- 2010年DRAM產業(yè)虎頭蛇尾，年初報價大漲至1顆DDR3報價達3美元，但年底卻跌到1美元;但以獲利來看，2010年只有力晶和瑞晶有賺錢，南亞科、華亞科和茂德都是持續(xù)賠錢，南亞科和華亞科是因為制程轉換之故，沒有掌握到年初報價上漲的機會，年底雖然成功轉進50奈米，但報價已呈現(xiàn)溜滑梯狀態(tài)。
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瑞晶 DRAM
- 瑞晶31日公告，由于主要大客戶兼母公司力晶的帳款逾期未付，因此即日起暫停出貨給力晶;力晶表示，由于DRAM價格不佳，在財務上規(guī)畫保守，目前正與爾必達(Elpida)和瑞晶3方協(xié)商當中;瑞晶則表示，將與力晶協(xié)議針對保障瑞晶債權的方案。
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瑞晶 DRAM
- 臺灣央行總裁彭淮南面對這一波新臺幣強勢升值，采取匯市收盤價力守30元的作法，外界開始出現(xiàn)匯價失真的爭議，但彭淮南這次直接挑明表示，臺灣和韓國在科技產業(yè)的產品雷同度高，匯率過度升值會影響出口商的競爭力;與韓國處于高度競爭的DRAM廠表示，若新臺幣升值幅度高于韓元，與三星電子(Samsung Electronics)競爭上的確區(qū)居下風，不過臺灣DRAM產業(yè)有很大一塊問題是自己的技術和財務結構，匯率是影響競爭力因素之一，但絕不是影響臺灣DRAM產業(yè)競爭力的最關鍵因素，主要因素還是在售價。
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力晶 DRAM
- 海力士(Hynix)緊跟三星電子(Samsung Electronics)之后，將把DRAM的生產制程轉換為30納米級制程。海力士29日宣布，已開發(fā)出2款計算機用DRAM產品，將首度采用30納米級制程量產。據(jù)海力士表示，計劃采用38納米制程生產4Gb和2Gb 2種產品，2011年第1季將先量產2Gb產品。
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海力士 DRAM
- 據(jù)彭博(Bloomberg)報導，海力士(Hynix)計劃資本支出3兆韓元(約26億美元)，該公司發(fā)言人證實首爾經濟日報(Seoul Economic Daily)的報導。
彭博電話訪問發(fā)言人Park Seong Ae指出，實際投資金額可能會依市場情況而調整。Park進一步指出，2010年的投資金額為3.38兆韓元，相較之下，2011年的投資金額可能會比較小。
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海力士 DRAM
- DRAM報價面臨二次崩盤危機，過去曾被提及但最后鎩羽的臺日DRAM產業(yè)4合1大整并議題，再度被端上臺面!日本外電指出，爾必達(Elpida)社長坂本幸雄將于2011年初訪臺，洽談在臺灣成立控股公司，將力晶、瑞晶和茂德3家臺廠連同爾必達進行4合1大整并的細節(jié)，若能整并成功，“新爾必達”的市占率將一舉超越海力士(Hynix)成為全球DRAM二哥;惟臺廠表示，未聽聞此事。
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爾必達 DRAM
- 據(jù)iSuppli公司，12月DRAM價格繼續(xù)下降，跌勢不止，經過幾個月的大幅下滑，價格已降到年內最低水平。
12月10日，2GB DDR3 DRAM模組合同價格為21.00美元，比6月份的44.40美元下跌50%以上。不只DDR3價格下跌，DDR2同樣跌得很慘。目前DDR2價格為21.50美元，遠低于6月時的38.80美元。
圖2所示為4-12月DDR2和DDR3 DRAM的平均銷售價格，包括1GB和2GB兩種密度。
與上一代的DDR2相比，DDR3傳輸速度更快，而且功耗更低。但
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DRAM 30納
- 美系內存大廠美光(Micron)預測2011會計年度第2季(2010年12月~2011年2月)DRAM和NANDFlash報價將持續(xù)走跌，其中DRAM價格會下跌約25%，而NANDFlash價格會下跌約10%，美光表示，將致力于制程技術微縮，以期能持續(xù)降低生產成本，因應需求不如預期的市況。
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美光 DRAM
