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三星4Q再降DRAM價(jià)

  • 　　據(jù)外電報(bào)導(dǎo)，三星電子(SamsungElectronics)已較其他競(jìng)爭(zhēng)公司更具優(yōu)越的成本競(jìng)爭(zhēng)力，但在2010年第4季將持續(xù)調(diào)降DRAM價(jià)格，且計(jì)劃于2011年下半推出20奈米制程產(chǎn)品，欲獨(dú)霸DRAM市場(chǎng)。 　　
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DRAM市場(chǎng)價(jià)格持續(xù)下跌

  • 　　隨著DRAM和NANDFlash市場(chǎng)價(jià)格持續(xù)崩跌，不僅上游DRAM廠營(yíng)收紛呈現(xiàn)大幅衰退情況，下游存儲(chǔ)器模塊廠亦受到牽累，10月營(yíng)收亦持續(xù)下滑，其中，威剛10月營(yíng)收較9月減少達(dá)17.1%。威剛表示，預(yù)期11月營(yíng)收將因?yàn)楫a(chǎn)業(yè)景氣進(jìn)入淡季，而持續(xù)呈現(xiàn)衰退景況，公司因應(yīng)策略是致力降低庫(kù)存水位，將庫(kù)存維持在約3~4周水平。 　　
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坂本幸雄：DRAM下半年觸底

  • 　　日本DRAM廠爾必達(dá)(Elpida)社長(zhǎng)坂本幸雄接受彭博信息(Bloomberg)專訪時(shí)提到，目前惡化的DRAM市況可望在2010年度下半觸底;2011年度第1季(4~6月)回穩(wěn)。他同時(shí)透露爾必達(dá)考慮將廣島廠產(chǎn)線轉(zhuǎn)為生產(chǎn)Mobile DRAM的訊息。 　　
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爾必達(dá)削減產(chǎn)能試圖阻止芯片降價(jià)

  • 　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，去年獲得日本政府救助的芯片廠商爾必達(dá)今天表示，由于芯片價(jià)格的“意外”下滑，該公司計(jì)劃將產(chǎn)能削減25%。 　　在芯片制造業(yè)中，產(chǎn)能以晶圓數(shù)量計(jì)算。爾必達(dá)將把每月的晶圓產(chǎn)量從23萬下調(diào)至17萬。但該公司并未透露何時(shí)恢復(fù)產(chǎn)能。 　　
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DRAM臺(tái)商又臨困境

  • 　　由于DRAM價(jià)格再度崩跌，原本財(cái)務(wù)體質(zhì)就相當(dāng)孱弱的臺(tái)廠再度面臨難關(guān)，DRAM產(chǎn)業(yè)整并潮恐再次啟動(dòng)，但業(yè)者預(yù)期這次參與整并成員將單純?cè)S多，美光(Micron)陣營(yíng)的南亞科和華亞科在臺(tái)塑集團(tuán)財(cái)務(wù)支持下，已走出自己的路，不過，力晶、茂德、瑞晶合計(jì)26萬片12寸產(chǎn)能，恐怕都將成為爾必達(dá)(Elpida)囊中物。 　　
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DRAM產(chǎn)業(yè)恐掀二次整并潮

  • 　　由于DRAM價(jià)格再度崩跌，原本財(cái)務(wù)體質(zhì)就相當(dāng)孱弱的臺(tái)廠再度面臨難關(guān)，DRAM產(chǎn)業(yè)整并潮恐再次啟動(dòng)，但業(yè)者預(yù)期這次參與整并成員將單純?cè)S多，美光(Micron)陣營(yíng)的南亞科和華亞科在臺(tái)塑集團(tuán)財(cái)務(wù)支持下，已走出自己的路，不過，力晶、茂德、瑞晶合計(jì)26萬片12寸產(chǎn)能，恐怕都將成為爾必達(dá)(Elpida)囊中物。 　　DRAM產(chǎn)業(yè)2年前的整并賽轟轟烈烈開演，最后卻草草收?qǐng)?，大家都把理由推給DRAM價(jià)格反彈，不需再由政府插手，經(jīng)濟(jì)部亦樂得拋開燙手山芋，臺(tái)系DRAM廠則沈溺在報(bào)價(jià)反彈的榮景，紛購(gòu)買機(jī)臺(tái)及轉(zhuǎn)換制程擴(kuò)產(chǎn)
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爾必達(dá)削減產(chǎn)能應(yīng)對(duì)芯片降價(jià)

