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中國存儲業(yè)的“春天”來了？

  • 目前說中國存儲器業(yè)的”春天”已經(jīng)到來可能還為時尚早，確切地說，應(yīng)該是中國的半導(dǎo)體業(yè)一定要跨入全球存儲器的行列之中。
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DDR4將首度超越DDR3　2017年占整體DRAM58%

  • 　　第四代高速DRAM存儲器DDR4自2014年上市以來，銷售額在整體DRAM存儲器總銷售額中的占比不斷成長。尤其是隨著2016年DDR4平均售價(ASP)跌至約與DDR3相同，當(dāng)年DDR4銷售額占比更是飆升至45%，大幅拉近與DDR3占比間的距離。 　　調(diào)研機構(gòu)IC Insights預(yù)估，隨著如英特爾(Intel)最新14納米制程x86 Core系列處理器等都開始向DDR4存儲器靠攏，預(yù)計2017年全球DDR4銷售額占比將會揚升至58%，首度超越DDR3的39%，正式終結(jié)過去6年DDR3占比持續(xù)維持第
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機構(gòu):DRAM與NAND FLASH價格下半年將下降

  • 　　Gartner 表示，在 NAND Flash 方面 2017 年第 2 季將會開始呈現(xiàn)反轉(zhuǎn)，使得全球 NAND Flash 和 SSD 的價格會在 2018 年出現(xiàn)明顯下滑，并在 2019 年重新陷入一個相對低點。 　　Gartner 表示，自 2016 年中期以來，隨著 NAND Flash 的漲價，SSD 的每字節(jié)的成本也出現(xiàn)了驚人上漲。 不過，這種上漲趨勢將在本季達(dá)到頂峰。 其原因在于中國廠商大量投入生產(chǎn)的結(jié)果，在產(chǎn)能陸續(xù)開出后，市場價格就一反過去的漲勢，開始出現(xiàn)下跌的情況。 　　Gart
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IC Insights :DRAM價格下半年要下滑

  • 　　IC Insights 對DRAM后市提出示警，預(yù)期下半年隨著供給增加，產(chǎn)品價格恐將下滑，DRAM 市場無可避免將展開周期性修正。 　　IC Insighta 指出，DRAM 價格自 2016 年中以來快速走高，據(jù)統(tǒng)計，DRAM 平均售價已自 2016 年 4 月的 2.41 美元，大幅攀高到今年 2 月的 3.7 美元，漲幅高達(dá)至 54%。 　　在產(chǎn)品價格大漲帶動下，IC Insights 預(yù)估，今年 DRAM 產(chǎn)值可望達(dá) 573 億美元規(guī)模，將較去年成長達(dá) 39%。 　　IC Insight
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高啟全：長江存儲自主3D NAND、DRAM研發(fā)歡迎美光一起加入

  • 　　臺灣DRAM教父高啟全轉(zhuǎn)戰(zhàn)大陸紫光集團操盤存儲器大計劃超過1年，日前晉升長江存儲的執(zhí)行董事、代行董事長，接受DIGITIMES獨家專訪公開未來規(guī)劃;他指出，已齊聚500名研發(fā)人員在武漢投入3D NAND開發(fā)，也考慮研發(fā)20/18納米DRAM，會在技術(shù)開發(fā)具競爭力后才開始投產(chǎn)，歡迎美光(Micron)加入合作，雙方合則兩利，且時間會對長江存儲有利! 　　長江存儲計劃存儲器的研發(fā)，制造基地在武漢、南京兩地，紫光2017年1月底資金到位，現(xiàn)階段長江存儲的股權(quán)結(jié)構(gòu)是大基金占25%、湖北集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金和
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中國半導(dǎo)體遭圍堵 晉華并沒有DRAM試產(chǎn)線？

  • 美光此次提起訴訟無非是為了防止其存儲技術(shù)遭到泄露，間接給大陸廠商和相關(guān)員工施壓，其行為也是國際大廠圍堵中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)崛起的縮影之一
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集邦咨詢：美光圍堵，無礙中國DRAM研發(fā)進(jìn)程

