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SK海力士全球首次在移動端DRAM制造上采用HKMG工藝

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  • 關鍵字： SK海力士  移動端  DRAM  HKMG  

中芯國際28nm HKMG工藝成功流片

  • 全世界能搞出來的也就那么幾家，進步已然神速。
  • 關鍵字： 中芯國際  HKMG  

評Xilinx的28nm從三重氧化物到HIGH-K

  • 本文用老百姓看得懂的語言介紹前兩天XILINX 28nm FPGA所采用TSMC的HIGH-K金屬柵工藝(HKMG)新聞的重大意義。
  • 關鍵字： 賽靈思  FPGA  HKMG  

Gate-first HKMG工藝不行了？IBM技術聯(lián)盟成員辟謠忙

  • 　　以IBM公司為首的芯片制造技術聯(lián)盟，即GlobalFoundries，三星等公司組成的團體最近駁斥了有關該聯(lián)盟在開發(fā)high-k+金屬柵極(HKMG)工藝時遇到困難的傳言。 　　風波的起因在于近日Barclays的分析師Andrew Lu的一份報告，這份報告指出：“HKMG技術的目的在于減小柵極尺寸變小時的柵漏電量。”文章指出，在如何實現(xiàn)HKMG技術方面，業(yè)界分為兩大流派，其一是Intel，臺積電為首的Gate-last派，Gate last工藝將生成金屬柵極的工步放在漏源極
  • 關鍵字： IBM  HKMG  

先柵極還是后柵極 業(yè)界爭論高K技術

  • 　　隨著晶體管尺寸的不斷縮小，HKMG(high-k絕緣層+金屬柵極)技術幾乎已經(jīng)成為45nm以下級別制程的必備技術.不過在制作HKMG結(jié)構晶體管的 工藝方面，業(yè)內(nèi)卻存在兩大各自固執(zhí)己見的不同陣營，分別是以IBM為代表的Gate-first(先柵極)工藝流派和以Intel為代表的Gate-last(后柵極)工藝流派，盡管兩大陣營均自稱只有自己的工藝才是最適合制作HKMG晶體管的技術，但一般來說使用Gate-first工藝實現(xiàn)HKMG結(jié)構的難點在于如何控制 PMOS管的Vt電壓(門限電壓);而Gate-la
  • 關鍵字： Intel  45nm  HKMG  

半導體制造：又逢更新?lián)Q代時

  • 本文結(jié)合多方視角，詳細探討最新的半導體工藝技術發(fā)展，相關產(chǎn)業(yè)鏈各方對新工藝的應用情況及客觀評價。
  • 關鍵字： 半導體制造  28nm  Foundry  HKMG  201006  

整裝待發(fā)：GlobalFoundries德累斯頓Fab1工廠探秘

  • 　　對GlobalFoundries公司設在德國德累斯頓的Fab1工廠的總經(jīng)理Udo Nothelfer和他的員工來說，今年可以說是任務繁重的一年。今年， 他管理的這間工廠要實現(xiàn)產(chǎn)能的翻倍，其月晶圓產(chǎn)能要從3萬片增加到6萬片。同時，F(xiàn)ab1工廠的生產(chǎn)任務也將從過去單單為AMD公司代工MPU芯片，轉(zhuǎn)為 現(xiàn)在的還需要為其它多家公司代工芯片產(chǎn)品。不僅如此，今年Fab1還要盡量提升采用新款32/28nm HKMG制程技術制作的芯片產(chǎn)品的產(chǎn)量。   　　Udo Nothelfer 　　不過挑戰(zhàn)正
  • 關鍵字： GlobalFoundries  HKMG  MPU  

半導體業(yè)界的HKMG攻防戰(zhàn)：詳解兩大工藝流派之爭

  • 　　隨著晶體管尺寸的不斷縮小，HKMG(high-k絕緣層+金屬柵極)技術幾乎已經(jīng)成為45nm以下級別制程的必備技術.不過在制作HKMG結(jié)構晶體管的 工藝方面，業(yè)內(nèi)卻存在兩大各自固執(zhí)己見的不同陣營，分別是以IBM為代表的Gate-first工藝流派和以Intel為代表的Gate-last工藝流派，盡管兩大陣營均自稱只有自己的工藝才是最適合制作HKMG晶體管的技術，但一般來說使用Gate-first工藝實現(xiàn)HKMG結(jié)構的難點在于如何控制 PMOS管的Vt電壓(門限電壓);而Gate-last工藝的難點則在于
  • 關鍵字： 半導體  HKMG  

臺積電老將再出山 蔣尚義領命戰(zhàn)研發(fā)

  • 　　不知是否是因為Global Foundries的步步威脅，臺積電28日宣布，延聘3年前離職的蔣尚義博士擔任研究發(fā)展資深副總經(jīng)理，他將直接對張忠謀董事長負責。 　　這是繼張忠謀6月重新執(zhí)政臺積電以來，又一次重大的人事調(diào)整。蔣尚義博士早在1997年即加入臺積電擔任研究發(fā)展副總經(jīng)理，帶領研發(fā)團隊一路順利開發(fā)完成0.25微米、0.18微米、0.13微米、90納米、65納米等各個世代的先進工藝技術，成果斐然。但是三年多前因為要照顧年邁生病的父親而暫時離開，如今因父親仙逝而能再度回到臺積，相信蔣資深副總的回任，
  • 關鍵字： 臺積電  40納米  HKMG  EUV  

