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集邦咨詢稱(chēng) 2023Q3 全球 DRAM 規(guī)模 134.8 億美元，環(huán)比增長(zhǎng) 18%

  • IT之家 12 月 5 日消息，根據(jù)市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)集邦咨詢公布的最新報(bào)告，2023 年第 3 季度全球 DRAM 產(chǎn)業(yè)規(guī)模合計(jì)營(yíng)收 134.8 億美元，環(huán)比增長(zhǎng) 18.0%。集邦咨詢表示由于下半年需求緩步回溫，買(mǎi)方重啟備貨動(dòng)能，讓各原廠營(yíng)收皆有所增長(zhǎng)。展望今年第 4 季度，供給方面，原廠漲價(jià)態(tài)度明確，預(yù)估第四季 DRAM 合約價(jià)上漲約 13~18%；需求方面的回溫程度則不如過(guò)往旺季，整體而言，DRAM 行業(yè)出貨增長(zhǎng)幅度有限。三家主流廠商情況細(xì)分到各家品牌，三大原廠營(yíng)收皆有所成長(zhǎng)
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消息稱(chēng) SK 海力士與三星電子 DRAM 市場(chǎng)份額差距已縮小至 4.4%

  • 11 月 28 日消息，上周就有研究機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù)顯示，在人工智能聊天機(jī)器人 ChatGPT 大火帶動(dòng)的人工智能領(lǐng)域應(yīng)用需求增加的推動(dòng)下，SK 海力士三季度在全球 DRAM 市場(chǎng)的份額達(dá)到了 35%，是他們自成立以來(lái)市場(chǎng)份額最高的一個(gè)季度。而從最新報(bào)告來(lái)看，DRAM 市場(chǎng)份額在三季度創(chuàng)下新高的 SK 海力士，也縮小了同競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星電子在這一產(chǎn)品領(lǐng)域的市場(chǎng)份額差距。研究機(jī)構(gòu)的報(bào)告顯示，SK 海力士 DRAM 產(chǎn)品在三季度的銷(xiāo)售額為 46.3 億美元，環(huán)比增長(zhǎng) 34.59%；三星電子 DRAM 三季度的銷(xiāo)售額則是
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三季度全球 DRAM 銷(xiāo)售額達(dá) 132.4 億美元，連續(xù)兩個(gè)季度環(huán)比增長(zhǎng)

  • 11 月 30 日消息，據(jù)外媒報(bào)道，從去年下半年開(kāi)始，受消費(fèi)電子產(chǎn)品需求下滑影響，全球存儲(chǔ)芯片的需求也明顯下滑，三星電子、SK 海力士等主要廠商都受到了影響。但在削減產(chǎn)量、人工智能領(lǐng)域相關(guān)需求增加的推動(dòng)下，DRAM 這一類(lèi)存儲(chǔ)產(chǎn)品的價(jià)格已在回升，銷(xiāo)售額環(huán)比也在增加。研究機(jī)構(gòu)最新的數(shù)據(jù)就顯示，在今年三季度，全球 DRAM 的銷(xiāo)售額達(dá)到了 132.4 億美元，環(huán)比增長(zhǎng) 19.2%，在一季度的 93.7 億美元之后，已連續(xù)兩個(gè)季度環(huán)比增長(zhǎng)。全球 DRAM 的銷(xiāo)售額在三季度明顯增長(zhǎng)，也就意味著主要廠商的銷(xiāo)售額，環(huán)
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AI推動(dòng)SK海力士DRAM市場(chǎng)份額達(dá)到有史以來(lái)最高水平

