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全球DRAM產(chǎn)業(yè)分分合合 結(jié)盟變化顯示激烈競(jìng)爭(zhēng)勢(shì)態(tài)

  • 　　日本大廠（Elpida）與德國(guó)DRAM大廠（Qimonda）24日宣布，已簽訂共同開(kāi)發(fā)技術(shù)合作意向書(shū)，攜手開(kāi)發(fā)新世代DRAM技術(shù)，不僅宣告溝槽式記憶體陣營(yíng)將成為過(guò)去式，奇夢(mèng)達(dá)也將與力晶化敵為友，與爾必達(dá)站在同一陣線(xiàn)力抗業(yè)界龍頭韓國(guó)三星電子。 　　這是繼上月初臺(tái)塑集團(tuán)旗下南亞科技宣布將與奇夢(mèng)達(dá)終止合作，轉(zhuǎn)投美商美光（Micron）陣營(yíng)后，全球DRAM業(yè)又一次勢(shì)力大重組。根據(jù)DRAM市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技（DRAMeXchange）調(diào)查，奇夢(mèng)達(dá)與爾必達(dá)去年全球市占率排名分居第三、四名，兩家結(jié)盟后市占率25.6
  • 關(guān)鍵字： DRAM  奇夢(mèng)達(dá)  爾必達(dá)  

全球半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)組織委員會(huì)會(huì)議在上海舉行 推動(dòng)存儲(chǔ)工業(yè)新標(biāo)準(zhǔn)制定

  • 　　隨著筆記本電腦、手機(jī)等移動(dòng)終端以及家用數(shù)碼產(chǎn)品的大規(guī)模增長(zhǎng)，器的移動(dòng)性和能耗問(wèn)題已廣泛受到業(yè)界關(guān)注。日前，(全球半導(dǎo)體組織)委員會(huì)會(huì)議在上海舉行，推動(dòng)存儲(chǔ)工業(yè)新標(biāo)準(zhǔn)制定。 　　在過(guò)去五年內(nèi)，JEDEC曾與中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)組織合作，促進(jìn)中國(guó)及世界的半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。例如中國(guó)電子標(biāo)準(zhǔn)協(xié)會(huì)(CESA)，中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)(CSIA)與中國(guó)電子標(biāo)準(zhǔn)研究所(CESI)等。 　　我國(guó)企業(yè)已占JEDEC會(huì)員數(shù)的20%，而且數(shù)目還在增長(zhǎng)。JEDEC本次會(huì)議主要研究了DDR3 SDRAM（第三代雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)
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存儲(chǔ)器兼并大戰(zhàn)開(kāi)始打響

  • 　　?目前全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)因供過(guò)于求及價(jià)格下降過(guò)快，已經(jīng)到了不可收拾的地步。目前唯一的辦法，是讓一家或幾家首先壓縮產(chǎn)能，來(lái)緩和供需矛盾，促使存儲(chǔ)器價(jià)格的回升。因此業(yè)界共識(shí)，全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)的兼并重組在即。???? ? ????全球存儲(chǔ)器業(yè)的震蕩在業(yè)界習(xí)以為常，中間最大的變化有兩次。一次是上世紀(jì)80年代日本依靠嚴(yán)格的質(zhì)量管理等，利用計(jì)算機(jī)中存儲(chǔ)器的爆炸性應(yīng)用市場(chǎng)，一舉超過(guò)美國(guó)成為全球最大的芯片制造地區(qū)，市場(chǎng)占
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恒憶?（NUMONYX）強(qiáng)勢(shì)進(jìn)軍存儲(chǔ)器市場(chǎng)

  • 　　2008年4月1日，中國(guó) – 恒憶™（Numonyx B.V）公司今天作為一家全新的半導(dǎo)體公司正式問(wèn)世。公司主要業(yè)務(wù)是整合NOR、NAND及內(nèi)置RAM的存儲(chǔ)器，并利用新型相變移位存儲(chǔ)器（PCM）技術(shù)，為存儲(chǔ)器市場(chǎng)開(kāi)發(fā)、提供創(chuàng)新的存儲(chǔ)器解決方案。新公司憑借其雄厚實(shí)力和技術(shù)專(zhuān)長(zhǎng)，在成立之初就成為存儲(chǔ)器市場(chǎng)的領(lǐng)先廠商，專(zhuān)注于存儲(chǔ)器開(kāi)發(fā)制造業(yè)務(wù)，為手機(jī)、MP3播放器、數(shù)碼相機(jī)、超便攜筆記本電腦、高科技設(shè)備等各種消費(fèi)電子產(chǎn)品制造商提供全方位的服務(wù)。 恒憶™將從非易失性存儲(chǔ)器
  • 關(guān)鍵字： RAM  NOR  NAND  DRAM  MP3  

