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cmos-mems 文章 進(jìn)入cmos-mems技術(shù)社區(qū)
一種新穎的MEMS光開(kāi)關(guān)測(cè)量平臺(tái)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
- 1 引言 隨著光通信技術(shù)的迅速發(fā)展,MEMS光開(kāi)關(guān)由于具有插入損耗和串話小、消光比高、穩(wěn)定性好、透明性和可擴(kuò)展性好、易于集成、偏振不靈敏等優(yōu)點(diǎn),將成為核心光交換器件的主流。其靜電驅(qū)動(dòng)是目前廣泛研究的一
- 關(guān)鍵字: MEMS 光開(kāi)關(guān)測(cè)量平臺(tái)
基于單片機(jī)CMOS汽車(chē)電子調(diào)節(jié)器
- 基于單片機(jī)CMOS汽車(chē)電子調(diào)節(jié)器引言汽車(chē)電子化程度現(xiàn)已成為國(guó)際衡量汽車(chē)先進(jìn)水平的重要標(biāo)準(zhǔn),也正是由于這個(gè)原因推動(dòng)和刺激當(dāng)前汽車(chē)電子這一行業(yè)不斷向前發(fā)展,各國(guó)都競(jìng)相發(fā)展,不斷應(yīng)用高新技術(shù),提高汽車(chē)電氣化性能
- 關(guān)鍵字: CMOS 單片機(jī) 汽車(chē)電子 調(diào)節(jié)器
亞微米CMOS電路中VDD-VSSESD保護(hù)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)(二)
- 3 仿真分析及具體設(shè)計(jì)結(jié)果3.1 仿真分析在亞微米的ESD結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)中,一種常見(jiàn)的具體的ESD瞬態(tài)檢測(cè)電壓如圖2 VDD-VSS間的電壓鉗位結(jié)構(gòu)。其原理如下:主要利用結(jié)構(gòu)中的RC延遲作用,一般T=RC被設(shè)計(jì)為100ns-1000ns之間,而
- 關(guān)鍵字: VDD-VSSESD CMOS 亞微米 電路
亞微米CMOS電路中VDD-VSSESD保護(hù)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
- 1 引言ESD(Electric Static Discharge)保護(hù)結(jié)構(gòu)的有效設(shè)計(jì)是CMOS集成電路可靠性設(shè)計(jì)的重要任務(wù)之一,其ESD結(jié)構(gòu)與工藝技術(shù)、特征尺寸密切相關(guān),隨著IC工藝技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展,特征尺寸越來(lái)越小,管子的柵氧層厚度越來(lái)越
- 關(guān)鍵字: VDD-VSSESD CMOS 亞微米 電路
數(shù)碼相機(jī)的CMOS傳感器知識(shí)介紹
- 標(biāo)簽:數(shù)碼相機(jī) CMOS數(shù)碼相機(jī)的另一個(gè)靈魂CMOS傳感器隨著2005年Canon(佳能)公司發(fā)布其型號(hào)為EOS D30的專業(yè)級(jí)數(shù)碼相機(jī)后,人們對(duì)CMOS影像傳感器的注意力猛然巨增。這是因?yàn)椋珻MOS影像傳感器過(guò)去有著信噪比小、分辨率
- 關(guān)鍵字: 介紹 知識(shí) 傳感器 CMOS 數(shù)碼相機(jī)
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