新聞中心

EEPW首頁 > 網(wǎng)絡與存儲 > 業(yè)界動態(tài) > SK海力士全球首次在移動端DRAM制造上采用HKMG工藝

SK海力士全球首次在移動端DRAM制造上采用HKMG工藝

作者: 時間:2022-11-11 來源:SK海力士 收藏

Warning: file_get_contents(): php_network_getaddresses: getaddrinfo failed: Name or service not known in /var/www/html/www.edw.com.cn/www/rootapp/controllerssitemanage/ManagecmsController.php on line 2013 Warning: file_get_contents(https://img.dramx.com/website/dramx/20221111091206_SK-hynix_LPDDR5X-interview_04.png): failed to open stream: php_network_getaddresses: getaddrinfo failed: Name or service not known in /var/www/html/www.edw.com.cn/www/rootapp/controllerssitemanage/ManagecmsController.php on line 2013 Warning: getimagesize(): php_network_getaddresses: getaddrinfo failed: Name or service not known in /var/www/html/www.edw.com.cn/www/rootapp/controllerssitemanage/ManagecmsController.php on line 2048 Warning: getimagesize(https://img.dramx.com/website/dramx/20221111091412_SK-hynix_LPDDR5X-interview_08.jpg): failed to open stream: php_network_getaddresses: getaddrinfo failed: Name or service not known in /var/www/html/www.edw.com.cn/www/rootapp/controllerssitemanage/ManagecmsController.php on line 2048

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/202211/440318.htm

全球首次在采用了“(High-K Metal Gate)”*工藝,成功研發(fā)出了LPDDR5X(Low Power Double Data Rate 5X),并于近期開始正式銷售。

*(High-K Metal Gate):在晶體管內(nèi)的絕緣膜上采用高K柵電介質(zhì),在防止漏電的同時還可改善電容(Capacitance)的新一代工藝。不僅可以提高內(nèi)存速度,還可降低功耗。

這款產(chǎn)品可在固態(tài)技術(shù)協(xié)會(JEDEC,Joint Electron Device Engineering Council)規(guī)定的超低電壓范圍(1.01~1.12V)內(nèi)運行,功耗也比上一代產(chǎn)品減少了25%,從而實現(xiàn)了業(yè)界最高能效。

又稱作LPDDR,其中的LP代表“Low Power(低功耗)”??梢姷凸氖亲铌P(guān)鍵的因素。移動設(shè)備的電量有限,為了延長產(chǎn)品的使用時間,就必須盡可能地降低電耗。

這就是內(nèi)存產(chǎn)品在加快速度的同時,也注重低功耗的原因。推出的LPDDR5X產(chǎn)品,在DRAM中首次引入了工藝,在提高產(chǎn)品性能的同時降低了電耗,可謂是一箭雙雕。

LPDDR5X的功耗變低,意味著采用LPDDR5X的移動設(shè)備充一次電可使用時間更長。消費者使用的電力也將隨之大大減少,與一貫堅持的ESG經(jīng)營理念一脈相承。此外,本次SK海力士成功研發(fā)的LPDDR5X的速度比上一代產(chǎn)品加快了33%,可達8.5Gbps。

SK海力士率先在LPDDR產(chǎn)品采用HKMG工藝的舉動引起了業(yè)界的不少關(guān)注。有業(yè)內(nèi)人士評價稱,SK海力士再一次憑借大膽的挑戰(zhàn),取得了驚人的成果。SK海力士團隊到底都是何方“神圣”,可以如此不斷突破極限,打造卓越產(chǎn)品?

本期,SK海力士新聞中心采訪了成功研發(fā)LPDDR5X的“大神”們——Mobile & Auto策劃團隊的李在赫TL(Technical Leader)、功能器件(Function Device)團隊的南基奉TL 、Canopus LPD5 PE團隊的趙誠權(quán)PL(Project Leader)、設(shè)計品質(zhì)創(chuàng)新團隊的金顯承TL和MCP/MO Enablement團隊的李旭宰PL,來聽聽他們在研發(fā)過程中的一些幕后花絮,感受他們的挑戰(zhàn)精神。

