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兆易創(chuàng)新即將與ISSI整并 成國產(chǎn)DRAM新?lián)?dāng)？

  • 　　中國發(fā)展半導(dǎo)體在存儲(chǔ)始終無法取得突破性進(jìn)展，現(xiàn)在有關(guān)廠商團(tuán)隊(duì)都積極動(dòng)起來，近來相關(guān)整并、建廠消息一樁接一樁。早前曾報(bào)導(dǎo)過，中國NOR Flash廠商兆易創(chuàng)新(Gigadevice)可能與武岳峰等中國基金所收購的美國DRAM廠ISSI合并，從9月中停牌迄今的兆易創(chuàng)新19日再發(fā)出持續(xù)停牌公告，并正式揭露了即將與ISSI整并的消息! 　　19 日上海交易所上市的兆易創(chuàng)新再發(fā)停牌公告，以正在籌劃重大事項(xiàng)為由，即日起將持續(xù)停牌，今年9 月中開始兆易創(chuàng)新即以重大資產(chǎn)重組為由停牌多時(shí)，此次，兆易創(chuàng)新也正式揭露了原
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TrendForce：價(jià)格漲勢(shì)不停，第三季DRAM總營收大幅季成長15.8%

  • 　　TrendForce集邦科技旗下存儲(chǔ)研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)表示，受惠于全球智能手機(jī)出貨成長，及內(nèi)存搭載量不斷攀升，第二季開始DRAM原廠逐步降低標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存的產(chǎn)出，轉(zhuǎn)為行動(dòng)式內(nèi)存與服務(wù)器用內(nèi)存。在供應(yīng)逐漸吃緊下，第三季開始標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存價(jià)格呈上漲走勢(shì)，同時(shí)帶動(dòng)其他類別內(nèi)存的價(jià)格上揚(yáng)。使得第三季全球DRAM總體營收較上季大幅成長約15.8%。 　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，第三季適逢蘋果iPhone 7與三星Note7二大旗艦機(jī)備貨潮，雖然Note 7后來于第四
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價(jià)格漲勢(shì)不停，第三季DRAM總營收大幅季成長15.8%

  • 　　TrendForce集邦科技旗下存儲(chǔ)研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)表示，受惠于全球智能手機(jī)出貨成長，及內(nèi)存搭載量不斷攀升，第二季開始DRAM原廠逐步降低標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存的產(chǎn)出，轉(zhuǎn)為行動(dòng)式內(nèi)存與服務(wù)器用內(nèi)存。在供應(yīng)逐漸吃緊下，第三季開始標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存價(jià)格呈上漲走勢(shì)，同時(shí)帶動(dòng)其他類別內(nèi)存的價(jià)格上揚(yáng)。使得第三季全球DRAM總體營收較上季大幅成長約15.8%。 　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，第三季適逢蘋果iPhone 7與三星Note7二大旗艦機(jī)備貨潮，雖然Note 7后來于第四
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日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程解讀

  • 目前世界半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入到寡頭時(shí)代，競(jìng)爭(zhēng)格局相對(duì)穩(wěn)定。盡管日本企業(yè)在半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)份額日益減少，但在半導(dǎo)體的一些其他細(xì)分行業(yè)以及半導(dǎo)體材料領(lǐng)域， 日本企業(yè)仍保持著優(yōu)勢(shì)地位。
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DRAM戰(zhàn)國時(shí)代 長江存儲(chǔ)、聯(lián)電、合肥長芯三大勢(shì)力將對(duì)決

  • 　　近期大陸三股勢(shì)力正如火如荼點(diǎn)燃DRAM主導(dǎo)權(quán)大戰(zhàn)，長江存儲(chǔ)傳已評(píng)估到南京設(shè)立12寸廠，聯(lián)電大陸DRAM廠福建晉華計(jì)劃2018年量產(chǎn)，并在南科廠同步研發(fā)25、30nm制程，至于合肥市與北京兆易創(chuàng)新(GigaDevice)合作的合肥長芯，由前中芯國際執(zhí)行長王寧國操刀，大陸這三股DRAM勢(shì)力將決戰(zhàn)2018年，搶當(dāng)大陸DRAM產(chǎn)業(yè)龍頭。 　　盡管大陸布局自制3D NAND Flash雛形漸現(xiàn)，長江存儲(chǔ)將與已并購飛索(Spansion)的賽普拉斯(Cypress)合作，切入32層和64層3D NAND技術(shù)，由
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SK海力士：10納米級(jí)DRAM估2017年上半投產(chǎn)