  • 據(jù)外媒報(bào)道，在OpenAI訓(xùn)練的人工智能聊天機(jī)器人ChatGPT大火，谷歌等一眾科技巨頭紛紛加入生成式人工智能和大型語(yǔ)言模型的賽道之后，外媒就預(yù)計(jì)對(duì)AI服務(wù)器的需求將大幅增加，高性能GPU、高帶寬存儲(chǔ)器的需求也將隨之增加，半導(dǎo)體行業(yè)的多家廠商，將迎來(lái)新的發(fā)展機(jī)遇。市場(chǎng)研究公司Omdia的最新分析顯示，存儲(chǔ)芯片廠商SK海力士就已從人工智能應(yīng)用需求增加中獲益，他們?nèi)径仍谌駾RAM市場(chǎng)的份額達(dá)到了35%，占據(jù)了超過(guò)三分之一的份額。也是SK海力士自成立以來(lái)，在全球DRAM市場(chǎng)份額最高的一個(gè)季度。由于生成式人工
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存儲(chǔ)市場(chǎng)前瞻：DDR5 需求顯著增長(zhǎng)、AI 崛起讓手機(jī)內(nèi)存邁入 20GB 時(shí)代

  • IT之家?11 月 24 日消息，由于廠商減產(chǎn)的效果逐漸顯現(xiàn)，以及特定應(yīng)用市場(chǎng)的持續(xù)強(qiáng)勁需求，DRAM 和 NAND 閃存價(jià)格在 2023 年第 4 季度呈現(xiàn)全面上漲，并有望持續(xù)到明年第 1 季度。集邦咨詢分析預(yù)估，2023 年第 4 季度移動(dòng) DRAM 合約價(jià)格預(yù)計(jì)上漲 13-18%，而 eMMC 和 UFS NAND Flash 合約預(yù)計(jì)上漲約 10-15%，上漲趨勢(shì)會(huì)持續(xù)到 2024 年第 1 季度。移動(dòng) DRAM：根據(jù)國(guó)外科技媒體 WccFtech 報(bào)道，2024 年手機(jī)的一個(gè)明顯變化是
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美光率先為業(yè)界伙伴提供基于32Gb單裸片DRAM的高速率、低延遲128GB大容量RDIMM內(nèi)存

  • Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布領(lǐng)先業(yè)界推出基于?32Gb?單裸片的128GB DDR5 RDIMM?內(nèi)存，具有高達(dá)?8,000 MT/s?速率的一流性能，可支持當(dāng)前及未來(lái)的數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載。該款大容量、高速率內(nèi)存模塊特別針對(duì)數(shù)據(jù)中心和云環(huán)境中廣泛的任務(wù)關(guān)鍵型應(yīng)用，例如人工智能?(AI)、內(nèi)存數(shù)據(jù)庫(kù)?(IMDB)?以及需要對(duì)多線程、多核通用計(jì)算工作負(fù)載進(jìn)行高效處理的場(chǎng)景，滿足它們對(duì)
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芯片設(shè)計(jì)中，DRAM 類(lèi)型的選擇正在變復(fù)雜

  • 選擇越多，選擇越難。
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市況好轉(zhuǎn) 內(nèi)存廠Q3獲利嗨

  • NAND Flash現(xiàn)貨價(jià)于8月中旬反彈，DRAM價(jià)格也在9月開(kāi)始回升，內(nèi)存市況確立好轉(zhuǎn)，帶動(dòng)內(nèi)存族群獲利能力普遍呈現(xiàn)攀升。觀察第三季內(nèi)存族群財(cái)報(bào)，內(nèi)存制造大廠包括南亞科、旺宏及華邦電仍呈小幅虧損；內(nèi)存模塊廠創(chuàng)見(jiàn)、威剛、廣穎、品安、宇瞻單季每股稅后純益（EPS）皆有1元以上，宜鼎及群聯(lián)單季EPS更分別有3、4元以上亮眼成績(jī)。另從毛利率、營(yíng)利率及稅后純益率三大財(cái)務(wù)指標(biāo)來(lái)看，第三季財(cái)報(bào)數(shù)字呈現(xiàn)「三率三升」的內(nèi)存廠商，則有創(chuàng)見(jiàn)、威剛、十銓、廣穎、宜鼎、品安，財(cái)務(wù)成績(jī)表現(xiàn)亮眼。此外，威剛14日公告10月自結(jié)財(cái)務(wù)數(shù)
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2023年慕尼黑華南電子展：EEPW&東芯半導(dǎo)體股份有限公司

