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DRAM市場(chǎng)基礎(chǔ)繼續(xù)惡化 預(yù)計(jì)08年資本開支下滑超過30%

  • 　　Friedman Billings Ramsey & Co. Inc.(FBR)分析師Mehdi Hosseini日前表示，“根據(jù)三星日前的報(bào)告，我們分析2008年上半年DRAM內(nèi)存市場(chǎng)基礎(chǔ)繼續(xù)惡化，大多數(shù)DRAM供應(yīng)商，尤其韓國(guó)之外的廠商2008年資本開支出現(xiàn)大幅削減?！? 　　預(yù)計(jì)2008年，DRAM領(lǐng)域的資本開支將下滑超過30%，原來預(yù)計(jì)下降20%。這將導(dǎo)致總體內(nèi)存資本開支減少10-12%。 　　在DRAM市場(chǎng)經(jīng)歷了漫長(zhǎng)的低迷之后，該市場(chǎng)仍然存在嚴(yán)重的供過于求情況?！斑@主要由于按容量計(jì)
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第三季度NAND閃存銷售額增長(zhǎng)37%，達(dá)42億美元

  • 　　市場(chǎng)調(diào)研公司iSuppli日前在聲明中表示，第三季度NAND閃存半導(dǎo)體全球銷售額增長(zhǎng)37%，達(dá)到42億美元。但iSuppli指出，在包括蘋果iPod在內(nèi)的消費(fèi)電子產(chǎn)品需求刺激下的連續(xù)增長(zhǎng)勢(shì)頭，本季度可能結(jié)束。由于產(chǎn)量增長(zhǎng)速度快于需求，本季度NAND的平均銷售價(jià)格將下降18%。 　　韓國(guó)海力士半導(dǎo)體第三季度增長(zhǎng)最快，其NAND銷售額比第二季度大增79%，達(dá)到8.06億美元。它的市場(chǎng)份額是19%，在當(dāng)季全球排名第三。最大的NAND閃存供應(yīng)商三星電子，市場(chǎng)份額從第二季度的45%降至40%，它出貨的閃存數(shù)量
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NEC電子開發(fā)出40納米DRAM混載系統(tǒng)LSI 混載工藝技術(shù)

  • 　　NEC電子近日完成了兩種線寬40納米的DRAM混載系統(tǒng)LSI工藝技術(shù)的開發(fā)，使用該工藝可以生產(chǎn)最大可集成256MbitDRAM的系統(tǒng)LSI。40nm工藝技術(shù)比新一代45nm半導(dǎo)體配線工藝更加微細(xì)，被稱為45nm的下一代產(chǎn)品。此次，NEC電子推出的工藝中，一種為低工作功耗的“UX8GD”工藝，它可使邏輯部分的處理速度最快達(dá)到800MHz，同時(shí)保持低功耗;另一種為低漏電流的“UX8LD”工藝，它的功耗約為內(nèi)嵌同等容量SRAM的1/3左右。 　　UX8GD和 UX8LD 是在線寬從55nm縮小至40nm的
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供應(yīng)過剩 NAND及DRAM行情短期進(jìn)一步惡化

  • 　　美國(guó)iSuppli調(diào)研結(jié)果顯示，由于供應(yīng)過剩與價(jià)格暴跌，DRAM及NAND閃存行情將在短期內(nèi)進(jìn)一步惡化。 　　NAND閃存方面，預(yù)計(jì)512M產(chǎn)品全球平均單價(jià)(ASP)將從2007年第三季度的60美分下降到第四季度的46美分。NAND閃存的平均單價(jià)在第二季度、第三季度均比上季度有所提高，分別為6%與8.4%。但是在第四季度，隨著價(jià)格下跌，行情出現(xiàn)惡化，短期內(nèi)很難恢復(fù)。iSuppli首席分析師Nam Hyung Kim表示，此次價(jià)格下跌的主要原因韓國(guó)內(nèi)存廠商將生產(chǎn)能力從DRAM轉(zhuǎn)移至NAND閃存，從而導(dǎo)
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2007年上半年DRAM模塊市場(chǎng)晴雨表 金士頓仍是霸主

  • 　　據(jù)iSuppli公司，2007年上半年金士頓鞏固了自己在全球品牌第三方DRAM模塊市場(chǎng)中的領(lǐng)先地位，但同期增長(zhǎng)最快的則是規(guī)模較小的創(chuàng)見與記憶科技。 　　2007年上半年，臺(tái)灣創(chuàng)見DRAM模塊銷售收入比2006年同期大增77.3%，在所有的供應(yīng)商中增長(zhǎng)率最高。其銷售收入從2006年上半年的1.41億美元增長(zhǎng)到2.5億美元。創(chuàng)見在品牌第三方DRAM模塊市場(chǎng)中的排名從2006年上半年時(shí)的第10升至第六。 　　iSuppli公司的存儲(chǔ)IC和存儲(chǔ)系統(tǒng)總監(jiān)兼首席分析師Nam Hyung Kim表示：“由于創(chuàng)見
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08年半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)前景黯淡 產(chǎn)能利用率面臨下降風(fēng)險(xiǎn)