  • 　　據(jù)韓國經(jīng)濟(jì)報(bào)導(dǎo)，SK海力士(SK Hynix)以21納米制程生產(chǎn)的DRAM為目前獲利性高的主力產(chǎn)品，2016年底生產(chǎn)比重將達(dá)全部DRAM的40%;10納米級(jí)DRAM規(guī)劃在2017年上半投產(chǎn)。NAND Flash領(lǐng)域?qū)⒛繕?biāo)訂在2017年下半投產(chǎn)72層3D NAND Flash，持續(xù)擴(kuò)大3D NAND的生產(chǎn)比重。 　　SK海力士DRAM技術(shù)本部長金進(jìn)國(音譯)表示，IT產(chǎn)業(yè)對(duì)大容量、低耗電、存取速度快的DRAM需求漸增，2016年以來市場(chǎng)需求開始由DDR3、LPDDR3轉(zhuǎn)移到DDR4、LPDDR4，公司
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SK海力士：10納米級(jí)DRAM估2017年上半投產(chǎn)

  • 　　據(jù)韓國經(jīng)濟(jì)報(bào)導(dǎo)，SK海力士(SK Hynix)以21納米制程生產(chǎn)的DRAM為目前獲利性高的主力產(chǎn)品，2016年底生產(chǎn)比重將達(dá)全部DRAM的40%;10納米級(jí)DRAM規(guī)劃在2017年上半投產(chǎn)。NAND Flash領(lǐng)域?qū)⒛繕?biāo)訂在2017年下半投產(chǎn)72層3D NAND Flash，持續(xù)擴(kuò)大3D NAND的生產(chǎn)比重。 　　SK海力士DRAM技術(shù)本部長金進(jìn)國(音譯)表示，IT產(chǎn)業(yè)對(duì)大容量、低耗電、存取速度快的DRAM需求漸增，2016年以來市場(chǎng)需求開始由DDR3、LPDDR3轉(zhuǎn)移到DDR4、LPDDR4，公司
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賽普拉斯率先推出采用低引腳數(shù)MCP封裝的串行存儲(chǔ)器解決方案，實(shí)現(xiàn)汽車、工業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的瞬時(shí)啟動(dòng)

  • 　　賽普拉斯半導(dǎo)體公司今日宣布其一款用于支持瞬時(shí)啟動(dòng)應(yīng)用的全新小尺寸存儲(chǔ)器解決方案已驗(yàn)證成功。賽普拉斯 HyperFlash和HyperRAM 多芯片封裝(MCP)解決方案在8mm x 6mm的空間內(nèi)集成了賽普拉斯的3V 512M HyperFlash™和64M HyperRAM™存儲(chǔ)器。該方案在一個(gè)低引腳數(shù)封裝內(nèi)結(jié)合了用于實(shí)現(xiàn)快速啟動(dòng)和隨開隨用高速NOR閃存，和用于擴(kuò)展便箋式存儲(chǔ)器的自刷新DRAM ，特別適合空間受限和成本優(yōu)化的嵌入式 設(shè)計(jì)。 該解決方案可用于廣泛的應(yīng)用類別，包括
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三星2Q'17起或?qū)⑷娌?0納米制程生產(chǎn)移動(dòng)DRAM

  • 　　三星電子(Samsung Electronics)被預(yù)估自2017年第2季開始，將全面采用20納米或以下的制程技術(shù)生產(chǎn)所有移動(dòng)DRAM產(chǎn)品，意謂2017年第2季以后三星也將停止采用25納米制程技術(shù)生產(chǎn)移動(dòng)DRAM芯片，由此顯示出三星在制程技術(shù)上的加速演進(jìn)。 　　韓聯(lián)社等外媒報(bào)導(dǎo)，根據(jù)市場(chǎng)研究公司DRAMeXchange指出，據(jù)信在2016年第4季三星生產(chǎn)的移動(dòng)DRAM芯片中，約94%已開始采用20納米或以下納米制程技術(shù)生產(chǎn)。 　　到目前三星移動(dòng)DRAM芯片采20納米制程生產(chǎn)比重為82%、18納米為
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TrendForce：十月DRAM價(jià)格月漲逾20%，4GB模組均價(jià)來到17.5美元

  • 　　TrendForce集邦科技旗下存儲(chǔ)研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)表示，DRAM原廠與一線的PC-OEM(代工)大廠敲定第四季度的合約價(jià)格，4GB模組均價(jià)來到17.5美元，較上月的14.5美元上漲逾20%;現(xiàn)貨市場(chǎng)也依然維持強(qiáng)勁的上升格局，DDR3/4 4Gb價(jià)格分別來到2.46/2.48美元，較上月同期比較已上漲17%與24%，顯見市場(chǎng)對(duì)于后市上漲仍將持續(xù)保持樂觀的態(tài)度。 　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，觀察市場(chǎng)面，由于原廠產(chǎn)能陸續(xù)轉(zhuǎn)進(jìn)行動(dòng)式內(nèi)存與服務(wù)器內(nèi)存后，
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韓國成立半導(dǎo)體希望基金鎖定存儲(chǔ)器研發(fā)