  • 在本次展會(huì)上，東芯半導(dǎo)體也來(lái)到了EEPW的直播間。東芯半導(dǎo)體股份有限公司成立于2014年，作為Fabless芯片企業(yè)，東芯半導(dǎo)體擁有獨(dú)立自主的知識(shí)產(chǎn)權(quán)，聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的研發(fā)、設(shè)計(jì)和銷(xiāo)售，是目前國(guó)內(nèi)少數(shù)可以同時(shí)提供NAND/NOR/DRAM設(shè)計(jì)工藝和產(chǎn)品方案的存儲(chǔ)芯片研發(fā)設(shè)計(jì)公司。2022年EEPW曾有幸采訪過(guò)東芯半導(dǎo)體副總經(jīng)理陳總，這次在2023年慕尼黑華南電子展上，陳總向我們介紹了東芯半導(dǎo)體這次在展會(huì)上帶來(lái)了全線的產(chǎn)品，包括了NAND/NOR/DRAM。目前東芯在NAND
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預(yù)估第四季Mobile DRAM及NAND Flash合約價(jià)均上漲

  • 據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究顯示，第四季Mobile DRAM合約價(jià)季漲幅預(yù)估將擴(kuò)大至13~18%。NAND Flash方面，eMMC、UFS第四季合約價(jià)漲幅約10~15%；由于Mobile DRAM一直以來(lái)獲利表現(xiàn)均較其他DRAM產(chǎn)品低，因此成為本次的領(lǐng)漲項(xiàng)目。季漲幅擴(kuò)大包括幾個(gè)原因，供應(yīng)方面：三星擴(kuò)大減產(chǎn)、美光祭出逾20%的漲幅等，持續(xù)奠定同業(yè)漲價(jià)信心的基礎(chǔ)。需求方面：2023下半年Mobile DRAM及NAND Flash（eMMC、UFS）除了受傳統(tǒng)旺季帶動(dòng)，華為Mate
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通脹沖擊消費(fèi)電子終端買(mǎi)氣，2022年DRAM模組廠營(yíng)收年減4.6%

  • 受高通脹沖擊消費(fèi)電子產(chǎn)品買(mǎi)氣影響，據(jù)TrendForce集邦咨詢統(tǒng)計(jì)，2022年全球DRAM模組市場(chǎng)整體銷(xiāo)售額173億美元，年衰退約4.6%；其中各模組廠因供應(yīng)的領(lǐng)域不同，使得各家營(yíng)收表現(xiàn)差異較大。TrendForce集邦咨詢統(tǒng)計(jì)，2022年全球前五大存儲(chǔ)器模組廠占整體銷(xiāo)售額90%；前十名則合計(jì)囊括全球模組市場(chǎng)的96%營(yíng)業(yè)額，其中Kingston（金士頓）的市占達(dá)78%，雖營(yíng)收小幅下跌，仍維持全球第一。盡管終端市場(chǎng)需求不佳，但基于Kingston品牌規(guī)模，加上完整的產(chǎn)品供應(yīng)鏈，使得其營(yíng)收衰退幅度較小，僅衰
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三星、SK海力士拿到無(wú)限期豁免權(quán)

