- 據彭博(Bloomberg)報導，海力士(Hynix)計劃資本支出3兆韓元(約26億美元)，該公司發(fā)言人證實首爾經濟日報(Seoul Economic Daily)的報導。
彭博電話訪問發(fā)言人Park Seong Ae指出，實際投資金額可能會依市場情況而調整。Park進一步指出，2010年的投資金額為3.38兆韓元，相較之下，2011年的投資金額可能會比較小。
- 關鍵字：
海力士 DRAM
- DRAM報價面臨二次崩盤危機，過去曾被提及但最后鎩羽的臺日DRAM產業(yè)4合1大整并議題，再度被端上臺面!日本外電指出，爾必達(Elpida)社長坂本幸雄將于2011年初訪臺，洽談在臺灣成立控股公司，將力晶、瑞晶和茂德3家臺廠連同爾必達進行4合1大整并的細節(jié)，若能整并成功，“新爾必達”的市占率將一舉超越海力士(Hynix)成為全球DRAM二哥;惟臺廠表示，未聽聞此事。
- 關鍵字：
爾必達 DRAM
- 據iSuppli公司，12月DRAM價格繼續(xù)下降，跌勢不止，經過幾個月的大幅下滑，價格已降到年內最低水平。
12月10日，2GB DDR3 DRAM模組合同價格為21.00美元，比6月份的44.40美元下跌50%以上。不只DDR3價格下跌，DDR2同樣跌得很慘。目前DDR2價格為21.50美元，遠低于6月時的38.80美元。
圖2所示為4-12月DDR2和DDR3 DRAM的平均銷售價格，包括1GB和2GB兩種密度。
與上一代的DDR2相比，DDR3傳輸速度更快，而且功耗更低。但
- 關鍵字：
DRAM 30納
- 美系內存大廠美光(Micron)預測2011會計年度第2季(2010年12月~2011年2月)DRAM和NANDFlash報價將持續(xù)走跌，其中DRAM價格會下跌約25%，而NANDFlash價格會下跌約10%，美光表示，將致力于制程技術微縮，以期能持續(xù)降低生產成本，因應需求不如預期的市況。
- 關鍵字：
美光 DRAM
- 美國計算機記憶芯片大廠美光日前公布會計年度第1季(迄12月2日)財報，由于供智能型手機使用的記憶芯片需求殷切，不但抵銷了個人計算機記憶芯片需求下滑的沖擊，更讓公司連續(xù)第5個季度出現獲利。
- 關鍵字：
美光 DRAM
- 2010年12月下旬DRAM的合約價格持續(xù)重挫，其中2GB容量DDR3模塊的價格下跌10%，平均售價跌破20美元，低價來到17美元價格，相較于2010年上半DRAM缺貨高峰期，2GB容量DDR3模塊價格較當時的價格已下跌超過50%，市場預期供過于求的情況至少還會再持續(xù)1季，因為2011年第1季的供給增加幅度相當大，預計要到2011年4月之后，等個人計算機(PC)大廠準備下半年旺季的備料，DRAM價格才有機會落底止跌。
- 關鍵字：
爾必達 DRAM
- 據市場研究公司iSuppli表示，今年全球半導體市場將較上年同期低迷的水平實現有史以來最大規(guī)模的增長，這主要得益于DRAM及NAND晶片的大幅增長。iSuppli預計，2010年全球半導體行業(yè)總收入或為3,040億美元，較2009年總收入2,295億美元高出大約三分之一。
- 關鍵字：
半導體 DRAM
- 2011年DRAM產業(yè)中，雖然三星電子(SamsungElectronics)已揭露大擴產計劃，包括興建12寸晶圓廠Line-16，以及將現有Line-15升級至35納米制程，但綜觀整個DRAM產業(yè)的位元成長率，仍都是來自于制程微縮為主，包括三星35納米制程將在2011年下半超過50%，以及海力士(Hynix)、爾必達(Elpida)和美光(Micron)的30納米制程也都將在第2季大量產出，集邦科技預估2011年全球DRAM產業(yè)位元成長率(BitGrowth)將增加50%。
- 關鍵字：
三星電子 DRAM
