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國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器項(xiàng)目建設(shè)火熱 亟需制定預(yù)警機(jī)制

  • 　　存儲(chǔ)器產(chǎn)品主要包括DRAM內(nèi)存和FLASH閃存。從歷史發(fā)展經(jīng)驗(yàn)來(lái)看，存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)是一個(gè)周期波動(dòng)的產(chǎn)業(yè)，同時(shí)也是一個(gè)高度壟斷和高風(fēng)險(xiǎn)的產(chǎn)業(yè)。2016年12月底總投資240億美元的長(zhǎng)江存儲(chǔ)國(guó)家存儲(chǔ)器基地正式開(kāi)工建設(shè)，同時(shí)福建晉華和合肥長(zhǎng)芯等存儲(chǔ)器項(xiàng)目也正在積極籌備和建設(shè)當(dāng)中。在我國(guó)將發(fā)展存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)作為國(guó)家戰(zhàn)略的大背景下，考慮到存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)本身的周期波動(dòng)和不確定性，以及長(zhǎng)期大投入、高風(fēng)險(xiǎn)特性，研究認(rèn)為，盡快建立并完善行業(yè)定期監(jiān)測(cè)分析和預(yù)警機(jī)制，無(wú)論從國(guó)家層面還是從產(chǎn)業(yè)層面，都是一件非常有意義的事情。 　　存儲(chǔ)
  • 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器  DRAM  

DRAM內(nèi)存價(jià)格猛漲停不下來(lái)，下半年才能穩(wěn)定？

  • 從去年下半年開(kāi)始DDR3和DDR4內(nèi)存的價(jià)格都在瘋漲，這個(gè)漲勢(shì)什么時(shí)候會(huì)停呢?放心吧紅市會(huì)一直持續(xù)到今年第二季度，到了第三季度可能會(huì)穩(wěn)定下來(lái)，然而這不代表價(jià)格會(huì)降低。
  • 關(guān)鍵字： DRAM  晶圓  

DRAM強(qiáng)漲 金士頓：將缺貨一整年

  • 　　內(nèi)存市況今年持續(xù)看好，據(jù)SEMI半導(dǎo)體協(xié)會(huì)預(yù)估，內(nèi)存產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值將成長(zhǎng)17.8%，成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)恢復(fù)強(qiáng)勁成長(zhǎng)的主要推手，不少相關(guān)業(yè)者表示，缺貨情況將再延續(xù)半年，第2季有機(jī)會(huì)呈現(xiàn)小漲走勢(shì)。 　　DRAM報(bào)價(jià)從2016年第4季成功終止連續(xù)下跌8季的低潮，開(kāi)始展開(kāi)強(qiáng)勁的反彈，迄今至少大漲40~50%之多。 DRAM供貨商南亞科(2408)總經(jīng)理李培瑛、封測(cè)大廠力成(6239)董事長(zhǎng)蔡篤恭口徑一致指出，至少還要再缺貨半年，內(nèi)存模塊大廠金士頓更直說(shuō)，DRAM將缺貨一整年。 　　應(yīng)用多元需求走強(qiáng) 　　臺(tái)灣金士頓
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DRAM市場(chǎng)所向披靡 三星穩(wěn)坐存儲(chǔ)霸主寶座

  • 　　雖然現(xiàn)在三星被業(yè)界貶低，但是我們不得不承認(rèn)，其地位依然很強(qiáng)勢(shì)。強(qiáng)大的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)仍是三星的后盾，這些年來(lái)三星憑借該業(yè)務(wù)獲益匪淺。三星去年遭遇手機(jī)品牌危機(jī)，雖然導(dǎo)致其智能手機(jī)業(yè)務(wù)遭遇滑坡，但是元件業(yè)務(wù)的完全可以彌補(bǔ)，直到現(xiàn)在三星依然是DRAM和NAND和SSD市場(chǎng)的老大，依然有價(jià)格主導(dǎo)權(quán)利。 　　不管是PC業(yè)務(wù)還是手機(jī)業(yè)務(wù)未來(lái)日子不好過(guò)的情況下，唯獨(dú)DRAM內(nèi)存、NAND閃存活的很滋潤(rùn)。我們看到在2016年下半年DRAM內(nèi)存開(kāi)始缺貨，甚至漲價(jià)，據(jù)了解，DRAM漲價(jià)的主要推手是三星公司。眾所周知，
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NOR Flash也要漲價(jià) 元器件供應(yīng)鏈為何進(jìn)入缺貨周期？

