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CCD和CMOS圖像傳感器性能的幾大技術(shù)指標(biāo)

  • CCD和CMOS是圖像傳感器的兩個(gè)主要類別,都有各自的應(yīng)用領(lǐng)域。但近年來,CMOS傳感器逐步吞噬了CCD的市場(chǎng)。為什么CMOS傳感器如此受歡迎呢?評(píng)價(jià)一款圖像傳感器性能的技術(shù)指標(biāo)有哪些?下面來為大家詳細(xì)說明。CCD和CMOS圖
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淺析CMOS與CCD在內(nèi)部結(jié)構(gòu)與原理的差異

  • 標(biāo)簽:CMOS CCD無論任何產(chǎn)品,品質(zhì)的好壞主要取決于性能的優(yōu)劣,而性能優(yōu)劣的關(guān)鍵跟產(chǎn)品結(jié)構(gòu)和工作原理又有著較大的關(guān)系,CCD和CMOS也既如此?;窘M成CCD是在MOS晶體管的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的,其基本結(jié)構(gòu)是MOS(金屬m
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基于1.0μm CMOS工藝的鋸齒波振蕩電路設(shè)計(jì)

  • 本文以比較器為基本電路,采用恒流源充放電技術(shù),設(shè)計(jì)了一種基于1.0mu;m CMOS工藝的鋸齒波振蕩電路,并對(duì)其各單元組成電路的設(shè)計(jì)進(jìn)行了闡述。同時(shí)利用Cadence Hspice仿真工具對(duì)電路進(jìn)行了仿真模擬,結(jié)果表明,鋸齒波
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采用靜態(tài)CMOS和單相能量回收電路的乘法器電路設(shè)計(jì)

  • O 引言  電路中的功率消耗源主要有以下幾種:由邏輯轉(zhuǎn)換引起的邏輯門對(duì)負(fù)載電容充、放電引起的功率消耗;由邏輯門中瞬時(shí)短路電流引起的功率消耗;由器件的漏電流引起的消耗,并且每引進(jìn)一次新的制造技術(shù)會(huì)導(dǎo)致漏電流
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CMOS數(shù)字隔離器在智能電表中的應(yīng)用

  • 未來幾年由于消費(fèi)者對(duì)傳統(tǒng)機(jī)電式電表的更新?lián)Q代,智能電表市場(chǎng)預(yù)計(jì)將以每年兩位數(shù)的速度增長(zhǎng)。智能電表使用最新的集成電路(IC)技術(shù)進(jìn)行精確測(cè)量并報(bào)告消耗的電量,智能電表比機(jī)電式電表復(fù)雜,但更加注重測(cè)量數(shù)據(jù)的完
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基于CMOS電路的IDDQ測(cè)試電路設(shè)計(jì)

  • 引言  測(cè)試CMOS電路的方法有很多種,測(cè)試邏輯故障的一般方法是采用邏輯響應(yīng)測(cè)試,即通常所說的功能測(cè)試。功能測(cè)試可診斷出邏輯錯(cuò)誤,但不能檢查出晶體管常開故障、晶體管常閉故障、晶體管柵氧化層短路,互連橋短路
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小型CMOS電壓調(diào)整器IC- XC6420

  • XC6420系列是實(shí)現(xiàn)了高精度,高紋波抑制,低壓差,搭載了2溝道150mA高速LDO的小型CMOS電壓調(diào)整器IC。把2個(gè)...
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基于CMOS工藝的高阻抗并行A/D芯片TLC5510

  • 1 概述TLC5510是美國(guó)TI公司生產(chǎn)的新型模數(shù)轉(zhuǎn)換器件(ADC),它是一種采用CMOS工藝制造的8位高阻抗并行A/D芯片,能提供的最小采樣率為20MSPS。由于TLC5510采用了半閃速結(jié)構(gòu)及CMOS工藝,因而大大減少了器件中比較器的數(shù)
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單軸MEMS偏航陀螺儀結(jié)構(gòu)應(yīng)用分析

  • 陀螺儀能夠測(cè)量沿一個(gè)軸或幾個(gè)軸運(yùn)動(dòng)的角速度,而MEMS加速計(jì)則能測(cè)量線性加速度,因此這兩者是一對(duì)理想的互補(bǔ)技術(shù)。事實(shí)上,如果組合使用加速計(jì)和陀螺儀這兩種傳感器,系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員可以跟蹤并捕捉三維空間的完整運(yùn)動(dòng)
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淺談MEMS存儲(chǔ)設(shè)備的管理技術(shù)