  • 10月9日，韓國(guó)總統(tǒng)辦公室通報(bào)，美國(guó)目前已做出決定 —— 在無(wú)需單獨(dú)批準(zhǔn)的情況下，三星和SK海力士可以向中國(guó)工廠提供半導(dǎo)體設(shè)備，該決定一經(jīng)通報(bào)即生效。據(jù)悉，無(wú)限期豁免將通過(guò)更新Validated End-User（VEU）清單來(lái)取得。若被納入該清單，便無(wú)需額外獲得許可，代表美國(guó)出口管制的適用性實(shí)際上是被無(wú)限期暫停。三星在一份聲明中表示，“通過(guò)與相關(guān)政府的密切協(xié)調(diào)，與我們?cè)谥袊?guó)的半導(dǎo)體生產(chǎn)線運(yùn)營(yíng)有關(guān)的不確定性已大大消除。”SK海力士則表示，“我們歡迎美國(guó)政府決定延長(zhǎng)對(duì)出口管制規(guī)定的豁免。我們相信，這一決定將
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存儲(chǔ)芯片，果真回暖了

  • 受需求放緩、供應(yīng)增加、價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)加劇等因素影響，存儲(chǔ)芯片的價(jià)格在 2022 年最后兩個(gè)季度均出現(xiàn)暴跌。根據(jù) TrendForce 的最新數(shù)據(jù)顯示，DRAM 的平均價(jià)格繼 2022 年第三季度暴跌 31.4% 之后，在第四季度的跌幅擴(kuò)大到了 34.4%。今年 Q1，DRAM 均價(jià)跌幅收斂至 13%～18%，Q2 DRAM 價(jià)格跌幅收窄至 10% 到 15%。與 DRAM 市況相似，NAND 閃存的市場(chǎng)需求也大幅下滑。2022 年 Q3 和 Q4 NAND Flash 價(jià)格跌幅均超過(guò) 20%，今年 Q1 NAN
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1γ DRAM、321 層 NAND: 主流廠商新一輪裝備競(jìng)賽已拉開(kāi)帷幕

  • IT之家 10 月 10 日消息，閃存市場(chǎng)固然存在全球經(jīng)濟(jì)下行、高通脹等諸多因素影響，依然處于充滿挑戰(zhàn)的時(shí)期，但美光、三星等 DRAM 巨頭正積極備戰(zhàn) 1γ DRAM 技術(shù)。圖源：SK 海力士DRAM目前全球最先進(jìn)的 DRAM 工藝發(fā)展到了第五代，美光將其稱(chēng)為 1β DRAM，而三星將其稱(chēng)為 1b DRAM。美光于去年 10 月開(kāi)始量產(chǎn) 1β DRAM，不過(guò)研發(fā)的目標(biāo)是在 2025 年量產(chǎn) 1γ DRAM，這將標(biāo)志著美光首次涉足極紫外 (EUV) 光刻技術(shù)。而三星計(jì)劃 2023 年邁入 1b D
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1γ DRAM、321層NAND！存儲(chǔ)大廠先進(jìn)技術(shù)競(jìng)賽仍在繼續(xù)

  • 盡管由于經(jīng)濟(jì)逆風(fēng)、高通貨膨脹影響，存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)身處下行周期，但存儲(chǔ)大廠對(duì)于先進(jìn)技術(shù)的競(jìng)賽仍在繼續(xù)。對(duì)DRAM芯片而言，先進(jìn)制程意味著高能效與高容量，以及更好的終端使用體驗(yàn)。當(dāng)前，DRAM先進(jìn)制程工藝——10nm級(jí)別目前來(lái)到了第五代，美光稱(chēng)之為1β DRAM，三星稱(chēng)之為1b DRAM。美光去年10月開(kāi)始量產(chǎn)1β DRAM之后，計(jì)劃于2025年量產(chǎn)1γ DRAM，這將是美光第1代采用極紫外光（EUV）的制程技術(shù)，目前在美光只在臺(tái)中有EUV的制造工廠，因此1γ制程勢(shì)必會(huì)先在臺(tái)中廠量產(chǎn)，未來(lái)日本廠也有望導(dǎo)入EUV
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dram介紹

DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以 必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新，存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。 它的存取速度不快，在386、486時(shí)期被普遍應(yīng)用。 動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲(chǔ)元按照行和列來(lái)組 [ 查看詳細(xì) ]
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