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半導體產(chǎn)業(yè)是否進入“無利潤繁榮”時代?
- 半導體產(chǎn)業(yè)是否進入了“無利潤繁榮”時代?半導體產(chǎn)業(yè)是否無法再獲得足夠的投資回報率來滿足空前高漲的產(chǎn)能需求?在美國加州HalfMoonBay舉行的“SEMI產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略座談會”(SEMIIndustryStrategySymposium)上,LamResearch總裁兼CEOStephenNewberry針對產(chǎn)業(yè)的狀態(tài)發(fā)表了觀點,并指出目前復(fù)雜的財務(wù)狀況用“無利潤繁榮”來描述是再合適不過的了。Newberry的講話被與會者評價為此次座談
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2008年全球半導體市場將出現(xiàn)從緊態(tài)勢
- 市場調(diào)研機構(gòu)Gartner公司最近發(fā)布報告,稱由于受到美國經(jīng)濟低迷和DRAM芯片市場拖累,預(yù)計2008年全球半導體廠商支出將下降19.8%,達475億美元。 Gartner公司負責半導體制造業(yè)務(wù)調(diào)查的副總裁Klaus Rinnen表示,“原來所預(yù)測的DRAM芯片的投資泡沫終于破裂了,大多數(shù)廠商選擇了從緊的投資策略。就當前的市場行情,預(yù)計今年DRAM市場支出將減少47%,而整個存儲芯片市場費用支出將減少29%”。 Gartner還稱,預(yù)計今年全球用于芯片設(shè)
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手機拆機分析揭示移動存儲的未來
- NAND和mDRAM激增,NOR-less機型增多 手機內(nèi)存內(nèi)容是否正在發(fā)生根本性變化? 在相對較短的時間內(nèi),隨著手機從商用工具發(fā)展成隨處可見的大眾通信工具,手機所使用的內(nèi)存一直基于NOR閃存與SRAM的組合,最近是NOR閃存與pSRAM的組合。但是,這種內(nèi)存配置正在面臨使用移動DRAM(mDRAM)和/或NAND閃存組合的方案的挑戰(zhàn)。 這種轉(zhuǎn)變的背后,是因為市場需要大容量、低成本數(shù)據(jù)存儲用于保存語音/音樂、照片和視頻,NAND最適于滿足這種需求。這些功能也需要手機RAM
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磁阻式隨機存儲器將挑戰(zhàn)閃存
- 磁阻式隨機存儲器(MRAM)將優(yōu)于快閃記憶體(Flash閃存)?飛思卡爾半導體正試圖證明這一點。 根據(jù)消息,飛思卡爾半導體(前摩托羅拉公司芯片部門)周一宣布,它已經(jīng)獲得了幾個風險投資公司的加入。據(jù)悉他們將聯(lián)合成立一家命名為Everspin科技的獨立技術(shù)公司,側(cè)重于研發(fā)制造MRAM(磁阻式隨機存儲器),其目的是為了“擴大MRAM及其相關(guān)產(chǎn)品的市場份額”。 MRAM與快閃記憶體不同,它使用了磁性材料與常規(guī)硅電路相結(jié)合記錄方式,在性能上MRAM具有接近SRAM的高
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內(nèi)存產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇時日不明 投資者可能轉(zhuǎn)向模擬芯片領(lǐng)域
- 由于處境不佳的電腦內(nèi)存市場今年預(yù)計僅會溫和復(fù)蘇,考慮押注全球芯片產(chǎn)業(yè)的投資者可能打算把資金投向快速增長的模擬芯片領(lǐng)域。用于便攜產(chǎn)品的閃存價格似乎正在趨穩(wěn),但參加路透全球技術(shù)、媒體與電信峰會的高管們表示,他們對于該產(chǎn)業(yè)何時復(fù)蘇不太確定。 分析師預(yù)計今年全球DRAM銷售額下降10%,2009年增長約20%。主要DRAM供應(yīng)商三星(Samsung)電子和海力士(Hynix)半導體的DRAM價格自4月以來反彈,促使業(yè)內(nèi)高管預(yù)期市場供需在今年下半年恢復(fù)平衡。 閃存價格持平 全球第二
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三星:內(nèi)存產(chǎn)業(yè)已走出波谷 價格即將反彈
- 5月27日消息,隨著供過于求的緩解,三星預(yù)計計算機內(nèi)存價格在今年晚些時候會出現(xiàn)反彈。 據(jù)國外媒體報道稱,新上任的三星電子內(nèi)存業(yè)務(wù)主管Kwon Oh Hyun今天在一次會議上表示,內(nèi)存芯片價格將不再“處于底部”。但內(nèi)存產(chǎn)業(yè)今年下半年的前景仍不明朗。 德意志銀行曾預(yù)計內(nèi)存產(chǎn)業(yè)已經(jīng)處于波谷,供應(yīng)增長的明顯減速將使得價格有望在2009年結(jié)束前出現(xiàn)反彈,Kwon的評論正好與德意志銀行的預(yù)計相符。 在內(nèi)存生產(chǎn)廠商上季度因存貨過多導致包括三星在內(nèi)的主要廠商出現(xiàn)虧損后,DRA
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存儲器大廠意外頻發(fā)“穩(wěn)定”行業(yè)價格