  • 　　近日，有媒體報道美國存儲器大廠在臺灣地區(qū)采取司法手段其防止技術(shù)遭遇泄露，目標(biāo)是前華亞科及前瑞晶關(guān)鍵制程和研發(fā)人員，目前已有上百人遭到約談。　　市場更是傳出，美光這一行動已經(jīng)波及聯(lián)電與大陸廠商晉華的合作事宜，導(dǎo)致后者出資在聯(lián)電臺灣南科廠設(shè)置的試產(chǎn)線停產(chǎn)?！　〔贿^，4月5日，聯(lián)電方面對外表示，確實有員工收到了訴訟通知，但只是個人行為，與公司無關(guān)。此外，聯(lián)電還表示，目前DRAM仍處制程技術(shù)開發(fā)階段，尚無試產(chǎn)線，并無外傳試產(chǎn)線暫停的情況，其DRAM技術(shù)的研發(fā)計劃也將持續(xù)不變?！　「鶕?jù)集邦咨詢觀察，近年來，中國
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IC Insights：存儲器市場前景好，DRAM、NAND報價調(diào)升兩倍

  • 　　DRAM、NAND 快閃存儲器價格漲不停，促使半導(dǎo)體研究機構(gòu) IC Insights 將今年全球芯片成長預(yù)估調(diào)升兩倍。 　　IC Insights 最新預(yù)期 2017 年全球芯片產(chǎn)值將成長 11%，兩倍高于原先估計的 5%。IC Insights 解釋原因為 DRAM、NAND 快閃存儲器展望明顯上修。 　　IC Insights 現(xiàn)在預(yù)期今年 DRAM 銷售額有望跳增 39%、NAND 快閃存儲器有望成長 25%，隨著報價走揚，未來兩者都還有進(jìn)一步上修的可能。 　　IC Insights 指出
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2015年大陸貢獻(xiàn)全球IC需求29%,供給僅4%

  • 　　2013年，中國從海外進(jìn)口了2,330億美元的半導(dǎo)體，進(jìn)口金額首度超越石油，也促成了中國「半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展綱要」的出現(xiàn)，并在2014年9月募集第一波的「大基金」。 2015年，半導(dǎo)體的進(jìn)口金額維持2,307億美元的高檔，大約貢獻(xiàn)了全球29%的半導(dǎo)體需求量，但中國能自己供應(yīng)的比重僅有4%。 　　中國政府希望到2020年為止，能夠維持每年20%的成長。 相較于海外的購并工作不斷的受到干擾，中國顯然更積極于自建工廠的努力。 整體而言，我們可以用「自建工廠」，發(fā)展3D Flash，也同步發(fā)展材料設(shè)備業(yè)等幾個字
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車用存儲器市場分析

  • 在“2017慕尼黑上海電子展”前夕的“汽車技術(shù)日”上，ISSI技術(shù)市場經(jīng)理田步嚴(yán)介紹了車用存儲器市場，包括：信息娛樂、ADAS、儀表總成、connectivity telematics四大類。
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三星美光1xnm DRAM 接連出狀況，市場供貨吃緊仍沒改善

  • 　　自 2016 年中開始，DRAM 內(nèi)存供貨不足，造成市場價格全面上漲的情況，如今又要多加一個變量。 那就是 DRAM 內(nèi)存的市場龍頭三星，在 2017 年 2 月中旬陸續(xù)召回部分序號的 18 奈米制程的內(nèi)存模塊，并且再重新出貨給客戶之后，仍然發(fā)生有瑕疵的狀況。 而且，此事件已影響了名列前茅的 PC 大廠在 DPPM (每百萬臺的不良率) 有大幅提升的狀況。 再加上，不僅是三星出現(xiàn)這樣的情況，連美光 (Micron) 的 17 奈米制程 PC DRAM 內(nèi)存模塊都有類似的情形發(fā)生，如此也為 2017 年
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紫光國芯第四代DRAM存儲器成功通過科技成果評價

