cmos-mems 文章進(jìn)入cmos-mems技術(shù)社區(qū)

CMOS器件抗靜電措施的研究

摘要：由于CMOS器件靜電損傷90％是延遲失效，對(duì)整機(jī)應(yīng)用的可靠性影響太大，因而有必要對(duì)CMOS器件進(jìn)行抗靜電措施。本文描述了CMOS器件受靜電損傷的機(jī)理，從而對(duì)設(shè)計(jì)人員提出了幾種在線路設(shè)計(jì)中如何抗靜電，以保護(hù)CMOS
關(guān)鍵字：研究措施抗靜電器件 CMOS

基于ARM與低成本MEMS器件的AHRS設(shè)計(jì)

基于ARM與低成本MEMS器件的AHRS設(shè)計(jì),摘要：自平衡機(jī)器人、多旋翼無(wú)人飛行器的控制需要高精度的姿態(tài)運(yùn)動(dòng)信息作為反饋輸入，要求測(cè)量模塊具有響應(yīng)快、體積小和功耗低的特點(diǎn)。采用低成本的MEMS器件與STM32單片機(jī)構(gòu)建了航向姿態(tài)參考系統(tǒng)硬件平臺(tái)。針對(duì)傳感器
關(guān)鍵字： AHRS 設(shè)計(jì) 器件 MEMS ARM 成本基于

CMOS工藝多功能數(shù)字芯片的輸出緩沖電路設(shè)計(jì)

摘要：為了提高數(shù)字集成電路芯片的驅(qū)動(dòng)能力，采用優(yōu)化比例因子的等比緩沖器鏈方法，通過(guò)Hspice軟件仿真和版圖設(shè)計(jì)測(cè)試，提出了一種基于CSMC 2P2M 0．6mu;m CMOS工藝的輸出緩沖電路設(shè)計(jì)方案。本文完成了系統(tǒng)的電原理
關(guān)鍵字：輸出緩沖電路設(shè)計(jì) 芯片數(shù)字工藝多功能 CMOS

一種新型高速CMOS全差分運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)

摘要：設(shè)計(jì)了一種基于流水線模／數(shù)轉(zhuǎn)換系統(tǒng)應(yīng)用的低壓高速CMOS全差分運(yùn)算放大器。該運(yùn)放采用了折疊式共源共柵放大結(jié)構(gòu)與一種新型連續(xù)時(shí)間共模反饋電路相結(jié)合以達(dá)到高速度及較好的穩(wěn)定性。設(shè)計(jì)基于SMIC 0．25mu;m CM
關(guān)鍵字： CMOS 全差分放大器設(shè)計(jì) 運(yùn)算

深迪發(fā)布中國(guó)首款消費(fèi)級(jí)商用三軸MEMS陀螺儀

深迪半導(dǎo)體(上海)有限公司(Senodia Technologies (Shanghai) Co., Ltd )正式發(fā)布其首款三軸微機(jī)電(MEMS)陀螺儀產(chǎn)品，ST200G。這是中國(guó)首款完全擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的消費(fèi)級(jí)商用三軸MEMS陀螺儀。它繼深迪2009年底發(fā)布中國(guó)首款消費(fèi)級(jí)商用單軸MEMS陀螺儀SSZ0304CN打破國(guó)內(nèi)消費(fèi)電子廠商100%依賴進(jìn)口陀螺儀芯片之后，又一款里程碑的產(chǎn)品，并宣告中國(guó)自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的消費(fèi)級(jí)MEMS陀螺儀進(jìn)入三軸時(shí)代。
關(guān)鍵字：深迪 MEMS 陀螺儀 ST200G

聯(lián)電與星國(guó)微電子開(kāi)發(fā)TSV技術(shù)

