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SK海力士全球首次在移動(dòng)端DRAM制造上采用HKMG工藝

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中芯國際28nm HKMG工藝成功流片

  • 全世界能搞出來的也就那么幾家，進(jìn)步已然神速。
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評(píng)Xilinx的28nm從三重氧化物到HIGH-K

  • 本文用老百姓看得懂的語言介紹前兩天XILINX 28nm FPGA所采用TSMC的HIGH-K金屬柵工藝(HKMG)新聞的重大意義。
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Gate-first HKMG工藝不行了？IBM技術(shù)聯(lián)盟成員辟謠忙

  • 　　以IBM公司為首的芯片制造技術(shù)聯(lián)盟，即GlobalFoundries，三星等公司組成的團(tuán)體最近駁斥了有關(guān)該聯(lián)盟在開發(fā)high-k+金屬柵極(HKMG)工藝時(shí)遇到困難的傳言。 　　風(fēng)波的起因在于近日Barclays的分析師Andrew Lu的一份報(bào)告，這份報(bào)告指出：“HKMG技術(shù)的目的在于減小柵極尺寸變小時(shí)的柵漏電量。”文章指出，在如何實(shí)現(xiàn)HKMG技術(shù)方面，業(yè)界分為兩大流派，其一是Intel，臺(tái)積電為首的Gate-last派，Gate last工藝將生成金屬柵極的工步放在漏源極
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先柵極還是后柵極 業(yè)界爭論高K技術(shù)

  • 　　隨著晶體管尺寸的不斷縮小，HKMG(high-k絕緣層+金屬柵極)技術(shù)幾乎已經(jīng)成為45nm以下級(jí)別制程的必備技術(shù).不過在制作HKMG結(jié)構(gòu)晶體管的 工藝方面，業(yè)內(nèi)卻存在兩大各自固執(zhí)己見的不同陣營，分別是以IBM為代表的Gate-first(先柵極)工藝流派和以Intel為代表的Gate-last(后柵極)工藝流派，盡管兩大陣營均自稱只有自己的工藝才是最適合制作HKMG晶體管的技術(shù)，但一般來說使用Gate-first工藝實(shí)現(xiàn)HKMG結(jié)構(gòu)的難點(diǎn)在于如何控制 PMOS管的Vt電壓(門限電壓);而Gate-la
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半導(dǎo)體制造：又逢更新?lián)Q代時(shí)

  • 本文結(jié)合多方視角，詳細(xì)探討最新的半導(dǎo)體工藝技術(shù)發(fā)展，相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈各方對(duì)新工藝的應(yīng)用情況及客觀評(píng)價(jià)。
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整裝待發(fā)：GlobalFoundries德累斯頓Fab1工廠探秘

  • 　　對(duì)GlobalFoundries公司設(shè)在德國德累斯頓的Fab1工廠的總經(jīng)理Udo Nothelfer和他的員工來說，今年可以說是任務(wù)繁重的一年。今年， 他管理的這間工廠要實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能的翻倍，其月晶圓產(chǎn)能要從3萬片增加到6萬片。同時(shí)，F(xiàn)ab1工廠的生產(chǎn)任務(wù)也將從過去單單為AMD公司代工MPU芯片，轉(zhuǎn)為 現(xiàn)在的還需要為其它多家公司代工芯片產(chǎn)品。不僅如此，今年Fab1還要盡量提升采用新款32/28nm HKMG制程技術(shù)制作的芯片產(chǎn)品的產(chǎn)量。   　　Udo Nothelfer 　　不過挑戰(zhàn)正
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半導(dǎo)體業(yè)界的HKMG攻防戰(zhàn)：詳解兩大工藝流派之爭

  • 　　隨著晶體管尺寸的不斷縮小，HKMG(high-k絕緣層+金屬柵極)技術(shù)幾乎已經(jīng)成為45nm以下級(jí)別制程的必備技術(shù).不過在制作HKMG結(jié)構(gòu)晶體管的 工藝方面，業(yè)內(nèi)卻存在兩大各自固執(zhí)己見的不同陣營，分別是以IBM為代表的Gate-first工藝流派和以Intel為代表的Gate-last工藝流派，盡管兩大陣營均自稱只有自己的工藝才是最適合制作HKMG晶體管的技術(shù)，但一般來說使用Gate-first工藝實(shí)現(xiàn)HKMG結(jié)構(gòu)的難點(diǎn)在于如何控制 PMOS管的Vt電壓(門限電壓);而Gate-last工藝的難點(diǎn)則在于
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臺(tái)積電老將再出山 蔣尚義領(lǐng)命戰(zhàn)研發(fā)

  • 　　不知是否是因?yàn)镚lobal Foundries的步步威脅，臺(tái)積電28日宣布，延聘3年前離職的蔣尚義博士擔(dān)任研究發(fā)展資深副總經(jīng)理，他將直接對(duì)張忠謀董事長負(fù)責(zé)。 　　這是繼張忠謀6月重新執(zhí)政臺(tái)積電以來，又一次重大的人事調(diào)整。蔣尚義博士早在1997年即加入臺(tái)積電擔(dān)任研究發(fā)展副總經(jīng)理，帶領(lǐng)研發(fā)團(tuán)隊(duì)一路順利開發(fā)完成0.25微米、0.18微米、0.13微米、90納米、65納米等各個(gè)世代的先進(jìn)工藝技術(shù)，成果斐然。但是三年多前因?yàn)橐疹櫮赀~生病的父親而暫時(shí)離開，如今因父親仙逝而能再度回到臺(tái)積，相信蔣資深副總的回任，
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臺(tái)積電將低功耗高k金屬柵工藝納入28納米技術(shù)藍(lán)圖