- 2011年DRAM產業(yè)中，雖然三星電子(Samsung Electronics)已揭露大擴產計劃，包括興建12寸晶圓廠Line-16，以及將現有Line-15升級至35納米制程，但綜觀整個DRAM產業(yè)的位元成長率，仍都是來自于制程微縮為主，包括三星35納米制程將在2011年下半超過50%，以及海力士(Hynix)、爾必達(Elpida)和美光(Micron)的30納米制程也都將在第2季大量產出，集邦科技預估2011年全球DRAM產業(yè)位元成長率(Bit Growth)將增加50%。
三星電子201
- 關鍵字：
三星電子 DRAM
- 據iSuppli公司，2010年上半年金士頓增強了在第三方DRAM模組市場中的統治地位，在模組成本上漲之際利用其強大的購買力擴大了市場份額。
2010年上半年金士頓的DRAM模組銷售額為26億美元，比2009年下半年勁增45.6%。其在全球第三方DRAM模組市場中的份額從2009年下半年的39.6%升至45.8%。金士頓的表現遠遠優(yōu)于總體DRAM模組市場，后者同期增長26%。
- 關鍵字：
金士頓 DRAM
- 據南韓電子新聞報導，三星電子(Samsung Electronics)應用可大幅提升內存容量的3D-TSV(Through Silicon Via)技術開發(fā)出8GB DDR3 DRAM模塊。三星以3D-TSV技術在40奈米2Gb DDR3 DRAM上搭載2顆集積芯片，制作成8GB DDR3 RDIMM(Registered Dual Inline Memory)產品，10月時已裝設在客戶商服務器上，完成產品測試。
- 關鍵字：
三星 DRAM
- Rambus雖說是專利官司大戶，但他們也不是每次都靠這種方式掙錢。近日他們就與日本內存大廠爾必達簽署了新一期的專利授權協議。
此次雙方簽署的協議涉及產品極其廣泛，從久遠的SDR內存芯片到DDR、DDR2、DDR3、LPDDR、LPDDR2再到GDDR3、GDDR5芯片。該協議為期五年，爾必達將向Rambus總共支付1.8億美元的授權費，首次付賬4700萬美元。
- 關鍵字：
爾必達 DRAM
- 全球第2大DRAM記憶體廠海力士(Hynix)第4季業(yè)績走弱，營運獲利下滑加上淡季效應與產品價格走跌等因素，有鑒于大陸市場潛力巨大，該公司擬加碼大陸資本投資金額，希望借此刺激營收。海力士大陸區(qū)負責人Lee Jae-woo接受Korea Times采訪時表示，公司計劃提高大陸廠制程技術，以生產高階晶片。
- 關鍵字：
海力士 DRAM
- 按VLSI市場調研公司的最新報告，今年無論半導體以及設備業(yè)都達到歷史上輝煌的年份之一，由此也導致可能產能過剩及芯片價格下降。
同時，該公司也更新了2011及2012年半導體及設備業(yè)的預測，為2011年半導體增長4.4%為2486億美元，以及2012年再增長7.9%。VLSI之前曾預測2011年半導體增長8%。
- 關鍵字：
半導體 DRAM
- 11月下旬DRAM合約價跌幅超過10%，讓市場籠罩在烏云密布的氣氛當中，29日DDR3 eTT(Effectively Tested)報價單日再跌7%，1Gb DDR3報價摜破1.3美元;DRAM業(yè)者則表示，1Gb DDR3 eTT價格單日大跌超過7%，其實只是以補跌來反應品牌顆粒的價格;然此跌價情況若再延續(xù)，不排除各家DRAM廠會有擴大減產的情況出現。
- 關鍵字：
力晶 DRAM
dram介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數據就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應用。
動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [
查看詳細 ]
關于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