- 美國計算機記憶芯片大廠美光日前公布會計年度第1季(迄12月2日)財報，由于供智能型手機使用的記憶芯片需求殷切，不但抵銷了個人計算機記憶芯片需求下滑的沖擊，更讓公司連續(xù)第5個季度出現(xiàn)獲利。
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美光 DRAM
- 2010年12月下旬DRAM的合約價格持續(xù)重挫，其中2GB容量DDR3模塊的價格下跌10%，平均售價跌破20美元，低價來到17美元價格，相較于2010年上半DRAM缺貨高峰期，2GB容量DDR3模塊價格較當時的價格已下跌超過50%，市場預期供過于求的情況至少還會再持續(xù)1季，因為2011年第1季的供給增加幅度相當大，預計要到2011年4月之后，等個人計算機(PC)大廠準備下半年旺季的備料，DRAM價格才有機會落底止跌。
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爾必達 DRAM
- 據(jù)市場研究公司iSuppli表示，今年全球半導體市場將較上年同期低迷的水平實現(xiàn)有史以來最大規(guī)模的增長，這主要得益于DRAM及NAND晶片的大幅增長。iSuppli預計，2010年全球半導體行業(yè)總收入或為3,040億美元，較2009年總收入2,295億美元高出大約三分之一。
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半導體 DRAM
- 2011年DRAM產業(yè)中，雖然三星電子(SamsungElectronics)已揭露大擴產計劃，包括興建12寸晶圓廠Line-16，以及將現(xiàn)有Line-15升級至35納米制程，但綜觀整個DRAM產業(yè)的位元成長率，仍都是來自于制程微縮為主，包括三星35納米制程將在2011年下半超過50%，以及海力士(Hynix)、爾必達(Elpida)和美光(Micron)的30納米制程也都將在第2季大量產出，集邦科技預估2011年全球DRAM產業(yè)位元成長率(BitGrowth)將增加50%。
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三星電子 DRAM
- 2011年DRAM產業(yè)中，雖然三星電子(Samsung Electronics)已揭露大擴產計劃，包括興建12寸晶圓廠Line-16，以及將現(xiàn)有Line-15升級至35納米制程，但綜觀整個DRAM產業(yè)的位元成長率，仍都是來自于制程微縮為主，包括三星35納米制程將在2011年下半超過50%，以及海力士(Hynix)、爾必達(Elpida)和美光(Micron)的30納米制程也都將在第2季大量產出，集邦科技預估2011年全球DRAM產業(yè)位元成長率(Bit Growth)將增加50%。
三星電子201
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三星電子 DRAM
- 據(jù)iSuppli公司，2010年上半年金士頓增強了在第三方DRAM模組市場中的統(tǒng)治地位，在模組成本上漲之際利用其強大的購買力擴大了市場份額。
2010年上半年金士頓的DRAM模組銷售額為26億美元，比2009年下半年勁增45.6%。其在全球第三方DRAM模組市場中的份額從2009年下半年的39.6%升至45.8%。金士頓的表現(xiàn)遠遠優(yōu)于總體DRAM模組市場，后者同期增長26%。
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金士頓 DRAM
- 據(jù)南韓電子新聞報導，三星電子(Samsung Electronics)應用可大幅提升內存容量的3D-TSV(Through Silicon Via)技術開發(fā)出8GB DDR3 DRAM模塊。三星以3D-TSV技術在40奈米2Gb DDR3 DRAM上搭載2顆集積芯片，制作成8GB DDR3 RDIMM(Registered Dual Inline Memory)產品，10月時已裝設在客戶商服務器上，完成產品測試。
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三星 DRAM
dram介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應用。
動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [
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