- 近期記憶體業(yè)者常幽默指出,以后DRAM和NAND型快閃記憶體(Flash)產(chǎn)業(yè)可能只有2種方法可帶動價格,一是每年1次的晶圓廠跳電事件,帶來的“自然減產(chǎn)機制”,使得上游供給減少,二是記憶體廠制程凸捶,導致的供給大減,尤其DRAM產(chǎn)業(yè)這么依賴個人電腦(PC)的成長性,很難再出現(xiàn)需求大好的情況,只好想盡辦法讓供給減少,維持價格秩序。 意外事件+制程出錯 穩(wěn)定價格的捷徑 2007年8月三星電子(Samsung Electronics)廠房意外電線走火,導致NAND Fla
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美光可有能買下奇夢達手中35%股權(quán) 大股東南科稱尚未定案
- 美光有可能買下奇夢達所持有的臺灣DRAM廠華亞科技的股權(quán)。對此,華亞科技大股東南科表示,針對華亞科技的股權(quán)處置,南科與奇夢達仍在協(xié)商中,尚未定案。 外電報道指出,美光決定與臺灣DRAM大廠南科結(jié)盟,兩公司計劃在臺合資成立亞美科技,預(yù)計2009年底前各自投資現(xiàn)金5.5億美元后,美光有可能進一步買下奇夢達所持有的華亞科技35%股權(quán)。 針對美光將買下奇夢達所持華亞科技股權(quán)事宜,華亞科總經(jīng)理高啟全表示,南科與奇夢達等兩大股東正針對華亞科股權(quán)處置事宜進行協(xié)商,至于結(jié)果由誰買下對方股權(quán)及資金來源,目前
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艱難時期顯實力 芯片代工巨頭加快產(chǎn)品轉(zhuǎn)型技術(shù)升級
- 今年第一季度,芯片代工企業(yè)大多贏利艱難,臺積電憑借雄厚的實力試圖甩開競爭對手。中芯國際為避免持續(xù)虧損,毅然放棄了DRAM代工業(yè)務(wù)。 進入2008年以來,受全球半導體產(chǎn)業(yè)增長緩慢、北美市場持續(xù)疲軟的影響,半導體芯片代工行業(yè)處境依舊艱難。對全球前四大代工廠公布的2008年第一季度財報進行分析可以看出,在該季度,除領(lǐng)頭羊臺積電有較大幅度增長之外,其他廠家都在為贏利而掙扎, 有的還處在產(chǎn)品線轉(zhuǎn)型的陣痛之中。不過,通信和消費電子產(chǎn)品市場的增長也給業(yè)內(nèi)人士帶來一絲寬慰,這或許預(yù)示著半導體產(chǎn)業(yè)將走入新的
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DRAM廠商的太陽能戰(zhàn)略
- 在DRAM產(chǎn)業(yè)遭受單價和庫存的雙重打擊下,DRAM供應(yīng)商們正在積極調(diào)整經(jīng)營策略,應(yīng)對這一危機。就在5月5號,內(nèi)存供貨商奇夢達宣布和德國的太陽能公司CentroSolar集團合資建立和營運一座太陽能電池制造廠,生產(chǎn)以硅材料為主的太陽能電池。CentroSolar將占有49%的股權(quán),奇夢達全資子公司奇夢達Solar GmbH持有另外51%的股權(quán)。并且與位于江西省新余市的江西賽維LDK太陽能高科技有限公司達成了硅片供應(yīng)的協(xié)議。 擁有硅晶圓生產(chǎn)線并且布局太陽能電池市場的DRAM芯片公司,奇夢達并非第一家。臺
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芯片設(shè)備業(yè)有望迎來新一輪增長周期
- 《商業(yè)周刊》文章指出,經(jīng)過一年時間的磨難和快速衰退,半導體廠商們有望在2009年迎來新一輪增長周期。 當業(yè)內(nèi)權(quán)威人士正在為美國經(jīng)濟是否已經(jīng)陷入衰退而爭論不休時,半導體設(shè)備廠商們早就經(jīng)歷了衰退浪潮的侵襲。標準普爾分析師Angelo Zino表示:“芯片設(shè)備產(chǎn)業(yè)擁有繁榮周期,它早在一年前就已經(jīng)進入衰退期,2008年的情況也不太樂觀。” Zino說,預(yù)計今年的半導體設(shè)備的銷售額將繼續(xù)下滑,主要是因為內(nèi)存芯片尤其是DRAM芯片的需求疲軟。他說:“我們
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功耗文化決定設(shè)計取向
- 功耗,人們在不同的語境下討論這一問題:一方面,惜電如金,一方面更加廣泛地利用電能;一方面降低功耗,一方面冷卻用電設(shè)備……由此,降低功耗更是設(shè)計取向問題。 電子行業(yè)的確有兩種功耗文化。在近日美國舊金山舉辦的eSummit2008上,Qimonda(奇夢達)公司的高級市場行銷總監(jiān)Tom Till認為,應(yīng)用對功耗的要求存在著相互矛盾的地方,設(shè)計者就是在這樣的環(huán)境下來研究功耗-性能模型的。一種是盡量降低功耗和相應(yīng)的成本,當然性能上也降低。另一種是電池供電的情形,即目前的&
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dram介紹
DRAM(Dynamic Random-Access Memory),即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以 必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快,在386、486時期被普遍應(yīng)用。
動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細 ]
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