　　聯(lián)華電子與新加坡科技研究局旗下的微電子研究院今天宣布，將合作進(jìn)行應(yīng)用在背面照度式CMOS影像感測(cè)器的TSV技術(shù)開(kāi)發(fā)，透過(guò)這項(xiàng)技術(shù)，包括智慧手機(jī)、數(shù)位相機(jī)與個(gè)人平板電腦等行動(dòng)電子產(chǎn)品，里面所采用的數(shù)百萬(wàn)像素影像感測(cè)器，都可大幅提升產(chǎn)品效能、降低成本、體積減少。　　聯(lián)電指出，市場(chǎng)上對(duì)于持續(xù)縮小像素，又能兼顧效能的需求，日益增強(qiáng)，帶動(dòng)CMOS影像感測(cè)技術(shù)興起，而背面照度式技術(shù)則普遍被視為能夠讓微縮到微米級(jí)大小的像素，仍保有優(yōu)異效能的解決方案。　　聯(lián)電指出，這次專(zhuān)案目標(biāo)，希望提影像感測(cè)器靈敏度，支援更
關(guān)鍵字：聯(lián)華 CMOS 微電子

IMEC探討10nm以下制程變異

　　在可預(yù)見(jiàn)的未來(lái)，CMOS技術(shù)仍將持續(xù)微縮腳步，然而，當(dāng)我們邁入10nm節(jié)點(diǎn)后，控制制程復(fù)雜性和變異，將成為能否驅(qū)動(dòng)技術(shù)向前發(fā)展的關(guān)鍵，IMEC資深制程技術(shù)副總裁An Steegen在稍早前于比利時(shí)舉行的IMEC Technology Forum上表示。　　明天的智慧系統(tǒng)將會(huì)需要更多的運(yùn)算能力和儲(chǔ)存容量，這些都遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)今天的處理器和記憶體所能提供的極限。而這也推動(dòng)了我們對(duì)晶片微縮技術(shù)的需求。　　在演講中，Steegen了解釋IMEC 如何在超越10nm以后繼續(xù)推動(dòng)晶片微縮。在10nm之后，或許還
關(guān)鍵字： IMEC CMOS 10nm

基于DSP內(nèi)嵌PLL中的CMOS壓控環(huán)形振蕩器設(shè)計(jì)

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： PLL DSP CMOS 環(huán)形振蕩器

博世在汽車(chē)MEMS市場(chǎng)保持領(lǐng)先去年?duì)I業(yè)收入達(dá)6.25億美元

　　據(jù)IHS iSuppli公司的汽車(chē)MEMS報(bào)告，德國(guó)博世2011年是全球最大的汽車(chē)MEMS器件生產(chǎn)商，憑借自己的優(yōu)勢(shì)地位和高于產(chǎn)業(yè)平均水平的增長(zhǎng)速度，其營(yíng)業(yè)收入實(shí)現(xiàn)增長(zhǎng)。　　去年博世的營(yíng)業(yè)收入達(dá)6.25億美元，比2010年的5.24億美元增長(zhǎng)19%，增速高于14%的整體汽車(chē)MEMS產(chǎn)業(yè)速度。它的營(yíng)業(yè)收入比排名第二的日本電裝公司高出3.39億美元。電裝公司的營(yíng)業(yè)收入增長(zhǎng)9%至2.86億美元。　　博世和電裝等10大汽車(chē)MEMS廠商的2011年合計(jì)營(yíng)業(yè)收入超過(guò)20億美元，比2010年的18億美元增長(zhǎng)
關(guān)鍵字：飛思卡爾 MEMS

詳解背照式CMOS傳感器結(jié)構(gòu)和原理

背照式CMOS傳感器詳細(xì)解讀時(shí)代發(fā)展，技術(shù)進(jìn)步。數(shù)碼相機(jī)的各種新技術(shù)層出不窮，導(dǎo)致消費(fèi)者面對(duì)廠家宣傳或者是相機(jī)參數(shù)列表中的一些專(zhuān)業(yè)詞匯，一般都會(huì)感到非常難于理解，以致影響到購(gòu)機(jī)前的判斷。所以我們數(shù)碼相機(jī)頻
關(guān)鍵字：原理結(jié)構(gòu) 傳感器 CMOS 詳解

