首頁  資訊  商機   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會展  EETV  百科   問答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動中心  E周刊閱讀   樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> dram

三星繼續(xù)統(tǒng)治DRAM市場

  •   存儲芯片調(diào)研公司集邦科技日前發(fā)布了2010年四季度的全球DRAM營收報告,去年四季度DRAM市場營收86.4億美元,相比三季度的107.8億美元下降20%。芯片期貨價環(huán)比下降40%,但產(chǎn)能增長16%。   
  • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  

爾必達擬在臺發(fā)行TDR 籌措新臺幣43.2億元

  •   彭博信息(Bloomberg)報導(dǎo)指出,全球第3大DRAM業(yè)者爾必達(Elpida)計劃來臺發(fā)行臺灣存托憑證(TDR),募資約123億日圓(約新臺幣43.2億元),作為次世代DRAM制程所需的研發(fā)資金之用,而爾必達亦將成為首家來臺發(fā)行TDR的日本業(yè)者。   據(jù)悉,爾必達擬發(fā)行2億單位的TDR;2月18日將敲定確切的發(fā)行價格。   另據(jù)路透(Reuters)報導(dǎo),在發(fā)行TDR的同時,爾必達亦計劃增發(fā)1,000萬股新股,新股發(fā)行后,爾必達的股數(shù)將增為2.16億股左右。   報導(dǎo)提到,爾必達透過發(fā)行T
  • 關(guān)鍵字: Elpida  DRAM  

三星繼續(xù)統(tǒng)治DRAM市場 韓廠狂攬62%份額

  •   存儲芯片調(diào)研公司集邦科技日前發(fā)布了2010年四季度的全球DRAM營收報告,去年四季度DRAM市場營收86.4億美元,相比三季度的107.8億美元下降20%。芯片期貨價環(huán)比下降40%,但產(chǎn)能增長16%。   集邦科技指出,廠商們在生產(chǎn)工藝上的升級使得產(chǎn)能上漲,但50nm級和40nm級工藝的邁進使得四季度的DRAM價格下降。在加上PC對DRAM需求較低、PC內(nèi)存容量的升級緩慢,最終的結(jié)果就是產(chǎn)能過剩拉低了芯片價格。   四季度2GB DDR3內(nèi)存平均期貨價已經(jīng)從三季度的40美元降低到24美元,而現(xiàn)貨市
  • 關(guān)鍵字: 集邦科技,DRAM  存儲芯片  

爾必達2010年第四季度大虧3.6億美元

  •   存儲器大廠爾必達(Elpida)公布2010會計年度第3季財報(2010年10~12月),受存儲器價格大跌拖累,爾必達第3季大虧296億日圓(約3.6億美元)。   2010 會計年度第3季爾必達營收為970.7億日圓,較前1年同期的1,510.1億日圓大幅萎縮36%,第3季凈損為296億日圓,較前1年同期凈賺 210.5億日圓大幅惡化。此外,爾必達第3季的虧損較路透(Reuters)調(diào)查、分析師預(yù)估的凈損161.7億日圓還大。   爾必達虧損龐大的主因為DRAM價格崩盤,受個人計算機(PC)需求
  • 關(guān)鍵字: Elpida  DRAM  

爾必達欲收購臺灣力晶DRAM業(yè)務(wù)

  •   1月31日消息,日本芯片巨頭爾必達公司正就收購臺灣芯片廠商力晶科技的DRAM業(yè)務(wù)進行洽談。   爾必達起初計劃對力晶該項業(yè)務(wù)展開資本合作或合并的談判,但現(xiàn)已將目標轉(zhuǎn)為收購。據(jù)悉,爾必達還考慮接手力晶科技的主要工廠。國外媒體的報道中說,爾必達希望通過“日臺聯(lián)合”來對抗三星等韓國廠商。
  • 關(guān)鍵字: 爾必達  DRAM  

平板電腦為DRAM帶來增長支撐點

  •   據(jù)IHS iSuppli公司的研究,2011年平板電腦將極大地促進DRAM產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,預(yù)計今年該領(lǐng)域的DRAM出貨量將增長八倍。   今年平板設(shè)備領(lǐng)域的DRAM出貨量預(yù)計達到3.533億Gb,比2010年的3780萬Gb劇增834.7%。未來幾年其增長勢頭沒有減弱跡象,2012年將增長到10億Gb,2013年增長到22億Gb,2014年達到35億Gb,如圖3所示。
  • 關(guān)鍵字: DRAM  平板電腦  

DRAM價跌破0.9美元防線

  •   韓國主要出口產(chǎn)品DRAM和液晶顯示器(LCD)面板價格,近期皆再度出現(xiàn)跌幅。其中,自2009年3月以來,歷經(jīng)22個月之后,DRAM價格又再度跌破0.9美元防線。   韓國媒體引述市場調(diào)查機構(gòu)DRAMeXange統(tǒng)計表示,1Gb DDR3 DRAM交易價格已較1月初的0.91美元下跌3.3%,目前為0.88美元。1Gb DDR3 DRAM既是三星電子(Samsung Electronics)的代表性商品,也是目前全球DRAM半導(dǎo)體市場上交易量最大的產(chǎn)品。  
  • 關(guān)鍵字: DRAM  LCD  