  • 從2016年下半年開(kāi)始，包括CPU、內(nèi)存、屏幕、CMOS Sensor在內(nèi)的眾多電子元器件都進(jìn)入了缺貨周期，這樣就給終端制造商帶來(lái)了成本壓力，最終這個(gè)壓力就轉(zhuǎn)移到了消費(fèi)者身上，引起蝴蝶效應(yīng)。
  • 關(guān)鍵字： DRAM  NAND   

DRAM市場(chǎng)所向披靡 三星穩(wěn)坐存儲(chǔ)霸主寶座

  • 　　雖然現(xiàn)在三星被業(yè)界貶低，但是我們不得不承認(rèn)，其地位依然很強(qiáng)勢(shì)。強(qiáng)大的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)仍是三星的后盾，這些年來(lái)三星憑借該業(yè)務(wù)獲益匪淺。三星去年遭遇手機(jī)品牌危機(jī)，雖然導(dǎo)致其智能手機(jī)業(yè)務(wù)遭遇滑坡，但是元件業(yè)務(wù)的完全可以彌補(bǔ)，直到現(xiàn)在三星依然是DRAM和NAND和SSD市場(chǎng)的老大，依然有價(jià)格主導(dǎo)權(quán)利。 　　不管是PC業(yè)務(wù)還是手機(jī)業(yè)務(wù)未來(lái)日子不好過(guò)的情況下，唯獨(dú)DRAM內(nèi)存、NAND閃存活的很滋潤(rùn)。我們看到在2016年下半年DRAM內(nèi)存開(kāi)始缺貨，甚至漲價(jià)，據(jù)了解，DRAM漲價(jià)的主要推手是三星公司。眾所周知，由于
  • 關(guān)鍵字： DRAM  三星  

2020年63%智能手機(jī)采用8GB RAM

  • 　　智能手機(jī)屏幕放大、分辨率提高，推升高效能移動(dòng)DRAM的需求，讓三星、海力士等韓國(guó)兩大存儲(chǔ)器廠錢(qián)景一片看好。 　　TrendForce旗下存儲(chǔ)器儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange周日發(fā)布報(bào)告預(yù)測(cè)，第一季DDR雙通道存儲(chǔ)器芯片報(bào)價(jià)今年第一季有望成長(zhǎng)10-15%，為前一季3-7%的兩倍多，反映市場(chǎng)供給吃緊的程度。 　　智能手機(jī)功能越來(lái)越多元，高分辨率的大屏幕手機(jī)更有賴(lài)于高密度DRAM模組驅(qū)動(dòng)，如此才能實(shí)現(xiàn)類(lèi)似PC的“多線程工作”。據(jù)傳，三星今年推出的Galaxy S8手機(jī)其中一款
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美光預(yù)投1,300億未來(lái)規(guī)劃中科擴(kuò)廠計(jì)劃

  • 　　中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)經(jīng)濟(jì)部工業(yè)局昨(17)日首度證實(shí)，全球DRAM大廠美光預(yù)計(jì)在臺(tái)投資新臺(tái)幣1，300億元，未來(lái)將落腳中部科學(xué)園區(qū)進(jìn)行擴(kuò)廠計(jì)劃，預(yù)計(jì)將增加逾2千個(gè)就業(yè)機(jī)會(huì)。據(jù)悉，美光鎖定中科進(jìn)行新的3D封測(cè)制程，預(yù)估2-3年可量產(chǎn)，要打造成為亞太區(qū)營(yíng)運(yùn)中心。 　　工業(yè)局表示，去年協(xié)助美光在臺(tái)擴(kuò)大投資，總投資金額高達(dá)新臺(tái)幣1，300億元，也就美光擴(kuò)大投資所需土地、廠房、資金等提供協(xié)助，未來(lái)規(guī)劃中科擴(kuò)廠計(jì)劃，將可增加2，000個(gè)以上就業(yè)機(jī)會(huì)，將臺(tái)灣塑造為高效完整的DRAM全球生產(chǎn)基地。   　
  • 關(guān)鍵字： 美光  DRAM  

