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08年半導體設備市場前景黯淡 產(chǎn)能利用率面臨下降風險
- 2008年半導體設備市場前景黯淡,資本開支預計下滑超過3%。Hosseini預測,前端設備訂單不穩(wěn)定情況將維持到2008年下半年,而后端設備預計也充滿變數(shù)。 他在報告中指出,“DRAM行業(yè)基本狀況繼續(xù)惡化,由于芯片單元增長率出現(xiàn)拐點,2008年上半年晶圓廠產(chǎn)能利用率面臨下降風險。我們預計前端設備訂單繼續(xù)下滑,下滑情況可能會持續(xù)到2008年第3季度?!彼瑫r表示,“從2007年第3季度到2008年第3季度,預計后端訂單勢頭平緩至下滑,之后有望重現(xiàn)恢復。” 他最大的擔憂在DRAM行業(yè),預計“整
- 關鍵字: 模擬技術 電源技術 半導體 DRAM 芯片 元件 制造
美半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會:近期半導體市場不會衰退
- 據(jù)國外媒體報道,美國半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SIA)表示,近期內半導體市場不大可能出現(xiàn)衰退。它認為今年全球芯片的銷售額將增長3%,在隨后三年中的增長速度會更高一些。 SIA表示,它預計全球的芯片銷售額將由去年的2477億美元增長至2571億美元,增長速度低于今年年初時預期的10%。 6月份,SIA將今年芯片銷售額的增長速度預期下調到了1.8%,主要原因是幾種關鍵市場的低迷━━其中包括微處理器、DRAM和閃存。此后,微處理器的銷售出現(xiàn)了強勁增長,迫使SIA提高了對芯片銷售額增長速度的預期。 S
- 關鍵字: 模擬技術 電源技術 半導體 芯片 DRAM 模擬IC 電源
三星DRAM銷售穩(wěn)居冠軍,但市場份額不保
- 據(jù)市場調研機構iSuppli公布的調查報告顯示,韓國三星電子在今年第三季度全球DRAM儲存芯片市場的銷售收入仍穩(wěn)坐冠軍寶座,但其部分市場份額卻被位居第二的Hynix奪走。 據(jù)國外媒體報道,iSuppli在上周四發(fā)布的報告中表示,在第三季度中Hynix有非常受矚目的表現(xiàn),它的成長速度相當迅猛,并在逐步縮小與三星的差距。據(jù)悉,第三季度三星的市場份額為27.7%,位居全球第一,其銷售收入比第二季度下降了2.9%為19.33億美元;排在第二位的是Hynix,其第三季度收入比第二季度增長了15.4%達到1
- 關鍵字: 消費電子 三星 DRAM 冠軍 嵌入式
晶圓廠陸續(xù)上線 08年閃存產(chǎn)能將首超DRAM內存
- 研究公司Strategic Marketing Associates(SMA)日前表示,閃存產(chǎn)能將在2008年首次超過DRAM內存。 根據(jù)SMA報告,閃存產(chǎn)能從2000年以來已經(jīng)增長了四倍,達到相當于290萬片200毫米硅晶圓的規(guī)模。相比之下,DRAM產(chǎn)能自那時起僅增長225%。 報告表示,從2005年到2008年底的三年間,閃存制造商增加的產(chǎn)能是之前四年增加量的六倍。 預計2008年和2009年,將有另外超過十座晶圓廠上線。SMA預計,當設備裝機完成時,將帶來每月相當于150萬片2
- 關鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機 DRAM 內存 晶圓 MCU和嵌入式微處理器
第三季度IC代工業(yè)繁榮 先進制程受益
- 對全球前四大代工廠公布的2007年第三季度財報進行分析可以發(fā)現(xiàn),在該季度,代工業(yè)整體需求旺盛,一掃今年第一季度和第二季度較往年同期下滑的頹勢。不過,雖然需求旺盛,但是由于代工產(chǎn)品種類及技術水平的差別,各代工廠在凈利潤方面卻是冷暖自知,中芯國際(SMIC)成為DRAM價格嚴重下滑的最大受害者。雖然繼今年第二季度之后第三季度繼續(xù)虧損,但是通過與Spansion的合作以及在其他利好因素的推動下,不久中芯國際有望走出低迷。 第三季度代工需求旺盛 綜合各家代工廠第三季度的財報,可以發(fā)現(xiàn)(見表“全球前
- 關鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機 中芯國際 IC DRAM 模擬IC
IDC: 今年芯片銷售增速緩慢將促使08年猛增
- IDC在最新的《全球半導體市場預測》中預測,2007年全球芯片銷售收入增長速度放慢將為2008年的大增長奠定基礎。 據(jù)國外媒體報道,2007年全球芯片市場的增長速度將只有4.8%,2006年的這一數(shù)字只有8.8%。IDC預測,2008年的增長速度將達到8.1%。 報告指出,如果產(chǎn)能增長速度在明年放緩和需求仍然保持緩慢,芯片市場的增長速度會更快。市場潮流是合并和收購,這可能會改變業(yè)界的競爭格局。 IDC負責《全球半導體市場預測》的項目經(jīng)理戈帕爾說,今年上半年芯片市場的供過于求降低了對各
- 關鍵字: 消費電子 芯片 DRAM NAND EDA IC設計
應用材料總裁談芯片業(yè) 閃存與移動視頻是關鍵