  • 摘要:MEMS存儲(chǔ)設(shè)備相對(duì)于磁盤,在性能、可靠性和功耗等方面都具有優(yōu)勢(shì)。本文主要分析了MEMS存儲(chǔ)設(shè)備的物理結(jié)構(gòu)對(duì)0s管理的影響,主要從請(qǐng)求調(diào)度算法、數(shù)據(jù)布局、設(shè)備故障管理進(jìn)行了探討和研究。關(guān)鍵詞:MEMS;OS管理
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臺(tái)積電雄居全球純MEMS代工廠商榜首 營(yíng)收激增200%

  •   去年臺(tái)積電是全球最大的純MEMS器件代工廠商,營(yíng)業(yè)收入劇增201%,不但奪取了競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的市場(chǎng)份額,而且創(chuàng)造了新的收入來源。   據(jù)IHS iSuppli公司的MEMS競(jìng)爭(zhēng)分析報(bào)告,2011年臺(tái)積電相關(guān)營(yíng)業(yè)收入達(dá)到5300萬美元,遠(yuǎn)高于2010年的1760萬美元。該公司生產(chǎn)多種暢銷的MEMS傳感器和激勵(lì)器,包括3軸陀螺儀、加速計(jì)、MEMS麥克風(fēng)、壓力傳感器、片上實(shí)驗(yàn)室和噴墨打印頭。   在12家提供MEMS制造業(yè)務(wù)的純代工廠商中,臺(tái)積電名列前茅。除了臺(tái)積電以外,去年MEMS營(yíng)業(yè)收入增長(zhǎng)的其它代工廠商
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CMOS與CCD圖像傳感器特性對(duì)比分析

  • CCD(Charge Coupled Device)圖像傳感器(以下簡(jiǎn)稱CCD)和CMOS圖像傳感器(CMOS Image Sensor以下簡(jiǎn)稱CIS)的主要區(qū)別是由感光單元及讀出電路結(jié)構(gòu)不同而導(dǎo)致制造工藝的不同。CCD感光單元實(shí)現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換后,以電荷的方
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CMOS圖像傳感器再見增長(zhǎng)

  • 10年以前拍照手機(jī)盛行,加上便攜筆記本電腦和個(gè)人電腦監(jiān)視器配置嵌入式數(shù)碼相機(jī),促使CMOS圖像傳感器銷售獲得巨大增長(zhǎng),2006年登頂,達(dá)45億美元。但隨后產(chǎn)品市場(chǎng)走向成熟,制造商激增,圖像傳感器特別是用于拍照手機(jī)的產(chǎn)品供過于求而陷入困境,增速不穩(wěn),起伏不定,直至2011年才重新走上增長(zhǎng)的道路。
  • 關(guān)鍵字: 傳感器  CMOS  201207  

國(guó)產(chǎn)化衛(wèi)星/MEMS組合導(dǎo)航模塊的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)

  • 摘要:設(shè)計(jì)一種嵌入式衛(wèi)星/MEMS組合導(dǎo)航模塊。該模塊采用北京時(shí)代民芯科技有限公司的國(guó)產(chǎn)化GPS/BD多模導(dǎo)航接收機(jī),實(shí)現(xiàn)與MEMS慣性器件的軟硬件融合?;诠こ袒瘧?yīng)用,提出一種高可靠擴(kuò)展卡爾曼濾波器濾波算法,實(shí)時(shí)校準(zhǔn)各種誤差項(xiàng),改善組合導(dǎo)航模塊性能。在靜態(tài)情況下,模塊姿態(tài)角誤差小于0.2°,航向角誤差小于0.5°。在動(dòng)態(tài)情況下,姿態(tài)角與航向角誤差小于1°,如果衛(wèi)星導(dǎo)航突然中斷,將能持續(xù)30秒,定位精度維持在20米內(nèi)。
  • 關(guān)鍵字: GPS/BD  MEMS  北斗導(dǎo)航  201207  

CMOS成像技術(shù)讓照相功能大顯身手

  • 互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)成像技術(shù)已經(jīng)成為眾多新興攝像頭應(yīng)用的首選。數(shù)字成像隨著1969年電荷耦合器件...
  • 關(guān)鍵字: CMOS  成像技術(shù)  照相功能  
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