工序失衡！2017 DRAM內(nèi)存缺貨/漲價(jià)繼續(xù)蔓延

  • 　　從2016年下半年開(kāi)始，內(nèi)存、閃存的缺貨漲價(jià)勢(shì)頭開(kāi)始上揚(yáng)，2017年這一局面將繼續(xù)擴(kuò)散蔓延，而且一整年都未必會(huì)有改觀。   　　據(jù)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，內(nèi)存大廠金士頓近日表態(tài)，今年因?yàn)橹饕腄RAM內(nèi)存大廠都沒(méi)有增產(chǎn)計(jì)劃，全年DRAM內(nèi)存都面臨缺貨窘境。此外，群聯(lián)公司董事長(zhǎng)潘建成也強(qiáng)調(diào)，NAND閃存因?yàn)檫M(jìn)入3D世代，制程良率無(wú)法提升，預(yù)計(jì)將缺貨一整年。 　　日前，金士頓董事長(zhǎng)陳建華出席群聯(lián)竹南三廠上梁典禮時(shí)，針對(duì)DRAM內(nèi)存市場(chǎng)進(jìn)行了分析，他表示，目前主要DRAM內(nèi)存大廠都沒(méi)有增產(chǎn)計(jì)劃
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為什么說(shuō)中國(guó)必須建設(shè)本土存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)

  • 　　在長(zhǎng)江存儲(chǔ)，晉華項(xiàng)目和合肥長(zhǎng)鑫這三大存儲(chǔ)國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)基地開(kāi)建之際，有很多人曾經(jīng)質(zhì)疑過(guò)中國(guó)為什么要投入那么多錢(qián)去做這個(gè)建設(shè)?，F(xiàn)在我通過(guò)一個(gè)事實(shí)告訴你原因?，F(xiàn)在在存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)，基本是韓國(guó)廠商的天下，而隨著設(shè)動(dòng)設(shè)備的火熱，各種設(shè)備的爆發(fā)，市場(chǎng)對(duì)存儲(chǔ)的需求日增，于是帶來(lái)了存儲(chǔ)產(chǎn)品的缺貨問(wèn)題，進(jìn)而導(dǎo)致了漲價(jià)。 　　拜DRAM價(jià)格因供給短缺而以高角度上揚(yáng)之賜，部分分析師預(yù)測(cè)南韓兩大存儲(chǔ)廠三星與SK海力士，今年半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)利潤(rùn)可能年增5成，來(lái)到史無(wú)前例的25兆韓圓。 　　存儲(chǔ)市況從2016年6月觸底反彈后，從最低每單位1
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大陸存儲(chǔ)器的戰(zhàn)略布局

  • 　　長(zhǎng)江存儲(chǔ)成立后，大陸在這個(gè)階段于半導(dǎo)體的宏觀布局重新成形。但是為什么挑由存儲(chǔ)器入手?這是個(gè)關(guān)鍵選擇。尤其是在臺(tái)灣的 DRAM 產(chǎn)業(yè)甫因規(guī)模經(jīng)濟(jì)不足導(dǎo)致研發(fā)無(wú)法完全自主而緩緩淡出之際，這樣的選擇需要一番辯證。進(jìn)口替代當(dāng)然是原因之一，但不是全部。 　　回歸基本面來(lái)看。半導(dǎo)體之所以為高科技是因?yàn)橛心柖?，容許其不斷的制程微縮，而其經(jīng)濟(jì)效益也高度依賴(lài)摩爾定律。DRAM 在很長(zhǎng)的一段時(shí)間里是半導(dǎo)體業(yè)的驅(qū)策技術(shù)(driving technology)，也就是說(shuō)DRAM的制程領(lǐng)導(dǎo)其它的半導(dǎo)體制程前進(jìn)。半導(dǎo)體的先
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TrendForce：服務(wù)器DRAM模組供不應(yīng)求，Q1報(bào)價(jià)看漲25%