- 美國和歐洲市場強勁的季節(jié)銷售,以及緊隨其后的中國新年銷售旺季,將有助于決定DRAM是否供過于求、邏輯芯片供應正在減少以及2008年全球芯片產(chǎn)業(yè)走向。 應用材料總裁兼首席執(zhí)行官MikeSplinter預測,如果情況不是很好,2008年半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展可能不會太強勁。2007年,半導體設備資本開支增長率為0到5%之間,而半導體收入增長預計為5%到10%之間。 Splinter表示,“尚未為止,2007年半導體產(chǎn)業(yè)未現(xiàn)繁榮景象。這不是因為銷售沒有增加,而是由于遭遇沉重的價格壓力。粗略估計,邏輯芯片
- 關鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機 DRAM 芯片 半導體 MCU和嵌入式微處理器
IC單位出貨量強勁 面臨廠商無利潤繁榮局面
- 最近公布的數(shù)據(jù)顯示,2007年IC單位出貨量將增長10%,略高于市場調研公司ICInsights最初預計的8%。自2002年以來,IC單位出貨量一直保持兩位數(shù)的年增長率。DRAM(49%)、NAND閃存(38%)、接口(60%)、數(shù)據(jù)轉換(58%)、和汽車相關的模擬IC(32%)出貨量強勁增長,正在推動總體產(chǎn)業(yè)需求,并使IC出貨量保持在高位。 1980年以來,IC產(chǎn)業(yè)單位出貨量有兩次實現(xiàn)連續(xù)三年保持兩位數(shù)增長率,分別是1982-1984和1986-1988年。在這兩次之后,IC的單位出貨量增長速
- 關鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機 IC DRAM NAND 模擬IC
DRAM十月價格持續(xù)下跌;ETT現(xiàn)貨價急漲12%
- 上周(10/15-10/22)現(xiàn)貨市場eTT顆粒呈現(xiàn)近幾周少見的急漲局面,DDR2512MbeTT價格收在1.17美元,漲幅約11.9%;相較之下,品牌顆粒仍呈現(xiàn)平穩(wěn)走勢,上漲至1.37美元,幅度為1.4%。根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange)分析指出,上周DDR2eTT的強勁漲勢,是因為eTT主要的供貨商進行70nm轉進,供給量減少,部份買主逢低買進拉抬買氣,進而帶動價格上揚,因此這波價格上揚主要是短期市場操作結果,而非市場終端需求帶動;此外,這波投機性買盤主要集中在DDR2eTT的顆粒,并沒有
- 關鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機 集邦 DRAM ETT MCU和嵌入式微處理器
DRAM現(xiàn)貨市場持續(xù)走弱 合約市場交易冷清
- 現(xiàn)貨市場DDR2價格方面持續(xù)走弱;而DDR則因供應不足價格緩步盤堅。DDR2512MbeTT跌至1美元左右的新低價之后,暫時止跌并微幅反彈,在1.02至1.05美元震蕩,以1.03美元做收,跌幅為5.5%;DDR2512Mb667MHz則滑落至1.35美元,下跌2.9%。在DDR1市場方面,由于現(xiàn)貨市場供給數(shù)量仍舊不足,上周也曾出現(xiàn)缺貨狀況,價格持續(xù)小幅上揚,DDR512Mb400MHz以2.66美元做收,上漲5.6%。 十月份合約市場相當清淡,OEM拿貨意愿低落,部分廠商甚至認為,倘若預期十一
- 關鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機 DDR2 DRAM NAND MCU和嵌入式微處理器
1美元失守!臺DRAM廠難逃虧損百億
- 全球DRAM現(xiàn)貨價16日正式跌破1美元重要心理關卡,以目前現(xiàn)貨報價及DRAM廠每月產(chǎn)能狀況推估,臺DRAM廠力晶、茂德及南科3雄每月合計將蒙受約1億美元損失,且未來虧損數(shù)字恐持續(xù)擴大,若2007年底前DRAM現(xiàn)貨價無法翻揚,初步估計臺DRAM3雄從現(xiàn)在起到2007年底前總共將虧掉新臺幣100億元以上,其中,以力晶處境最為不利。  
- 關鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機 DRAM 1美元 MCU和嵌入式微處理器
今年全球半導體大型設備開支將達437億美元
- 據(jù)市場研究公司Gartner最新發(fā)表的研究報告稱,全球半導體大型設備開支增長速度正在減緩,這種低迷的狀況預計將持續(xù)到2008年第一季度。2007年全球半導體大型設備開支總額將達到437億美元,比2006年增長4.1%。2008年全球半導體大型設備開始預計將比2007年增長0.3%。 Gartner分析師稱,2007年全球半導體大型設備開支的增長將影響到2008年的增長。2008年半導體大型設備的開支將勉強實現(xiàn)正增長,晶圓加工設備的開支將出現(xiàn)小幅度的負增長。后端設備市場的前景仍是正增長。 Gar
- 關鍵字: 模擬技術 電源技術 半導體 晶圓加工 DRAM
dram介紹
DRAM(Dynamic Random-Access Memory),即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以 必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快,在386、486時期被普遍應用。
動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細 ]
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