  • 　　2008年半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)前景黯淡，資本開支預(yù)計(jì)下滑超過3%。Hosseini預(yù)測(cè)，前端設(shè)備訂單不穩(wěn)定情況將維持到2008年下半年，而后端設(shè)備預(yù)計(jì)也充滿變數(shù)。 　　他在報(bào)告中指出，“DRAM行業(yè)基本狀況繼續(xù)惡化，由于芯片單元增長(zhǎng)率出現(xiàn)拐點(diǎn)，2008年上半年晶圓廠產(chǎn)能利用率面臨下降風(fēng)險(xiǎn)。我們預(yù)計(jì)前端設(shè)備訂單繼續(xù)下滑，下滑情況可能會(huì)持續(xù)到2008年第3季度。”他同時(shí)表示，“從2007年第3季度到2008年第3季度，預(yù)計(jì)后端訂單勢(shì)頭平緩至下滑，之后有望重現(xiàn)恢復(fù)。” 　　他最大的擔(dān)憂在DRAM行業(yè)，預(yù)計(jì)“整
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美半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì):近期半導(dǎo)體市場(chǎng)不會(huì)衰退

  • 　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)表示，近期內(nèi)半導(dǎo)體市場(chǎng)不大可能出現(xiàn)衰退。它認(rèn)為今年全球芯片的銷售額將增長(zhǎng)3%，在隨后三年中的增長(zhǎng)速度會(huì)更高一些。 　　SIA表示，它預(yù)計(jì)全球的芯片銷售額將由去年的2477億美元增長(zhǎng)至2571億美元，增長(zhǎng)速度低于今年年初時(shí)預(yù)期的10%。 　　6月份，SIA將今年芯片銷售額的增長(zhǎng)速度預(yù)期下調(diào)到了1.8%，主要原因是幾種關(guān)鍵市場(chǎng)的低迷━━其中包括微處理器、DRAM和閃存。此后，微處理器的銷售出現(xiàn)了強(qiáng)勁增長(zhǎng)，迫使SIA提高了對(duì)芯片銷售額增長(zhǎng)速度的預(yù)期。 　　S
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三星DRAM銷售穩(wěn)居冠軍，但市場(chǎng)份額不保

  • 　　據(jù)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)iSuppli公布的調(diào)查報(bào)告顯示，韓國(guó)三星電子在今年第三季度全球DRAM儲(chǔ)存芯片市場(chǎng)的銷售收入仍穩(wěn)坐冠軍寶座，但其部分市場(chǎng)份額卻被位居第二的Hynix奪走。 　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，iSuppli在上周四發(fā)布的報(bào)告中表示，在第三季度中Hynix有非常受矚目的表現(xiàn)，它的成長(zhǎng)速度相當(dāng)迅猛，并在逐步縮小與三星的差距。據(jù)悉，第三季度三星的市場(chǎng)份額為27.7%，位居全球第一，其銷售收入比第二季度下降了2.9%為19.33億美元;排在第二位的是Hynix，其第三季度收入比第二季度增長(zhǎng)了15.4%達(dá)到1
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晶圓廠陸續(xù)上線 08年閃存產(chǎn)能將首超DRAM內(nèi)存

  • 　　研究公司Strategic Marketing Associates(SMA)日前表示，閃存產(chǎn)能將在2008年首次超過DRAM內(nèi)存。 　　根據(jù)SMA報(bào)告，閃存產(chǎn)能從2000年以來已經(jīng)增長(zhǎng)了四倍，達(dá)到相當(dāng)于290萬片200毫米硅晶圓的規(guī)模。相比之下，DRAM產(chǎn)能自那時(shí)起僅增長(zhǎng)225%。 　　報(bào)告表示，從2005年到2008年底的三年間，閃存制造商增加的產(chǎn)能是之前四年增加量的六倍。 　　預(yù)計(jì)2008年和2009年，將有另外超過十座晶圓廠上線。SMA預(yù)計(jì)，當(dāng)設(shè)備裝機(jī)完成時(shí)，將帶來每月相當(dāng)于150萬片2
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第三季度IC代工業(yè)繁榮 先進(jìn)制程受益

  • 　　對(duì)全球前四大代工廠公布的2007年第三季度財(cái)報(bào)進(jìn)行分析可以發(fā)現(xiàn)，在該季度，代工業(yè)整體需求旺盛，一掃今年第一季度和第二季度較往年同期下滑的頹勢(shì)。不過，雖然需求旺盛，但是由于代工產(chǎn)品種類及技術(shù)水平的差別，各代工廠在凈利潤(rùn)方面卻是冷暖自知，中芯國(guó)際(SMIC)成為DRAM價(jià)格嚴(yán)重下滑的最大受害者。雖然繼今年第二季度之后第三季度繼續(xù)虧損，但是通過與Spansion的合作以及在其他利好因素的推動(dòng)下，不久中芯國(guó)際有望走出低迷。 　　第三季度代工需求旺盛 　　綜合各家代工廠第三季度的財(cái)報(bào)，可以發(fā)現(xiàn)(見表“全球前
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IDC: 今年芯片銷售增速緩慢將促使08年猛增