FPGA到高速DRAM的接口設(shè)計(jì)(04-100)

  • 　　FPGA做為系統(tǒng)的核心元件正在更多的用于網(wǎng)絡(luò)、通信、存儲(chǔ)和高性能計(jì)算應(yīng)用中，在這些應(yīng)用中都需要復(fù)雜的數(shù)據(jù)處理。 　　所以，現(xiàn)在FPGA支持高速、外部存儲(chǔ)器接口是必須遵循的?，F(xiàn)在的FPGA具有直接接口各種高速存儲(chǔ)器件的專(zhuān)門(mén)特性。本文集中描述高速DRAM到FPGA的接口設(shè)計(jì)。 　　設(shè)計(jì)高速外部存儲(chǔ)器接口不是一件簡(jiǎn)單的任務(wù)。例如，同步DRAM已發(fā)展成高性能、高密度存儲(chǔ)器并正在用于主機(jī)中。最新的DRAM存儲(chǔ)器—DDR SDRAM，DDR2和RLDRAM II支持頻率范圍達(dá)到133MHz(260
  • 關(guān)鍵字： Altera  FPGA  DRAM  

Gartner下調(diào)全球半導(dǎo)體市場(chǎng)增長(zhǎng)率至3.4%

  • 　　據(jù)報(bào)道，在芯片需求走軟價(jià)格下跌的情況下，市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)Gartner下修全球IC產(chǎn)業(yè)營(yíng)收增長(zhǎng)率至先前預(yù)測(cè)值的二分之一。 　　去年12月，Gartner曾預(yù)估全球2008年IC市場(chǎng)將有6.2%的增長(zhǎng);但是在最新的預(yù)估中，修正至3.4%。 　　根據(jù)Gartner分析，2009-2012年IC市場(chǎng)增長(zhǎng)幅度分別為9.4%、6.5%、0.7%、5.3%。 　　然而，什么原因使2008年的預(yù)估表現(xiàn)下降?Gartner表示，市場(chǎng)中有許多不樂(lè)觀的跡象，首當(dāng)其沖的就是美國(guó)經(jīng)濟(jì)的疲軟甚至衰退。 　
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基于SRAM和DRAM結(jié)構(gòu)的大容量FIFO的設(shè)計(jì)

  • 分別基于Hynix公司的SRAM HY64UDl6322A和DRAM HY57V281620E，介紹了采用兩種不同的RAM結(jié)構(gòu)，通過(guò)CPLD來(lái)設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)大容量FIFO的方法。
  • 關(guān)鍵字： SRAM  DRAM  FIFO  大容量    

芯片價(jià)格下滑 現(xiàn)代半導(dǎo)體Q4虧損5億美元

  • 　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，全球第二大儲(chǔ)存芯片制造商韓國(guó)現(xiàn)代半導(dǎo)體周五公布去年四季度財(cái)務(wù)報(bào)告稱(chēng)，由于芯片價(jià)格下降，公司在超過(guò)四年的時(shí)間里首次出現(xiàn)虧損。 　　現(xiàn)代半導(dǎo)體表示，在12月31日結(jié)束的第四季度，公司虧損了4650億韓元(約合4.928億美元)，這是自2003年第二季度以來(lái)現(xiàn)代半導(dǎo)體首次出現(xiàn)的虧損。而2006年同期公司盈利1萬(wàn)億韓元。 　　由于使用在計(jì)算機(jī)上的DRAM儲(chǔ)存芯片和使用在數(shù)碼相機(jī)上的NAND閃存芯片價(jià)格下滑，四季度現(xiàn)代半導(dǎo)體的銷(xiāo)售收入從2006年同期的2.61萬(wàn)億韓元下降了29%為1.85萬(wàn)
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奇夢(mèng)達(dá);消費(fèi)電子將取代PC成內(nèi)存主要推動(dòng)