  • 　　南韓沖刺半導(dǎo)體業(yè)組成國家隊(duì)，由當(dāng)?shù)厍皟纱髲S三星電子和SK海力士領(lǐng)軍，籌組總規(guī)模2,000億韓元的“半導(dǎo)體希望基金”，投資具發(fā)展?jié)摿Φ陌雽?dǎo)體相關(guān)企業(yè)。 　　三星、SK海力士是全球前兩大存儲(chǔ)器芯片商，單是DRAM領(lǐng)域，兩大廠市占率總和超過七成，具有絕對(duì)制價(jià)與技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，兩大廠領(lǐng)軍籌組南韓“半導(dǎo)體希望基金”，預(yù)料以存儲(chǔ)器相關(guān)業(yè)務(wù)為優(yōu)先，臺(tái)灣南亞科、華邦電等存儲(chǔ)器芯片廠，以及正在興起的大陸存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)，短線將面臨更大壓力。 　　業(yè)界人士分析，此次南韓的&ld
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傳三星 DRAM 明年邁 15 納米

  • 　　三星電子智能手機(jī)吃悶棍，力拼內(nèi)存事業(yè)救業(yè)績(jī)!據(jù)傳三星為了穩(wěn)固龍頭地位，將在明年下半生產(chǎn) 15、16 納米 DRAM，對(duì)手 SK 海力士(SK Hynix)和美光(Micron)遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后，技術(shù)差距約為一年半。 　　BusinessKorea 31 日?qǐng)?bào)導(dǎo)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)透露，三星內(nèi)存部門今年初量產(chǎn) 18 納米制程 DRAM，準(zhǔn)備在明年下半生產(chǎn) 15、16 納米 DRAM。同時(shí)，該公司將拉高 18 納米 DRAM 占整體 DRAM 的生產(chǎn)比重，目標(biāo)明年下半提高至 30~40%。相關(guān)人士說，明年三星 10 納
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手機(jī)DRAM有漏洞，黑客可竊取手機(jī)最高權(quán)限

  • 　　阿姆斯特丹自由大學(xué)(Vrije Universiteit Amsterdam)的漏洞安全實(shí)驗(yàn)室VUSec Lab本周揭露了一個(gè)可能影響所有智能手機(jī)的安全漏洞，此一漏洞并非存在于移動(dòng)平臺(tái)或程式上，而是藏匿在手機(jī)所使用的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)中，將允許駭客取得手機(jī)的最高權(quán)限。雖然研究人員是以Android手機(jī)進(jìn)行測(cè)試，但理論上該漏洞也會(huì)影響iPhone或基于其他平臺(tái)的手機(jī)。 　　研究人員利用的是已知的Rowhammer硬體漏洞，并打造Drammer軟體來執(zhí)行攻擊，發(fā)現(xiàn)包括LG、Motorola、
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存儲(chǔ)器價(jià)格回溫　2016年IC市場(chǎng)可望成長1%

  • 　　市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IC Insights的最新報(bào)告將對(duì)2016年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)營收的成長率預(yù)測(cè)，由原先的-2%提升為1%;此外該機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)，2016年全球IC出貨量成長率將在4~6%之間。IC Insights調(diào)升半導(dǎo)體市場(chǎng)成長率的很大一部分原因，來自于DRAM市場(chǎng)的強(qiáng)勁表現(xiàn)。 　　IC Insights指出，自2002年以來，全球IC市場(chǎng)在第三季平均季成長率為8%，但去年第三季市場(chǎng)成長率僅成長約1%左右;2016年第三季的IC市場(chǎng)成長率則出現(xiàn)了略為高于過去十五年平均值的9%。此外該機(jī)構(gòu)預(yù)期，2016年第四
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SMIC擴(kuò)產(chǎn)利好，DRAM推高2016半導(dǎo)體增長預(yù)測(cè)

  • 　　據(jù)ICInsight的最新預(yù)測(cè)，2016年全球半導(dǎo)體業(yè)的增長率將是1%，之前的預(yù)測(cè)為下降2%。它的最新預(yù)測(cè)為2016年增長1%，及2017年增長4%，而2016年IC unit(出貨量)由之前預(yù)測(cè)增加4%，上升至6%。 　　IC Insight修正預(yù)測(cè)的原因是DRAM的價(jià)格將止跌回升。如DDR3 4Gb的價(jià)格由2014.10月的32.75美元，下降到2016.6月的12.5美元，幅度達(dá)62%。如今由于智能手機(jī)及PC對(duì)于DRAM的容量需求上升，導(dǎo)致市場(chǎng)缺貨，價(jià)格止跌回升。三星等又重新開始擴(kuò)大投資，增加
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dram介紹

DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以 必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲(chǔ)單元沒有被刷新，存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。 它的存取速度不快，在386、486時(shí)期被普遍應(yīng)用。 動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲(chǔ)元按照行和列來組 [ 查看詳細(xì) ]
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