平臺，用于汽車、工業(yè)及醫(yī)療應(yīng)用。基于ONC18工藝的方案將在安森美半導(dǎo)體位于美國俄勒岡州Gresham的8英寸晶圓制造廠制造，因此，預(yù)期對于尋求遵從國際武器貿(mào)易規(guī)章(ITAR)的合作伙伴、在美國國內(nèi)生產(chǎn)的美國軍事應(yīng)用設(shè)計人
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國內(nèi)外儀器儀表行業(yè)目前水平及發(fā)展趨勢分析

  • 　　儀器儀表行業(yè)是我國發(fā)展的新型行業(yè)，在與國際接軌的同時，我國的儀器儀表行業(yè)發(fā)展有了長足的進步空間具備了與國際競爭的實力。 　　國內(nèi)科技目前水平及發(fā)展趨勢 　　儀器儀表行業(yè)整體綜合技術(shù)水平達到國際80年代中期水平，微電子技術(shù)和計算機技術(shù)在儀器儀表產(chǎn)品中普遍采用，約15%的產(chǎn)品實現(xiàn)了智能化，達到國際90 年代水平;30%的產(chǎn)品實現(xiàn)了數(shù)字化，達到國際80年代末期水平。綜合服務(wù)能力顯著提：可以承接30萬-60萬千瓦火電站、核電站、30萬噸合成氨、 120噸轉(zhuǎn)爐、日產(chǎn)30萬立方米城市煤氣站工程、成套大型爐窯等
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諾貝爾獎當(dāng)之無愧，CCD傳感器已無處不在

  • 　　1969年，貝爾實驗室(Bell Laboratories)的科學(xué)家Willard S. Boyle和George E. Smith發(fā)明了第一個成功的數(shù)字影像傳感器技術(shù)：電荷耦合組件(CCD)。40年后，隨著影像傳感器逐漸發(fā)展成為一個年出貨量達13億顆的龐大市場，這兩位技術(shù)先鋒也在2009年獲頒諾貝爾物理獎，以表揚他們在數(shù)字成像領(lǐng)域的貢獻。 　　“影像傳感器技術(shù)對世界和整個社會帶來了巨大且深遠的影響，”iSuppli分析師Pamela Tufegdzic說。“影像
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加速度計不再是MEMS專利 Epson完成石英加速度計開發(fā)

  • 　　由于感測加速度與角速度等物理量變化并非硅微機電系統(tǒng)(MEMS)的專利，石英組件供貨商Epson Toyocom亦預(yù)定在2010年推出以石英為基礎(chǔ)的加速度感應(yīng)器，以分食龐大的加速度感應(yīng)器市場大餅。 　　Epson Toyocom開發(fā)技術(shù)統(tǒng)括部暨商品企劃戰(zhàn)略部課長宮澤輝久指出，該公司的石英加速度傳感器開發(fā)已接近完成階段，預(yù)計在2010年進行量產(chǎn)。 　　拜任天堂(Nintendo)的Wii游戲機和蘋果(Apple)iPhone熱潮所賜，加速度、角速度等感測組件也成當(dāng)紅炸子雞，讓硅微機電系統(tǒng)(MEMS)快
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采用0.18micro;m CMOS設(shè)計用于2.5Gb/s收發(fā)器系統(tǒng)

  • 本文采用0.18µm CMOS工藝設(shè)計了用于2.5Gb/s收發(fā)器系統(tǒng)的16:1復(fù)用器電路。該電路采用數(shù)模混合的方法進行設(shè)計，第一級用數(shù)字電路實現(xiàn)16:4的復(fù)用，第二級用模擬電路實現(xiàn)4:1的復(fù)用，從而實現(xiàn)16:1的復(fù)用器。該電路采用SMIC 0.18µm工藝模型，使用Virtuoso AMS Simulator 工具進行了仿真。仿真結(jié)果表明，當(dāng)電源電壓為1.8V，溫度范圍為0～70℃時，電路可以工作在2.5b/s，功耗約為6mW。
  • 關(guān)鍵字： micro  0.18  CMOS  2.5    

臺積電與AMCC結(jié)盟 取得嵌入式微處理器訂單

  • 　　臺積電宣布與AMCC(應(yīng)用微電路;Applied Micro Circuits Corporation;AMCC-US)結(jié)盟，AMCC的Power Architecture嵌入式微處理器將以臺積電90奈米CMOS制程生產(chǎn)，未來將進一步推進到65奈米及40奈米制程。這意味著臺積電在 CPU代工領(lǐng)域再下一城。 　　AMCC為全球能源及通訊解決方案商，臺積電表示，這次雙方的合作，是AMCC Power Architecture嵌入式微處理器首次采用非SOI制程技術(shù)，受惠于臺積電成熟的bulk CMOS技術(shù)
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日本將投資42億日元建MEMS項目研發(fā)基地

  • 　　新聞事件： 　　日本擬設(shè)立名為“JMEC”的MEMS研發(fā)機構(gòu) 　　事件影響： 　　在尖端研發(fā)方面，將致力于由企業(yè)單獨從事高風(fēng)險較大的研究課題 　　將提供民間MEMS代工無法滿足的少量試制服務(wù)，以消除有設(shè)計思路卻因無法試制而無法發(fā)展成業(yè)務(wù)的現(xiàn)象 　　日本擬在經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省的主導(dǎo)下設(shè)立名為“JMEC”(暫稱)的MEMS研發(fā)機構(gòu)。與歐洲研發(fā)機構(gòu)比利時IMEC (Interuniversity Microelectr
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基于MEMS加速度傳感器的雙軸傾角計及其應(yīng)用

  • 　引　言MAV由于體積和負載能力極為有限,因此,減小和減輕飛控導(dǎo)航系統(tǒng)的體積及重量,就顯得尤為重要。本文基于MEMS加速度傳感器,設(shè)計一種雙軸傾角計,該裝置精度高、重量輕,可滿足MAV的姿態(tài)角測量要求,也可用于其他需要
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一種新型CMOS圖像傳感器的設(shè)計

  • 為了提高CMOS圖像傳感器的圖像質(zhì)量，通過對圖像主要的噪聲源以及圖像失真的分析，提出一種新型的CMOS有源像素圖像傳感器。該CMOS圖像傳感器使用4T有源像素，大大提高了圖像傳感器的靈敏度。通過在傳感器中集成圖像預(yù)處理功能，對改善圖像的質(zhì)量起到了很好的效果。
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華虹NEC 0.162微米CIS工藝成功進入量產(chǎn)

  • 　　世界領(lǐng)先的純晶圓代工廠之一，上海華虹NEC電子有限公司(以下簡稱“華虹NEC”)日前宣布成功開發(fā)了0.162微米CMOS 圖像傳感器 (CIS162) 工藝技術(shù)，已進入量產(chǎn)階段。 　　華虹NEC和關(guān)鍵客戶合作共同開發(fā)的CIS162工藝是基于標準0.162微米純邏輯工藝，1.8V的核心器件，3.3V的輸入輸出電路。經(jīng)過精細調(diào)整集成了4個功能晶體管和光電二極管(photo diode) 的像素單元可以提供超低的漏電和高清優(yōu)質(zhì)的圖像。而特別處理的后端布線工藝保證了像素區(qū)高敏感性，可
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