  • 　　2017年3月22日，受工業(yè)和信息化部電子科學(xué)技術(shù)情報研究所委托，北京中企慧聯(lián)科技發(fā)展中心在北京主持召開由紫光國芯股份有限公司/西安紫光國芯半導(dǎo)體有限公司自主研發(fā)的“高性能第四代DRAM存儲器”科技成果評價會。 　　北京中企慧聯(lián)評價機構(gòu)嚴(yán)格按照《科技成果評價試點暫行辦法》的有關(guān)規(guī)定和要求，秉承客觀、公正、獨立的原則，聘請同行專家對該項科技成果進(jìn)行了評價。評價委員會聽取了項目完成單位的技術(shù)總結(jié)報告，對評價資料進(jìn)行了審查，經(jīng)嚴(yán)格質(zhì)詢和充分討論形成了評價意見。 　　 &nb
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韓國與大陸技術(shù)差距僅剩3~5年？SK海力士提前應(yīng)對專利紛爭

  • 　　大陸存儲器正在迅猛發(fā)展，去年紫光主導(dǎo)的長江存儲在武漢投資240億美元建設(shè)國家存儲芯片基地引起全球關(guān)注，韓國業(yè)界對此評估稱，韓國與大陸廠商間的技術(shù)差距僅剩3~5年。有消息指出，為避免再度上演類似過去與Rambus、東芝等半導(dǎo)體同業(yè)間的專利大戰(zhàn)，SK海力士近期特意與專利分析團隊中新成立大陸工作小組，以研究學(xué)習(xí)大陸商業(yè)法、專利法等相關(guān)法律。 　　據(jù)韓媒亞洲經(jīng)濟引述SK海力士內(nèi)部消息稱，SK海力士的大陸專利分析小組將采取無固定編制、相關(guān)成員可自由參與研究學(xué)習(xí)大陸專利法等相關(guān)法律的模式。因大陸半導(dǎo)體技術(shù)暫時還
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韓國與大陸技術(shù)差距僅剩3~5年？SK海力士提前應(yīng)對專利紛爭

  • 　　大陸存儲器正在迅猛發(fā)展，去年紫光主導(dǎo)的長江存儲在武漢投資240億美元建設(shè)國家存儲芯片基地引起全球關(guān)注，韓國業(yè)界對此評估稱，韓國與大陸廠商間的技術(shù)差距僅剩3~5年。有消息指出，為避免再度上演類似過去與Rambus、東芝等半導(dǎo)體同業(yè)間的專利大戰(zhàn)，SK海力士近期特意與專利分析團隊中新成立大陸工作小組，以研究學(xué)習(xí)大陸商業(yè)法、專利法等相關(guān)法律。 　　據(jù)韓媒亞洲經(jīng)濟引述SK海力士內(nèi)部消息稱，SK海力士的大陸專利分析小組將采取無固定編制、相關(guān)成員可自由參與研究學(xué)習(xí)大陸專利法等相關(guān)法律的模式。因大陸半導(dǎo)體技術(shù)暫時還
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Micron宣布在臺成立DRAM卓越制造中心

  • 　　Micron 宣布于本月14日成功標(biāo)得達(dá)鴻先進(jìn)科技的拍賣資產(chǎn)，并將以此建立Micron在臺之后段生產(chǎn)基地。Micron現(xiàn)已取得這新生產(chǎn)基地之所有權(quán)。 　　經(jīng)由此收購案， Micron取得與其臺中廠相鄰的無塵室和設(shè)備，并將使Micron 的晶圓制造與后段封測得以集中于同一據(jù)點，并專注于建立集中式的后段封測營運。 　　全球制造副總裁Wayne Allan指出：“此舉為Micron在臺建立DRAM卓越制造中心的重要一步。將晶圓制造和后段封測結(jié)合在同一地點，構(gòu)建一個完整連貫的高效制造支援組織，
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dram介紹

DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應(yīng)用。 動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細(xì) ]
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