▲SK海力士實現(xiàn)世界最早、最高成就的LPDDR研發(fā)歷程不斷實現(xiàn)了更快的運行速度和更低的功耗

LPDDR(Low Power Double Data Rate)被稱為移動端DRAM,主要用于智能手機、筆記本、平板電腦等無線電子產(chǎn)品。與一般DRAM相比,LPDDR具有體積小、功耗低的優(yōu)勢,可以減小無線電子產(chǎn)品的體積,并延長使用時間。近來,智能手機等市場對移動設(shè)備的需求激增,進一步助推了LPDDR的快速發(fā)展。隨著人們愈發(fā)強調(diào)環(huán)境因素,低功耗的LPDDR備受青睞。

▲ LPDDR5X的速度較LPDDR5提升了33%,僅1秒就可以下載13部5GB大小的視頻

SK海力士緊跟市場趨勢,不斷深耕LPDDR的研發(fā)。繼去年成功量產(chǎn)業(yè)界最高容量的18GB LPDDR5后,今年再次成功研發(fā)出業(yè)界最快的LPDDR5X(4266MHZ/8.5Gbps),向外界證明了公司在存儲器半導體領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。本期內(nèi)容中,我們聆聽一下研發(fā)和銷售卓越的產(chǎn)品,引領(lǐng)著半導體生態(tài)圈的SK海力士主角們。

▲ 五位LPDDR5X開發(fā)主角正在笑著回憶以往的故事(從左到右,南基奉TL、趙誠權(quán)PL、金顯承TL、李在赫TL、李旭宰PL)

揭曉全球最快的LPDDR5X的研發(fā)過程

有句玩笑說:“只有嚴刑逼問外星人才能獲得半導體技術(shù)”,可見其難度之大。想成功研發(fā)新一代半導體產(chǎn)品并實現(xiàn)量產(chǎn),需要策劃、設(shè)計、生產(chǎn)、銷售等眾多成員的共同努力。負責產(chǎn)品策劃的李在赫TL回想起LPDDR5X的策劃過程,這樣說道:“一般來說,新一代產(chǎn)品的策劃在數(shù)年前開始。在策劃LPDDR5X時,實現(xiàn)8.5Gbps的產(chǎn)品規(guī)格實屬不易。當時,各個相關(guān)部門也是議論紛紛。但我們卻很有信心,這種信心讓我們最終在目標期間內(nèi)成功完成業(yè)界最快、最低功耗的LPDDR5X。”

▲李在赫TL面帶笑容,向我們敘述LPDDR5X的策劃過程

如今,研發(fā)團隊可以笑容滿面地從容講述LPDDR5X的研發(fā)過程,但在先前攻堅克難的階段,他們卻吃了不少苦頭。負責LPDDR5X產(chǎn)品設(shè)計的金顯承TL回憶道:“技術(shù)研發(fā)真是要過五關(guān)、斬六將,每天都在苦思冥想該如何進一步提高速度、減少功耗。相關(guān)會議也是無休無止?!?/p>

▲金顯承TL敘述成功研發(fā)LPDDR5X的幕后故事

金顯承TL總結(jié)出了在重重困難下依舊成功研發(fā)出LPDDR5X的理由:“在我看來,LPDDR5X的成功得益于自由的研發(fā)氛圍。其實,開發(fā)LPDDR這樣的衍生產(chǎn)品時,我們一般不會大幅度地修改電路。但這次的工作環(huán)境相對自由,所以在設(shè)計過程中,我們也自由地嘗試修改電路或采用新技術(shù)等等。我覺得這種自由的工作氛圍和采用新技術(shù)的挑戰(zhàn)精神,是本次項目成功的一大重要因素。”

在LPDDR5X的研發(fā)過程中,團隊需要考慮的不僅僅是如何提高產(chǎn)品的運行速度。LPDDR產(chǎn)品主要用于智能手機市場,鑒于該市場周期性地上市新產(chǎn)品,需要及時跟進市場時機成功推出LPDDR5X。

負責產(chǎn)品工程的趙誠權(quán)PL在當時也因這一問題倍感壓力。但在攻堅克難后,他跟我們分享了自己的成功經(jīng)驗:“我們要緊跟智能手機新品開發(fā)進度推出并提供產(chǎn)品,才能夠確保產(chǎn)品的競爭力。這樣的條件給我們帶來了較大的心理負擔。最終,我們能在限定的時間內(nèi)及時推出LPDDR5X,更使其生產(chǎn)良率領(lǐng)先于先前負責的所有產(chǎn)品,這讓我更為自豪?!?/p>