臺積電將低功耗高k金屬柵工藝納入28納米技術藍圖

  • 　　臺積電24日宣布已將低耗電工藝納入28納米高介電層/金屬閘(High-k Metal Gate，HKMG)工藝的技術藍圖，預計于2010年第三季進行試產(chǎn)(Risk Production)。 　　臺積電自2008年九月發(fā)表28納米技術以來，技術的發(fā)展與進入量產(chǎn)的時程皆按預期計劃進行。就試產(chǎn)時程順序而言，低耗電氮氧化硅(簡稱28LP)工藝預計于2010年第一季底進行試產(chǎn)，高效能高介電層/金屬閘(簡稱28HP)工藝則預計于2010年第二季底開始試產(chǎn)，而低耗電高介電層/金屬閘(簡稱28HPL)工藝的試產(chǎn)時程
  • 關鍵字： 臺積電  28納米  HKMG  

晶圓代工22納米競賽鳴槍　Global Foundries略勝臺積電一籌

  • 　　晶圓代工業(yè)者Global Foundries來勢洶洶，除積極與臺積電爭搶兩大繪圖芯片客戶超微(AMD)與NVIDIA訂單，在技術上亦強調(diào)其將是目前晶圓代工廠最領先者，繼臺積電日前發(fā)表28納米制程技術，Global Foundries亦不甘示弱，對外發(fā)表22納米制程，預計最快2012年進行生產(chǎn)，與臺積電互別苗頭意味濃。 　　臺積電日前在京都VLSI大會上發(fā)表28納米制程，是首代正式采用高k金屬柵(High-k Metal Gate;HKMG)制程技術，并將取代32納米成為全世代制程，多數(shù)晶圓廠包括Gl
  • 關鍵字： GlobalFoundries  晶圓代工  繪圖芯片  28納米  HKMG  

GLOBALFOUNDRIES介紹22納米及更小尺寸技術

  • 　　GLOBALFOUNDRIES日前介紹了一種創(chuàng)新技術，該技術可以克服推進高 k金屬柵(HKMG)晶體管的一個主要障礙，從而將該行業(yè)向具有更強計算能力和大大延長的電池使用壽命的下一代移動設備推進了一步。 　　眾所周知，半導體行業(yè)一直致力于克服似乎難以逾越的困難，以延續(xù)更小、更快、更節(jié)能的產(chǎn)品趨勢。研究是通過GLOBALFOUNDRIES參與IBM技術聯(lián)盟來與IBM合作的形式進行的，旨在繼續(xù)將半導體元件的尺寸縮小到22納米節(jié)點及更小尺寸。 　　在2009年于日本京都舉行的VLSI技術研討會上，GLOB
  • 關鍵字： GLOBALFOUNDRIES  HKMG  電池  

ARM推32nm工藝處理器

  •         ARM在巴塞羅那移動世界大會上展示了32nm工藝的ARM處理器。ARM合作伙伴將在2009年開始接觸測試這一技術，全面投產(chǎn)則要到2010年初。 　　它是第一個采用ARM物理IP、在IBM基于32nm高K金屬門(HKMG)工藝的Common Platform測試芯片上構建的32nm Cortex系列處理器核。 　　ARM正在開發(fā)量身定制的物理IP，其目標是利用Common Platform 32/28nm HKMG技術
  • 關鍵字： ARM  32nm  處理器  HKMG  

臺積電規(guī)劃32納米制程提供HKMG技術

  • 　　據(jù)Chinatimes報道，臺積電年底40納米即將導入量產(chǎn)，對次世代32納米技術也有了新規(guī)劃，除了提供一般型及低功耗的32納米技術外，近期業(yè)內(nèi)已傳出將提供高介電金屬柵電極（High-K Metal Gate，HKMG）技術，此舉等同于可提供中央處理器（CPU）代工服務，業(yè)內(nèi)預期這是為了爭取AMD處理器訂單而先行鋪路。 　　臺積電于今年3月底正式推出40納米晶圓共乘服務，提供客戶泛用型制程（40G）及低耗電制程（40LP）等兩種制程，下半年亦有多個產(chǎn)品完成設計定案（tape-out），明年第二季將推出
  • 關鍵字： 臺積電  40納米  HKMG  CPU  
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hkmg介紹

HKMG(high-k絕緣層+金屬柵極) HKMG的優(yōu)勢和缺點 優(yōu)勢：不管使用Gate-first和Gate-last哪一種工藝，制造出的high-k絕緣層對提升晶體管的性能均有重大的意義。high-k技術不僅能夠大幅減小柵極的漏電量，而且由于high-k絕緣層的等效氧化物厚度(EOT:equivalentoxidethickness)較薄，因此還能有效降低柵極電容。這樣晶體管的關鍵尺 [ 查看詳細 ]

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