3GHz～5GHz CMOS超寬帶低噪聲放大器設(shè)計(jì)

超帶寬UWB(Ultra-Wideband)技術(shù)具有抗干擾能力強(qiáng)、傳輸速率高、帶寬極寬、功耗傳輸?shù)偷葍?yōu)勢(shì)，近年來(lái)已成為國(guó)內(nèi)外的研究熱點(diǎn)，并在短距離傳輸、高速無(wú)線LAN和成像處理等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用[1]。不論在傳統(tǒng)的無(wú)線接收結(jié)
關(guān)鍵字：放大器設(shè)計(jì) 噪聲寬帶 5GHz CMOS 3GHz

采用CMOS雙D觸發(fā)器CD4013的脈沖寬度檢測(cè)電路設(shè)計(jì)

D觸發(fā)器的常規(guī)使用一般是用作二分頻器、計(jì)數(shù)器或移位寄存器。然而，只要對(duì)D觸發(fā)器的外圍電路加以改進(jìn)，根據(jù)其基本邏輯功能。就可充分發(fā)揮其獨(dú)特的作用。數(shù)字裝置中常用的脈沖寬度檢測(cè)電路，對(duì)脈沖信號(hào)的寬度進(jìn)行識(shí)別
關(guān)鍵字：寬度檢測(cè) 電路設(shè)計(jì) 脈沖 CD4013 CMOS 觸發(fā)器采用

MEMS：微電子又一個(gè)增長(zhǎng)點(diǎn)正在爆發(fā)

　　據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Yole Development的最新統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，2011年世界微機(jī)電系統(tǒng)(Micro Electro Mechanical systems，MEMS)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到了102億美元，比2010年增長(zhǎng)19%，這一增長(zhǎng)速度遠(yuǎn)超同年1.8%的世界半導(dǎo)體總體營(yíng)收增幅和4%的世界Fabless銷(xiāo)售額漲幅。　　MEMS發(fā)展歷史雖然已有數(shù)十年的時(shí)間，但近年來(lái)隨著智能手機(jī)、汽車(chē)電子、醫(yī)療電子、物聯(lián)網(wǎng)等產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，對(duì)陀螺儀、射頻(RF)MEMS元件、MEMS麥克風(fēng)等MEMS元件產(chǎn)品的需求量將會(huì)持續(xù)攀升
關(guān)鍵字： MEMS 傳感器

基于CMOS工藝的新型集成運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)

集成電路，即integrated circuit，這是一種微型電子器件或部件，按功能可劃分為數(shù)字和模擬兩大類(lèi)。而模擬集成電路一般用于模擬信號(hào)的產(chǎn)生和處理，有很多種種類(lèi)，比如集成運(yùn)算放大器、集成鎖相環(huán)、集成功率放大器、集
關(guān)鍵字： CMOS 工藝放大器設(shè)計(jì) 集成運(yùn)算

MEMS光開(kāi)關(guān)的性能與發(fā)展?fàn)顩r

光開(kāi)關(guān)是光通信網(wǎng)絡(luò)的重要功能器件，MEMS光開(kāi)關(guān)是最具發(fā)展前景的光開(kāi)關(guān)之一。在簡(jiǎn)介不同種類(lèi)光開(kāi)關(guān)原理特點(diǎn)的基礎(chǔ)上，詳細(xì)分析了當(dāng)前主要的MEMS光開(kāi)關(guān)的分類(lèi)、結(jié)構(gòu)、工藝與性能，并給出這一領(lǐng)域的研究與發(fā)展?fàn)顩r。一
關(guān)鍵字： MEMS 光開(kāi)關(guān) 發(fā)展性能