- 又不是患了什么「癡呆癥」，要做一個有記憶的人，有什么困難呢？這句話聽起來似乎言之成理，然而從另一方面來說，要做一個有記憶的人，卻必須要有相當?shù)哪芰Σ判?/li>
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內存 DRAM
- 由于出現(xiàn)歷史上最大虧損，各大電腦記憶芯片(DRAM)廠家紛紛計劃撤出內地生產線。
全球金融海嘯的持續(xù)蔓延，除了金融業(yè)之外，致使電子產業(yè)也虧損連連。由于DRAM芯片價格的大幅下跌，DRAM廠商力晶、南亞科技和華亞科技前三季虧損高達683億新臺幣，可以說是史上最慘的一次。
目前國際品牌紛紛減少在中國的生產采購，造成沿海經濟嚴重受挫。而大部分在國內設立的代工廠日子更是不好過。鑒于這種狀況，華亞科技日前透露，該公司已減少了旗下約20%的DRAM芯片產能，減產策略帶來的影響預計將會在其1
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DRAM
- 日前，由于全球經濟放緩造成亞洲芯片制造業(yè)需求疲軟，臺灣芯片制造商南亞科技公司和華亞半導體公司宣布第三季度損失慘重。這兩家企業(yè)警告說，第四季度，芯片價格還可能進一步下滑，出貨量同第三季度相比將保持平穩(wěn)。
南亞科技公司，臺灣第二大芯片制造商周三表示，受低迷經濟環(huán)境和芯片供過于求造成的價格下降影響，已經連續(xù)六個季度虧損。南亞科技擁有華亞35.6%的股份。提到電腦需求和其他消費電子產品，南亞科技副總裁白培林表示，需求一直非常低迷?！ ?nbsp;
經管現(xiàn)實不容樂觀，大多數(shù)券商仍舊看好DR
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芯片 DRAM 南亞科技
- 臺灣地區(qū)取得全球晶圓代工第一、封裝第一及IC設計第二（僅次于美國）如此驕人的成績，并沒有 沾沾自喜，相反總是在努力尋找差距，并確立追趕目標，這一點非常難能可貴。例如在臺灣島內自2004年開始，就半導體及平板顯示業(yè)展開大討論，以南韓為目標尋找差距?？谔柺?ldquo;為什么韓國能，臺灣不能？”
通過分析與比較，臺灣在半導體產業(yè)中的目標是：1) 總產值要超過韓國，成為繼美國，日本之后的全球第三位；2) 在未來三至五年中，存儲器業(yè)要超過韓國，成為全球第一。
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晶圓 IC設計 存儲器 DRAM 半導體業(yè)
- 30年來全球最嚴重的金融風暴來臨，與2000年時網(wǎng)絡泡沫破裂不同，此次涉及到全球范圍，包括美，日，英，德等幾乎無一能幸免。而且風暴延續(xù)多久目前尚難定論。
對于半導體業(yè)的影響有兩點己經達成共識：今年感恩、圣誕和元旦新年節(jié)前的旺季不旺以及明年上半年半導體業(yè)將繼續(xù)走軟。
分析內因主要仍是存儲器的供過于求，導致價格繼續(xù)下跌。近期的全球金融危機影響，又使資金緊縮及消費者信心指數(shù)下降，導致庫存問題進一步惡化。
分析外部原因，由于全球經濟大環(huán)境的惡化造成產業(yè)界的心理恐慌，在此背景下很難作出正確判斷，
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處理器 英特爾 DRAM 半導體
- 自動化和控制技術、計量、機器人以及安全領域的工業(yè)應用對所用內存組件及模塊的要求與標準PC或辦公應用有所不同。多數(shù)情況下，這些領域的重點并不是基于最新工藝技術的終極性能，而是最高的可靠性、緊湊性、質量和低功耗，同時還有較長的產品周期和相關的供貨保證。
到目前為止，標準PC中所用的DRAM內存構件一直符合摩爾定律：存儲容量大約每24個月翻一番，而模塊的工作頻率越來越快。在迅速變遷的市場中，要想組件成本呈指數(shù)級下降以及性能（容量與速度）呈指數(shù)級上升，就必須這樣。由于PC平均壽命約為四年，因此這還意味著
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工業(yè)應用 DRAM
- 當?shù)貢r間本周二，世界貿易組織爭議解決團隊表示，將成立了一個檢查小組，對日本政府是否遵從早期世界貿易組織宣布的取消對韓國DRAM儲存芯片征收關稅的決定進行檢查。
2007年11月世界貿易組織爭議解決團隊宣布決定稱，對韓國出口到日本的DRAM儲存芯片，日本必須取消其征收27.2%的反補貼關稅。
征收反補貼關稅的案例源于2002年，全球第二大儲存芯片制造商韓國現(xiàn)代半導體公司與日本爾必達儲存公司、美國美光科技公司在全球儲存產品市場進行著激烈的競爭，競爭者抱怨韓國政府向現(xiàn)代半導體提供補貼阻礙了市場的
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儲存芯片 DRAM 韓國 日本
- 據(jù)國外媒體報道，來自芯片在線交易網(wǎng)站DRAMeXchange的數(shù)據(jù)顯示，在過去兩周時間內，主流DRAM芯片的合同價格跌幅逼近18%，創(chuàng)新的歷史紀錄。
DRAMeXchange數(shù)據(jù)顯示，在9月份下半月里，伴隨著芯片廠商和PC廠商之間的討價還價，DRAM芯片的平均合同價跌至1.44美元，而在9月份上半月，DRAM芯片平均合同價為1.75美元。
分析人士指出，當前DRAM芯片業(yè)界出現(xiàn)大幅度價格下滑，與之前存儲芯片廠商盲目上馬生產線關系密切，從而造成業(yè)內廠商間的價格打壓、帶來惡性競爭。
在微