  • 　　內(nèi)存廠商奇夢(mèng)達(dá)(Qimonda)上一季度的銷(xiāo)售額出現(xiàn)了大幅下滑。在該公司的年度股東會(huì)議上，奇夢(mèng)達(dá)的首席執(zhí)行官羅建華對(duì)未來(lái)發(fā)表了謹(jǐn)慎樂(lè)觀的預(yù)測(cè)，并稱(chēng)消費(fèi)電子將取代PC市場(chǎng)成為行業(yè)的主要推動(dòng)力。 　　在向股東的發(fā)言中，羅建華表示，在過(guò)去一年中主流內(nèi)存芯片(DRAM)產(chǎn)品的平均售價(jià)下跌將近80%，這是奇夢(mèng)達(dá)銷(xiāo)售大幅減少的最主要原因。單在12月份的這個(gè)季度里，價(jià)格就下跌超過(guò)四成。“這是內(nèi)存芯片行業(yè)歷史上最嚴(yán)重的一次價(jià)格滑坡，”羅建華說(shuō)。 　　根據(jù)羅建華的分析，價(jià)格急劇下降的原因是供
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全球DRAM廠虧損持續(xù)擴(kuò)大

  • 盡管DRAM價(jià)格暫止血，但全球DRAM廠虧損黑洞卻持續(xù)擴(kuò)大，為搶救當(dāng)前重大危機(jī)，包括國(guó)際大廠及臺(tái)系DRAM廠紛紛被迫出招應(yīng)對(duì)，其中，全球第3大DRAM廠奇夢(mèng)達(dá)(Qimonda)旗下位于亞太唯一自建12英寸廠，目前已確定將暫停機(jī)器設(shè)備移入；至于同樣面臨極大壓力的臺(tái)廠，則傳出茂德決定在中科12英寸廠歲修時(shí)程將破天荒長(zhǎng)達(dá)10天。臺(tái)DRAM廠坦言，目前全球DRAM產(chǎn)業(yè)鏈的庫(kù)存非常夠用，盡管拉長(zhǎng)歲修時(shí)程對(duì)整體供需幫助不大，卻凸顯各DRAM廠面對(duì)虧損擴(kuò)大壓力，紛紛展開(kāi)應(yīng)變措施。 現(xiàn)階段對(duì)于DRAM廠而言，投資建廠
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Hynix預(yù)測(cè)：DRAM芯片市場(chǎng)將在二季度出現(xiàn)反彈

  • ?? 全球第二大存儲(chǔ)芯片制造商、韓國(guó)Hynix半導(dǎo)體日前表示，預(yù)計(jì)到今年第二季度其主要業(yè)務(wù)——電腦存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)將出現(xiàn)反彈。 ?　　在美國(guó)拉斯維加斯參加2008 CES上，Hynix半導(dǎo)體公司首席執(zhí)行官Kim Jong-kap發(fā)表了上述觀點(diǎn)。 　　他稱(chēng)，“此前，電腦儲(chǔ)存芯片市場(chǎng)一直處于低迷狀態(tài)，持續(xù)了大約15個(gè)月。而新一輪的低迷態(tài)勢(shì)從今年一月份開(kāi)始，預(yù)計(jì)這一狀態(tài)還將延續(xù)一段時(shí)間。我們認(rèn)為從今年第二季度開(kāi)始，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)將會(huì)陸續(xù)出現(xiàn)反彈
  • 關(guān)鍵字： Hynix DRAM 芯片市場(chǎng)  

