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海力士：DRAM市況可望進(jìn)入恢復(fù)期

  • 　　海力士(Hynix)30日召開(kāi)定期股東大會(huì)，社長(zhǎng)權(quán)五哲表示，DRAM價(jià)格已觸底，市況可望進(jìn)入恢復(fù)期，而權(quán)五哲對(duì)NANDFlash市況，也抱持肯定的態(tài)度，他表示，受日本地震影響，NANDFlash價(jià)格攀升，下半年記憶體晶片市場(chǎng)將可望出現(xiàn)反彈。 　　
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平板電腦內(nèi)存容量將大幅增加

  • 　　根據(jù)IHS的研究報(bào)告，平板電腦DRAM上的平均容量將大幅增加147%，達(dá)到676MB。 　　IHS公司分析師邁克霍華德表示，由于平板電腦的應(yīng)用程序越來(lái)越復(fù)雜，今年其內(nèi)存的平均增長(zhǎng)量將會(huì)是去年的2.5倍。這股趨勢(shì)會(huì)繼續(xù)下去，明年的平均容量預(yù)計(jì)將達(dá)到1.3GB ，而到2015年預(yù)計(jì)會(huì)達(dá)到3.7GB，與筆記本電腦所使用的DRAM的容量相當(dāng)。 　　
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分析顯示DRAM產(chǎn)業(yè)春燕將至

  • 　　美光執(zhí)行長(zhǎng)Steve Appleton表示，看好3~5月的DRAM報(bào)價(jià)逐漸觸底反彈;再者，日前三星電子(Samsung Electronics)也開(kāi)始調(diào)漲DRAM合約價(jià)，南亞科也認(rèn)為4月合約價(jià)將會(huì)續(xù)漲，市場(chǎng)彌漫春燕將至的氣氛。 　
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三星開(kāi)始量產(chǎn)新型移動(dòng)DRAM內(nèi)存芯片

  • 　　全球最大的內(nèi)存芯片廠商三星電子周四稱，它已經(jīng)開(kāi)始大批量生產(chǎn)新型移動(dòng)DRAM內(nèi)存芯片。這種內(nèi)存芯片在更薄的封裝中增加內(nèi)存的密度。 　　
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日本震后　DRAM現(xiàn)貨價(jià)轉(zhuǎn)趨觀望

  • 　　日本地震后2天期間，曾出現(xiàn)上升走勢(shì)的DRAM現(xiàn)貨價(jià)格已轉(zhuǎn)趨觀望，由于日本半導(dǎo)體、LCD業(yè)者受損情況并不嚴(yán)重，依照恢復(fù)的情況，IT產(chǎn)業(yè)整體需求將會(huì)不同，因而市場(chǎng)上再度回到觀望的氣氛。 　　日前南韓各大廠紛紛預(yù)測(cè)DRAM價(jià)格將于2011年第1季觸底，三星電子(SamsungElectronics)和海力士(Hynix)等與貿(mào)易商協(xié)商，可能會(huì)提高每個(gè)月進(jìn)行2次調(diào)整的部分合約價(jià)格。 　　在地震后短暫出現(xiàn)升幅的DRAM現(xiàn)貨價(jià)格又再度來(lái)到持平局面。外電引述DRAMeXange調(diào)查指出，最近DRAM主要產(chǎn)品DD
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集邦：3月下旬DRAM合約價(jià)漲3%

  • 　　集邦科技旗下DRAMeXchange認(rèn)為，在日本強(qiáng)震打亂供應(yīng)鏈，且電腦制造商即將為歐美返校需求備料下，3月下旬DRAM芯片合約價(jià)漲幅逾3%，預(yù)期漲勢(shì)將延續(xù)至4月。 　　
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日本地震矽晶圓對(duì)DRAM廠影響

  • 　　過(guò)去矽晶圓供給雖然偶有傳出吃緊聲浪，但從未像這次日本311強(qiáng)震把全球2大矽晶圓廠信越半導(dǎo)體和SUMCO都震出問(wèn)題，甚至影響全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈。　
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海力士開(kāi)發(fā)出全球最大容量的單芯片封裝DRAM內(nèi)存

  • 　　全球第二大計(jì)算機(jī)內(nèi)存芯片廠商海力士半導(dǎo)體周三稱，它已經(jīng)開(kāi)發(fā)出全球最大容量的單芯片封裝DRAM內(nèi)存芯片。 　　海力士在聲明中稱，通過(guò)使用一種名為T(mén)SV(硅通孔技術(shù))的新技術(shù)，海力士成功地在一個(gè)芯片封裝中堆疊了8個(gè)2GB DDR3 DRAM內(nèi)存芯片。TSV技術(shù)與以前的技術(shù)相比具有速度更快和耗電量更少的優(yōu)勢(shì)。 　　
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分析稱DRAM內(nèi)存芯片下半年將供貨短缺