  • 　　臺(tái)積電24日宣布已將低耗電工藝納入28納米高介電層/金屬閘(High-k Metal Gate，HKMG)工藝的技術(shù)藍(lán)圖，預(yù)計(jì)于2010年第三季進(jìn)行試產(chǎn)(Risk Production)。 　　臺(tái)積電自2008年九月發(fā)表28納米技術(shù)以來，技術(shù)的發(fā)展與進(jìn)入量產(chǎn)的時(shí)程皆按預(yù)期計(jì)劃進(jìn)行。就試產(chǎn)時(shí)程順序而言，低耗電氮氧化硅(簡稱28LP)工藝預(yù)計(jì)于2010年第一季底進(jìn)行試產(chǎn)，高效能高介電層/金屬閘(簡稱28HP)工藝則預(yù)計(jì)于2010年第二季底開始試產(chǎn)，而低耗電高介電層/金屬閘(簡稱28HPL)工藝的試產(chǎn)時(shí)程
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晶圓代工22納米競賽鳴槍　Global Foundries略勝臺(tái)積電一籌

  • 　　晶圓代工業(yè)者Global Foundries來勢洶洶，除積極與臺(tái)積電爭搶兩大繪圖芯片客戶超微(AMD)與NVIDIA訂單，在技術(shù)上亦強(qiáng)調(diào)其將是目前晶圓代工廠最領(lǐng)先者，繼臺(tái)積電日前發(fā)表28納米制程技術(shù)，Global Foundries亦不甘示弱，對(duì)外發(fā)表22納米制程，預(yù)計(jì)最快2012年進(jìn)行生產(chǎn)，與臺(tái)積電互別苗頭意味濃。 　　臺(tái)積電日前在京都VLSI大會(huì)上發(fā)表28納米制程，是首代正式采用高k金屬柵(High-k Metal Gate;HKMG)制程技術(shù)，并將取代32納米成為全世代制程，多數(shù)晶圓廠包括Gl
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GLOBALFOUNDRIES介紹22納米及更小尺寸技術(shù)

  • 　　GLOBALFOUNDRIES日前介紹了一種創(chuàng)新技術(shù)，該技術(shù)可以克服推進(jìn)高 k金屬柵(HKMG)晶體管的一個(gè)主要障礙，從而將該行業(yè)向具有更強(qiáng)計(jì)算能力和大大延長的電池使用壽命的下一代移動(dòng)設(shè)備推進(jìn)了一步。 　　眾所周知，半導(dǎo)體行業(yè)一直致力于克服似乎難以逾越的困難，以延續(xù)更小、更快、更節(jié)能的產(chǎn)品趨勢。研究是通過GLOBALFOUNDRIES參與IBM技術(shù)聯(lián)盟來與IBM合作的形式進(jìn)行的，旨在繼續(xù)將半導(dǎo)體元件的尺寸縮小到22納米節(jié)點(diǎn)及更小尺寸。 　　在2009年于日本京都舉行的VLSI技術(shù)研討會(huì)上，GLOB
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ARM推32nm工藝處理器

  •         ARM在巴塞羅那移動(dòng)世界大會(huì)上展示了32nm工藝的ARM處理器。ARM合作伙伴將在2009年開始接觸測試這一技術(shù)，全面投產(chǎn)則要到2010年初。 　　它是第一個(gè)采用ARM物理IP、在IBM基于32nm高K金屬門(HKMG)工藝的Common Platform測試芯片上構(gòu)建的32nm Cortex系列處理器核。 　　ARM正在開發(fā)量身定制的物理IP，其目標(biāo)是利用Common Platform 32/28nm HKMG技術(shù)
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臺(tái)積電規(guī)劃32納米制程提供HKMG技術(shù)

  • 　　據(jù)Chinatimes報(bào)道，臺(tái)積電年底40納米即將導(dǎo)入量產(chǎn)，對(duì)次世代32納米技術(shù)也有了新規(guī)劃，除了提供一般型及低功耗的32納米技術(shù)外，近期業(yè)內(nèi)已傳出將提供高介電金屬柵電極（High-K Metal Gate，HKMG）技術(shù)，此舉等同于可提供中央處理器（CPU）代工服務(wù)，業(yè)內(nèi)預(yù)期這是為了爭取AMD處理器訂單而先行鋪路。 　　臺(tái)積電于今年3月底正式推出40納米晶圓共乘服務(wù)，提供客戶泛用型制程（40G）及低耗電制程（40LP）等兩種制程，下半年亦有多個(gè)產(chǎn)品完成設(shè)計(jì)定案（tape-out），明年第二季將推出
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hkmg介紹

HKMG(high-k絕緣層+金屬柵極) HKMG的優(yōu)勢和缺點(diǎn) 優(yōu)勢：不管使用Gate-first和Gate-last哪一種工藝，制造出的high-k絕緣層對(duì)提升晶體管的性能均有重大的意義。high-k技術(shù)不僅能夠大幅減小柵極的漏電量，而且由于high-k絕緣層的等效氧化物厚度(EOT:equivalentoxidethickness)較薄，因此還能有效降低柵極電容。這樣晶體管的關(guān)鍵尺 [ 查看詳細(xì) ]

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