奇夢(mèng)達(dá)開(kāi)始供應(yīng)首款512Mb XDRTM DRAM 樣品

  • 　　奇夢(mèng)達(dá)公司宣布已開(kāi)始向客戶(hù)供應(yīng)首款512Mb XDRTM DRAM的樣品。XDRTM (Extreme Data Rate) 內(nèi)存解體決方案擴(kuò)展了奇夢(mèng)達(dá)的繪圖RAM產(chǎn)品組合，以針對(duì)全球成長(zhǎng)快速的計(jì)算機(jī)和消費(fèi)性電子市場(chǎng)，提供更佳的高效能、高頻寬應(yīng)用。 　　奇夢(mèng)達(dá)公司繪圖產(chǎn)品事業(yè)部副總裁Robert Feurle表示：“我們對(duì)與Rambus公司簽訂技術(shù)授權(quán)合約一年內(nèi)，便推出第一款的XDRTM DRAM，感到非常驕傲。XDRTM DRAM對(duì)于奇夢(mèng)達(dá)的高效能DRAM產(chǎn)品組合而言，是一項(xiàng)高價(jià)值的延伸，同時(shí)也在
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三星半導(dǎo)體發(fā)動(dòng)攻擊型投資計(jì)劃

  • 　　據(jù)DigiTimes網(wǎng)站報(bào)道，短期內(nèi)三星電子(SamsungElectronics)將不減產(chǎn)DRAM，并將于2008年發(fā)動(dòng)攻擊型投資。三星副社長(zhǎng)周宇錫近日在首爾三星總部表示，為配合2009年三星總營(yíng)收達(dá)到1300億美元，并成為全球第1大電子廠商的目標(biāo)，盡管DRAM面對(duì)價(jià)格暴跌的壓力，但三星不僅不會(huì)減產(chǎn)，并將繼續(xù)執(zhí)行攻擊型投資。 　　根據(jù)三星已經(jīng)敲定的投資計(jì)劃，2008年總共11兆韓元(約合116.8億美元)，其中7兆韓元(約合74.3億美元)投資于半導(dǎo)體領(lǐng)域，3.7兆韓元(約合39.3億美元)投資于
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07年1-11月全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售收入同比增3.4%

  • 　　半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)修改了2007年全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售的預(yù)測(cè)數(shù)字，改正了一個(gè)重大的預(yù)測(cè)錯(cuò)誤，稱(chēng)DRAM內(nèi)存市場(chǎng)的數(shù)字高于預(yù)期是造成其預(yù)測(cè)錯(cuò)誤的主要原因。 　　世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織(WSTS)發(fā)布的2007年1至9月份的DRAM內(nèi)存市場(chǎng)的銷(xiāo)售數(shù)據(jù)是增長(zhǎng)的。目前還不清楚WSTS或者SIA是如何出現(xiàn)這個(gè)失誤的。WSTS和SIA都沒(méi)有解釋這個(gè)原因。 　　SIA稱(chēng)，修改后的數(shù)據(jù)是2007年1至11月份DRAM內(nèi)存市場(chǎng)的銷(xiāo)售收入比原來(lái)報(bào)告的數(shù)字增加了為13.5億美元，也就是4.8%。因此，同期的半導(dǎo)體銷(xiāo)售收
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Hynix預(yù)測(cè)：DRAM芯片市場(chǎng)將在二季度出現(xiàn)反彈

  • 　　全球第二大存儲(chǔ)芯片制造商、韓國(guó)Hynix半導(dǎo)體日前表示，預(yù)計(jì)到今年第二季度其主要業(yè)務(wù)——電腦存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)將出現(xiàn)反彈。 　　在美國(guó)拉斯維加斯參加2008CES上，Hynix半導(dǎo)體公司首席執(zhí)行官KimJong-kap發(fā)表了上述觀點(diǎn)。 　　他稱(chēng)，“此前，電腦儲(chǔ)存芯片市場(chǎng)一直處于低迷狀態(tài)，持續(xù)了大約15個(gè)月。而新一輪的低迷態(tài)勢(shì)從今年一月份開(kāi)始，預(yù)計(jì)這一狀態(tài)還將延續(xù)一段時(shí)間。我們認(rèn)為從今年第二季度開(kāi)始，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)將會(huì)陸續(xù)出現(xiàn)反彈。” 　　在今年第三季度，Hynix半導(dǎo)體擁有全球DRAM芯片市場(chǎng)20%份額
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dram介紹

DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以 必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新，存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。 它的存取速度不快，在386、486時(shí)期被普遍應(yīng)用。 動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲(chǔ)元按照行和列來(lái)組 [ 查看詳細(xì) ]
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