  • 　　投資公司Raymond James & Associates日前發(fā)布報(bào)告稱，DRAM內(nèi)存芯片市場(chǎng)將在下半年出現(xiàn)供貨短缺的局面。DRAM芯片市場(chǎng)近一段時(shí)間表現(xiàn)低迷，需求降低，價(jià)格也大幅下滑。 　　
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爾必達(dá)擬將Mobile DRAM營(yíng)收比重提高至5成

  • 　　智能型手機(jī)等產(chǎn)品用Mobile DRAM營(yíng)收占日廠爾必達(dá)(Elpida)整體營(yíng)收的比重可望在2010會(huì)計(jì)年度第4季(2011年1~3月)拉高至5成左右。在PC等產(chǎn)品用標(biāo)準(zhǔn)型DRAM價(jià)格低迷之際，提高M(jìn)obile DRAM營(yíng)收比重將有助于其改善獲利情況。 　
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爾必達(dá)希望分文不花整并臺(tái)日DRAM產(chǎn)業(yè)

  • 　　臺(tái)、日DRAM產(chǎn)業(yè)集成議題沸沸揚(yáng)揚(yáng)多時(shí)，爾必達(dá)(Elpida)社長(zhǎng)坂本幸雄首度吐露真心話表示，假如臺(tái)、日DRAM產(chǎn)業(yè)雙方真的進(jìn)入集成及合并階段，爾必達(dá)并不希望花任何1毛錢，希望能用股權(quán)交換方式來(lái)進(jìn)行，若能集成成功，爾必達(dá)在全球市占率將可超過(guò)40%，直逼三星電子(SamsungElectronics)龍頭地位。至于臺(tái)廠龐大債權(quán)歸誰(shuí)，爾必達(dá)內(nèi)部希望以債做股方式一筆勾銷，盼銀行團(tuán)能同意拿債權(quán)換股。業(yè)界對(duì)此認(rèn)為，爾必達(dá)這招頗有公開(kāi)逼親意味。 　　爾必達(dá)這次來(lái)臺(tái)發(fā)行臺(tái)灣存托憑證(TDR)，被業(yè)界視為臺(tái)、日DR
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爾必達(dá)擬調(diào)漲3月DRAM報(bào)價(jià)

  • 　　日系存儲(chǔ)器大廠爾必達(dá)(Elpida)的臺(tái)灣存托憑證(TDR)即將于25日，以每股新臺(tái)幣21.3元掛牌，預(yù)計(jì)籌得42.6億元資金，社長(zhǎng)坂本幸雄在24日掛牌前法說(shuō)會(huì)中指出，看好3月DRAM價(jià)格可逐漸上漲，爾必達(dá)也計(jì)劃在3月初調(diào)漲DRAM報(bào)價(jià)，初步規(guī)劃2GbDDR3芯片可調(diào)升至2.3~2.5美元，對(duì)于后市DRAM市場(chǎng)逐漸供需平衡的趨勢(shì)相當(dāng)樂(lè)觀。 　
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爾必達(dá)稱發(fā)行臺(tái)灣存托憑證融資1.45億美元

  • 　　日本芯片制造商爾必達(dá)(Elpida Memory)周四宣布，已通過(guò)發(fā)行臺(tái)灣存托憑證(TDR)融資42億新臺(tái)幣(約合1.45億美元)。 　　爾必達(dá)總裁兼CEO坂本幸雄(Yukio Sakamoto)稱，這筆資金將主要用于開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)20納米和30納米芯片。 　　
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臺(tái)DRAM廠從與美日廠雙打淪為撿球員

  • 　　聯(lián)電榮譽(yù)副董事長(zhǎng)宣明智表示，臺(tái)灣創(chuàng)新存儲(chǔ)器公司(TIMC)錯(cuò)過(guò)最佳的DRAM產(chǎn)業(yè)集成時(shí)間點(diǎn)后，未來(lái)臺(tái)系DRAM廠與國(guó)際大廠之間的關(guān)系，從過(guò)去與它們打「雙打」的角色，變成美日大廠自己「單打」，臺(tái)廠恐淪為只有撿球的份;再者，TIMC將持續(xù)投入NAND Flash產(chǎn)業(yè)的專利開(kāi)發(fā)，希望能建立相關(guān)IP，為臺(tái)灣在快閃產(chǎn)存儲(chǔ)器領(lǐng)域上拿到1張入場(chǎng)券。 　　
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DRAM、NAND芯片現(xiàn)貨均價(jià)上周再度下滑

  • 　　市場(chǎng)調(diào)研公司inSpectrum近日發(fā)布的存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)周統(tǒng)計(jì)報(bào)告顯示，上周DRAM和NAND芯片現(xiàn)貨市場(chǎng)上的平均價(jià)格再次有了比較明顯的下滑，相比1月份的穩(wěn)定價(jià)格此次的變化對(duì)整個(gè)市場(chǎng)有一定的影響。 　　
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dram介紹

DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以 必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新，存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。 它的存取速度不快，在386、486時(shí)期被普遍應(yīng)用。 動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲(chǔ)元按照行和列來(lái)組 [ 查看詳細(xì) ]
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