  • 　　市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)TrendForce最新報(bào)告預(yù)測(cè)，服務(wù)器用DRAM模組由于供給吃緊，第一季報(bào)價(jià)可能攀升至少25%。 　　2017年第一季初，服務(wù)器DRAM模組已較前一季同期漲價(jià)逾25%，部份高密度產(chǎn)品合約價(jià)漲幅更是逼近30%。DDR4 R-DIMM 32GB模組目前已漲破200美元門(mén)檻，16GB模組也來(lái)到100美元。 　　TrendForce旗下存儲(chǔ)器儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange發(fā)現(xiàn)，服務(wù)器DRAM模組報(bào)價(jià)看漲，部份是受惠于PC用DRAM持續(xù)漲價(jià)。除此之外，服務(wù)器制造業(yè)者因擔(dān)心價(jià)格持續(xù)走揚(yáng)而提前
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DRAM供貨吃緊 創(chuàng)淡季漲幅最高紀(jì)錄

  • 　　集邦咨詢(xún)半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)最新研究顯示，由于DRAM供貨吃緊至今未有改善的跡象，因此延續(xù)2016下半年的價(jià)格漲勢(shì)，2017年第一季DRAM平均銷(xiāo)售單價(jià)呈大幅上漲格局，DDR3 4GB模組的合約價(jià)最高已超過(guò)25美元，季漲幅超過(guò)三成，為DRAM史上首個(gè)在傳統(tǒng)淡季下仍能維持強(qiáng)勢(shì)漲價(jià)的季度。 　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，根據(jù)現(xiàn)已成交的合約看來(lái)，2017年第一季標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存價(jià)格持續(xù)攀高，平均漲幅接近三成，服務(wù)器內(nèi)存的漲幅略同，R-DIMM 32GB模組已超過(guò)200美元
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DRAM/NAND價(jià)格回升 存儲(chǔ)器產(chǎn)值今年將增10%

  • 　　在2015、2016連續(xù)兩年下跌后，DRAM和NAND Flash存儲(chǔ)器平均銷(xiāo)售價(jià)格(ASP)正穩(wěn)健走揚(yáng)，研究機(jī)構(gòu)IC Insights認(rèn)為，此將有助推升2017年存儲(chǔ)器市場(chǎng)銷(xiāo)售規(guī)模，預(yù)估整體產(chǎn)值可達(dá)853億美元新高紀(jì)錄，較2016年成長(zhǎng)10%;2020年更可望首度攀至千億美元大關(guān)。
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一文通解基于VLT技術(shù)的新型DRAM內(nèi)存單元

  • 　　垂直分層閘流體(Vertical Layered Thyristor;VLT)，是Kilopass研發(fā)出的新型內(nèi)存單元，能夠顯著降低動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)的成本和復(fù)雜性。這是一種靜態(tài)的內(nèi)存單元，無(wú)需刷新操作;兼容于現(xiàn)有晶圓廠的制造設(shè)備，也無(wú)需任何新的材料或工藝?！　∠噍^于一般的DRAM，VLT內(nèi)存數(shù)組能節(jié)約高達(dá)45%的成本;這是因?yàn)樗哂懈〉腣LT內(nèi)存單元，以及驅(qū)動(dòng)更長(zhǎng)行與列的能力，使其得以大幅提升內(nèi)存數(shù)組效率。然而，想要發(fā)揮VLT的優(yōu)勢(shì)，就必須在依據(jù)產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)發(fā)展的成熟DR
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dram介紹

DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以 必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新，存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。 它的存取速度不快，在386、486時(shí)期被普遍應(yīng)用。 動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲(chǔ)元按照行和列來(lái)組 [ 查看詳細(xì) ]
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