三星權(quán)五鉉:DRAM可能第一季觸底回升

  •   三星電子(Samsung Electronics)半導(dǎo)體事業(yè)部社長權(quán)五鉉,出席2011年IT產(chǎn)業(yè)新年見面會時曾表示,DRAM價格可能提早于第1季觸底并回升,第1季內(nèi)價格將有小幅下跌,價格隨即出現(xiàn)反彈,但不確定會發(fā)生在2月或3月。  
  • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  

DRAM內(nèi)存價格接近谷底

  •   來自存儲芯片調(diào)研公司集邦科技的消息稱,1月上半個月DRAM期貨價已經(jīng)接近谷底,下半個月價格可能持平或繼續(xù)小幅下滑,然后在二季度開始回漲。   本月初,2GB DDR3內(nèi)存價格下降5-6%,平均價格在17美元,最低16美元。雖然價格仍舊呈下降趨勢,但速率已經(jīng)非常緩慢,不像之前那樣出現(xiàn)10%甚至以上的滑坡?! ?/li>
  • 關(guān)鍵字: Intel  DRAM  

瑞薩開發(fā)出在邏輯LSI中混載DRAM的技術(shù)

  •   瑞薩電子開發(fā)出了利用與標準CMOS工藝相近的方法在邏輯LSI中混載DRAM的技術(shù)。該項技術(shù)面向28nm工藝以后的產(chǎn)品,瑞薩電子將把該工藝的SoC(System on a Chip)生產(chǎn)全面委托給代工企業(yè)。 
  • 關(guān)鍵字: 瑞薩  DRAM  CMOS  

瑞薩電子推出5款面向網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的存儲器產(chǎn)品

  •   瑞薩電子株式會社(以下簡稱瑞薩電子)于2011年1月18日正式宣布推出5款面向網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的高速存儲器產(chǎn)品576Mb(Mbit)低時延 DRAM,品名分別為μPD48576109、μPD48576118、μPD48576209、μPD48576218、μPD48576236。新產(chǎn)品將于即日起提供樣品。   與公司原有288Mb 低時延DRAM“μPD48288236”產(chǎn)品相比,新產(chǎn)品最大的特點是其存儲容量提升至原有產(chǎn)品的2倍,實現(xiàn)了大容量化。此
  • 關(guān)鍵字: 瑞薩電子  DRAM  存儲器  

爾必達擬漲DRAM價格

  •   日本經(jīng)濟新聞報導(dǎo)指出,日廠爾必達(Elpida)有意于2011年1月中旬調(diào)漲DRAM價,據(jù)國內(nèi)外PC業(yè)者的說法,其要求的漲幅約10%。   
  • 關(guān)鍵字: 爾必達  DRAM  

DRAM風(fēng)雨飄搖之后的希望

  •   據(jù)市調(diào)公司iSuppli研究,預(yù)計2011年DRAM平均銷售價格(ASP)大幅下滑,全球DRAM銷售額也將隨之急劇萎縮,盡管智能手機和平板電腦領(lǐng)域存在強勁的增長機會。  
  • 關(guān)鍵字: DRAM  智能手機  

2011年DRAM市場將失去勢頭

  •   據(jù)iSuppli公司,預(yù)計2011年DRAM平均銷售價格(ASP)大幅下滑,全球DRAM銷售額也將隨之急劇萎縮,盡管智能手機和平板電腦領(lǐng)域存在強勁的增長機會。   2011年全球DRAM銷售額預(yù)計下降至355億美元,比2010年的403億美元減少11.8%。這種兩位數(shù)的下滑幅度,與2010年形成鮮明對比。2010年全球DRAM銷售額比2009年劇增77.5%。如圖2所示,2011年以后的幾年,DRAM銷售額的波動也較大,在ASP持續(xù)下滑的情況下,銷售額趨于下降。   DRAM是游戲機和臺式電腦及筆
  • 關(guān)鍵字: 平板電腦  DRAM  

臺DRAM廠拼制程搶救獲利無效

  •   DDR3報價從2010年初1顆3美元跌到年底只剩下0.8美元,跌幅高達70%,力晶更在2010年底因欠款導(dǎo)致子公司瑞晶停止出貨,透露臺DRAM廠財務(wù)已處于極度吃緊狀態(tài),存儲器業(yè)者表示,由于1月DRAM合約價和現(xiàn)貨價還有下跌空間,即便臺廠現(xiàn)在就采用40納米制程生產(chǎn),亦只能勉強微幅賺錢,更何況臺廠目前制程幾乎都在50及60納米世代,因此,臺DRAM廠不僅2010年第4季虧損將持續(xù)擴大,2011年第1季亦將再鳴虧損悲歌。   
  • 關(guān)鍵字: 茂德  DRAM  
共1829條 74/122 |‹ « 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 » ›|

dram介紹

DRAM(Dynamic Random-Access Memory),即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以 必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快,在386、486時期被普遍應(yīng)用。 動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細 ]
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473