▲趙誠權(quán)PL(從右數(shù)第二位)向我們講述研發(fā)時的受壓心境

在產(chǎn)品測試過程中,研發(fā)團隊也遇到了各種始料未及的難題。南基奉TL負責設(shè)計半導體制造的許多工藝流程(PI,Process Integration),他說:“LPDDR5X的研發(fā)過程中,我們也遇到了許多意料之外的問題。但每次問題出現(xiàn),相關(guān)部門都會攜手合作,一起分析原因并尋找解決方案。正是同事們的這種積極態(tài)度,造就了LPDDR5X的成功研發(fā)。”

LPDDR5X的環(huán)保特性賦能愈發(fā)重要的ESG經(jīng)營

SK海力士推出的LPDDR5X不僅速度快,還可以在JEDEC*指定的超低電壓范圍(1.01~1.12V)內(nèi)運行,比前一代產(chǎn)品減少了25%的功耗。

*JEDEC:固態(tài)技術(shù)協(xié)會(Joint Electron Device Engineering Council), 規(guī)定半導體標準規(guī)格的機構(gòu)。

在LPDDR5X研發(fā)過程中,SK海力士切實踐行了ESG經(jīng)營理念。李在赫TL說道:“除了延長移動設(shè)備的使用時間,我們還考慮了ESG因素,試圖顯著減少電子產(chǎn)品的電力消耗。這種努力并沒有白費,LPDDR5X相較于上一代產(chǎn)品,可節(jié)省25%的功耗?!?/p>

▲李旭宰PL重點強調(diào)LPDDR5X的低功耗特點

李旭宰PL補充道:“比起搭載上一代產(chǎn)品的智能手機,采用LPDDR5X的智能手機有更長的續(xù)航時間。這意味著,消費者充一次電可以使用更長時間。換句話說,充電次數(shù)減少了,耗電量也就減少了,也從而起到了減碳的作用。”

此外,為進一步加強SK海力士的ESG經(jīng)營,許多人認為公司員工需采取更積極的態(tài)度去實踐ESG價值。對此,李在赫TL表示:“在產(chǎn)品研發(fā)過程中,我們從策劃階段就要積極考慮ESG因素,只有這樣,在實際開發(fā)過程中才可以切實落實ESG價值?!?/p>

趙誠權(quán)PL也說道:“從設(shè)計到產(chǎn)品策劃,我們在所有研發(fā)階段都積極實踐ESG價值。比如在測試產(chǎn)品時,我們會盡量縮短測試時間,設(shè)計階段也盡量考慮產(chǎn)品以最低電耗運行等?!?/p>

“挑戰(zhàn)精神可以打造更強的SK海力士”

速度更快、功耗更低的LPDDR5X是SK海力士員工們經(jīng)過不斷思考、付出辛勤汗水后結(jié)出的碩果。負責營銷的李旭宰PL告訴我們,包括系統(tǒng)級芯片(SoC,System on Chip)企業(yè)在內(nèi)的眾多客戶對SK海力士新推出的LPDDR5X產(chǎn)品都贊不絕口?!癓PDD5X可以減少20%以上的電耗,客戶對此的反饋也相當不錯,這真的讓我們覺得很欣慰?!?/p>

▲南基奉TL(中間)在展望SK海力士的積極未來

SK海力士的員工們對未來逐步升級的下一代半導體產(chǎn)品也充滿了希望。他們對研發(fā)更快、更強的半導體頗具信心。南基奉TL信心滿滿地說道:“根據(jù)我在SK海力士工作的經(jīng)驗,研發(fā)初期,我們總會遇到很多阻礙,總覺得‘怎么就這么難?’但只要躍過幾次高墻,后邊的攻關(guān)就容易多了。我們今天躍過了LPDDR5X這一高墻,明天就能躍過更高性能產(chǎn)品的高墻。”

最后,金顯承TL強調(diào)稱,SK海力士的員工需要有挑戰(zhàn)精神。他說:“我有句話想囑咐給晚輩同事們。作為引領(lǐng)半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的SK海力士成員,我們必須要有挑戰(zhàn)精神,樹立更高更遠的目標。我們要從多個不同的方面考慮,看看有沒有更好的創(chuàng)意,并不停地進行各種挑戰(zhàn)。我相信,只要我們不斷挑戰(zhàn)新的東西,最終真的可以研發(fā)出只有外星人才能研發(fā)的半導體產(chǎn)品?!?/p>



關(guān)鍵詞: SK海力士 移動端 DRAM HKMG

評論


相關(guān)推薦

技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