  • 　　IDC在最新的《全球半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)測(cè)》中預(yù)測(cè)，2007年全球芯片銷售收入增長(zhǎng)速度放慢將為2008年的大增長(zhǎng)奠定基礎(chǔ)。 　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，2007年全球芯片市場(chǎng)的增長(zhǎng)速度將只有4.8%，2006年的這一數(shù)字只有8.8%。IDC預(yù)測(cè)，2008年的增長(zhǎng)速度將達(dá)到8.1%。 　　報(bào)告指出，如果產(chǎn)能增長(zhǎng)速度在明年放緩和需求仍然保持緩慢，芯片市場(chǎng)的增長(zhǎng)速度會(huì)更快。市場(chǎng)潮流是合并和收購，這可能會(huì)改變業(yè)界的競(jìng)爭(zhēng)格局。 　　IDC負(fù)責(zé)《全球半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)測(cè)》的項(xiàng)目經(jīng)理戈帕爾說，今年上半年芯片市場(chǎng)的供過于求降低了對(duì)各
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應(yīng)用材料總裁談芯片業(yè) 閃存與移動(dòng)視頻是關(guān)鍵

  • 　　美國(guó)和歐洲市場(chǎng)強(qiáng)勁的季節(jié)銷售，以及緊隨其后的中國(guó)新年銷售旺季，將有助于決定DRAM是否供過于求、邏輯芯片供應(yīng)正在減少以及2008年全球芯片產(chǎn)業(yè)走向。 　　應(yīng)用材料總裁兼首席執(zhí)行官M(fèi)ikeSplinter預(yù)測(cè)，如果情況不是很好，2008年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展可能不會(huì)太強(qiáng)勁。2007年，半導(dǎo)體設(shè)備資本開支增長(zhǎng)率為0到5%之間，而半導(dǎo)體收入增長(zhǎng)預(yù)計(jì)為5%到10%之間。 　　Splinter表示，“尚未為止，2007年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未現(xiàn)繁榮景象。這不是因?yàn)殇N售沒有增加，而是由于遭遇沉重的價(jià)格壓力。粗略估計(jì)，邏輯芯片
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IC單位出貨量強(qiáng)勁 面臨廠商無利潤(rùn)繁榮局面

  • 　　最近公布的數(shù)據(jù)顯示，2007年IC單位出貨量將增長(zhǎng)10%，略高于市場(chǎng)調(diào)研公司ICInsights最初預(yù)計(jì)的8%。自2002年以來，IC單位出貨量一直保持兩位數(shù)的年增長(zhǎng)率。DRAM(49%)、NAND閃存(38%)、接口(60%)、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換(58%)、和汽車相關(guān)的模擬IC(32%)出貨量強(qiáng)勁增長(zhǎng)，正在推動(dòng)總體產(chǎn)業(yè)需求，并使IC出貨量保持在高位。 　　1980年以來，IC產(chǎn)業(yè)單位出貨量有兩次實(shí)現(xiàn)連續(xù)三年保持兩位數(shù)增長(zhǎng)率，分別是1982-1984和1986-1988年。在這兩次之后，IC的單位出貨量增長(zhǎng)速
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2007年全球集成電路出貨量將增長(zhǎng)10%

  • 　　市場(chǎng)研究公司ICInsights將2007年全球集成電路(IC)出貨量成長(zhǎng)率從原來的8%提升到了10%。 　　這家研究公司把2007年全球集成電路出貨量的增長(zhǎng)歸功于一些集成電路產(chǎn)品出貨量的強(qiáng)勁增長(zhǎng),如DRAM內(nèi)存出貨量增長(zhǎng)49%,NAND閃存出貨量增長(zhǎng)38%,界面集成電路出貨量增長(zhǎng)60%,數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換集成電路出貨量增長(zhǎng)58%,汽車模擬集成電路出貨量增長(zhǎng)32%。 　　ICInsights稱,如果2007年全球集成電路出貨量成長(zhǎng)率達(dá)到10%或者更高,這將是連續(xù)第六年的兩位增長(zhǎng),這是前所未有的大牛市。 　
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從過去到未來

  • 如果你認(rèn)為過去的歸過去，未來的歸未來，那么你就錯(cuò)了，因?yàn)闆]有過去就不會(huì)有現(xiàn)在，沒有現(xiàn)在當(dāng)然就不會(huì)有未來。然而過去、現(xiàn)在、未來之間是如何相互依存的呢？從某方面來說這是神秘難以解答的一件事，但簡(jiǎn)單來講就是靠記憶的作用，過去雖然不存在了，卻可以回想，未來雖然還沒有決定，現(xiàn)在卻可以一步步去計(jì)劃、設(shè)想與實(shí)踐
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dram介紹

DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以 必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲(chǔ)單元沒有被刷新，存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。 它的存取速度不快，在386、486時(shí)期被普遍應(yīng)用。 動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲(chǔ)元按照行和列來組 [ 查看詳細(xì) ]
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