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DRAM 芯片 存儲 內存
- 據(jù)國外媒體報道，一部分DRAM內存制造商在上周削減產量，希望減少供貨能刺激內存價格復蘇，但分析師指出，降價行動太少，時間也太晚了。
隨著上周DRAM價格跳水至新低，日本的Elpida公司和中國臺灣的Powerchip半導體公司在上周都削減了產量。然而，雖然減產放緩了DRAM價格下跌的速度，但它們無法阻止市場整體下滑。
分析師指出，由于內存芯片供過于求，DRAM制造商整個一年都免不了麻煩。由于預期隨新電腦銷售和微軟Vista操作系統(tǒng)推出后DRAM需求會增加，去年它們建設了太多的新工廠，然而事
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內存 DRAM Elpida Powerchip
- 世界經濟蕭條和半導體價格下跌讓全球半導體市場陰云密布。世界半導體企業(yè)自去年起在虧損狀態(tài)下進行了一輪意在“置對手于死地”的攻擊性投資。有分析認為，世界排名第5的德國DRAM廠商奇夢達等部分企業(yè)最近面臨嚴重危機，隨著產業(yè)結構進入重新洗牌階段，半導體價格已跌至谷底。
半導體產業(yè)的危機已達到頂點
最近，半導體行業(yè)面臨著前所未有的危機。尤其是在DRAM行業(yè)，今年除三星電子之外，其他企業(yè)都在虧損。NAND閃謺行業(yè)的情況也是一樣。除三星電子之外，生產NAND閃存（主要用于
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半導體 NAND DRAM 奇夢達 三星電子
- 即將投入建設的蘇州12英寸半導體項目十足吊夠了人們的胃口。
先是業(yè)界的傳言不斷以及各方矢口否認，接著是更大范圍的傳聞與否認；一直到8月中旬，日本半導體制造大廠爾必達的一則新聞稿終于為這起投資案做出定論——項目總耗資達50億美元，由爾必達、蘇州創(chuàng)業(yè)集團以及另一方合作伙伴成立合資企業(yè)進行運營。
讓人意想不到的是，即便在爾必達公開發(fā)布了合資消息，有關方面對于項目合作的諸多事宜仍然諱莫如深。圍繞項目的建立，三大疑問仍然待解：蘇州芯片項目“另一方合作伙伴&rdqu
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半導體 12英寸 蘇州 奇夢達 內存 爾必達 DRAM
- 世界經濟蕭條和半導體價格下跌讓全球半導體市場陰云密布。世界半導體企業(yè)自去年起在虧損狀態(tài)下進行了一輪意在“置對手于死地”的攻擊性投資。有分析認為，世界排名第5的德國DRAM廠商奇夢達等部分企業(yè)最近面臨嚴重危機，隨著產業(yè)結構進入重新洗牌階段，半導體價格已跌至谷底。
半導體產業(yè)的危機已達到頂點
最近，半導體行業(yè)面臨著前所未有的危機。尤其
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半導體 NAND DRAM 奇夢達
- 據(jù)道瓊斯通訊社報道，南通富士通微電子股份有限公司（Nantong Fujitsu Microelectronics Co.， 簡稱：富通微電）和南亞科技（Nanya Technology Corp.， ）周二表示，雙方簽署了一份專利許可協(xié)議，以解決雙方圍繞動態(tài)隨機存儲器（Dynamic Random Access Memory， DRAM芯片）的專利糾紛。
兩公司發(fā)表聯(lián)合公告表示，根據(jù)協(xié)議，南通富士通微電子股份有限公司母公司富士通（Fujitsu Ltd.， ）將撤回要求法院禁止南亞科技DRAM
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富士通 南亞科技 存儲器 DRAM 專利
- 奇夢達公司與專精于高速內存架構的全球領先的技術授權公司Rambus共同宣布奇夢達已開始為PLAYSTATION 3（PS3）計算機娛樂系統(tǒng)量產出貨XDR DRAM.
奇夢達的第一批512 Mb XDR DRAM樣本已于2008年1月開始出貨。 XDR內存解決方案拓展了奇夢達的利基型內存（specialty RAM portfolio）產品布局，能滿足全球快速成長的計算機和消費電子產品市場對高效能及高頻寬的應用需求。
XDR內存架構能支持高容量且具有成本競爭力的應用。奇夢達XDR DRAM
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- 臺灣力晶半導體表示，由于晶片價格下跌，公司很可能推遲兩家新12英寸晶片廠的設備安裝。
綜合外電8月27日報道，力晶半導體股份有限公司（5346.OT）發(fā)言人譚仲民27日表示，由于晶片價格下跌，公司很可能推遲兩家新12英寸晶片廠的設備安裝。以收入計，力晶半導體是臺灣最大的動態(tài)隨機存儲器（DRAM）晶片生產商。
力晶半導體原計劃于2009年第三季度臺灣北部新竹的兩家工廠建設完工后開始安裝新設備。
譚仲民稱，由于市場狀況較差，目前看來公司可能會在2009年第四季度或2010年年初開始安裝設
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力晶 半導體 晶片 12英寸 DRAM
dram介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應用。
動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [
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