  • 　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，去年獲得日本政府救助的芯片廠商爾必達(dá)今天表示，由于芯片價(jià)格的“意外”下滑，該公司計(jì)劃將產(chǎn)能削減25%。 　　在芯片制造業(yè)中，產(chǎn)能以晶圓數(shù)量計(jì)算。爾必達(dá)將把每月的晶圓產(chǎn)量從23萬下調(diào)至17萬。但該公司并未透露何時(shí)恢復(fù)產(chǎn)能。 　　爾必達(dá)總裁阪本幸雄說：“目前還不清楚價(jià)格會(huì)下降多少。我們這樣做是試圖阻止價(jià)格進(jìn)一步下滑。” 　　據(jù)存儲(chǔ)芯片網(wǎng)絡(luò)交易商集邦科技(DrameXchange.com)的數(shù)據(jù)顯示，基準(zhǔn)芯片價(jià)格在上一季度暴跌24%后，本
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DRAM產(chǎn)業(yè)Q3營(yíng)收僅增3.4%

  • 　　集邦科技旗下研究部門DRAMeXchange調(diào)查，全球DRAM產(chǎn)業(yè)第3季營(yíng)收數(shù)字達(dá)108億美元，雖然DRAM 總產(chǎn)出量季成長(zhǎng)15%，但在第3季合約價(jià)跌幅超乎預(yù)期拖累，相較于上季營(yíng)收104億美元，僅微幅成長(zhǎng)約3.4%。而在全球市占上，韓系DRAM廠第3季已囊括全球61.2%市占率，日系廠占16.3%，美系廠占12.2%，臺(tái)廠則微幅下滑至10.3%。 　
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爾必達(dá)標(biāo)準(zhǔn)型DRAM將依賴臺(tái)廠

  • 　　日系存儲(chǔ)器大廠爾必達(dá)(Elpida)雖然預(yù)期2010年第2季(7~9月)財(cái)報(bào)較2009年同期大幅增加，但相較上季卻是明顯縮水，主要還是受到個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)市場(chǎng)需求不振的影響，未來爾必達(dá)在標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)品在線，將越來越依賴臺(tái)系DRAM合作伙伴的產(chǎn)能奧援，爾必達(dá)自己的12寸晶圓廠將聚焦在附加價(jià)值高的Mobile RAM產(chǎn)品在線。 　　
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DRAM價(jià)格跌不停

  • 　　臺(tái)系DRAM廠茂德公布第3季財(cái)報(bào)，一如市場(chǎng)預(yù)期，第3季在沒有巨額業(yè)外獲利挹注的情況下，虧損持續(xù)擴(kuò)大，稅后虧損達(dá)新臺(tái)幣38.96億元，以減資后股本計(jì)算，每股稅后虧損1.5元;茂德第3季營(yíng)收則是呈現(xiàn)成長(zhǎng)，主要是導(dǎo)入爾必達(dá)(Elpida)63納米制程技術(shù)所帶來的出貨量成長(zhǎng)貢獻(xiàn)，但也因?yàn)镈RAM平均單價(jià)下滑影響，營(yíng)收成長(zhǎng)幅度未如預(yù)期，僅小幅成長(zhǎng)8.76%。 　　
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多因素致DRAM供過于求

  • 　　路透報(bào)導(dǎo)，全球第2大手機(jī)廠商三星電子(Samsung Electronics)表示，因PC市場(chǎng)需求降溫，DRAM供過于求的狀況將持續(xù)到2011年第2季。 　　三星的高層指出，雖然市場(chǎng)需求逐漸疲軟，但因投資增加的結(jié)果，供給會(huì)持續(xù)上揚(yáng)，這也使得DRAM市場(chǎng)出現(xiàn)供給過剩的問題，可能要等到2011年中狀況才會(huì)解除。 　　
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海力士Q3獲利翻5倍

  • 　　受惠于出貨成長(zhǎng)及轉(zhuǎn)進(jìn)優(yōu)勢(shì)芯片的策略奏效，南韓海力士半導(dǎo)體第三季營(yíng)業(yè)利益創(chuàng)下歷史次高記錄。海力士預(yù)估，內(nèi)存芯片價(jià)格將于明年第一季開始止跌回穩(wěn)。 　　海力士周四公布，第三季營(yíng)業(yè)利益為1.01兆韓元(8.849億美元)，超越市場(chǎng)預(yù)期的9610億韓元，并較去年同期的2090億韓元大幅成長(zhǎng)近5倍，同時(shí)逼近上一季創(chuàng)下的1.05兆韓元的歷史新高。 　　
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DRAM廠3Q成績(jī)僅瑞晶逆勢(shì)突圍　

  • 　　DRAM廠第3季經(jīng)歷最冷的傳統(tǒng)旺季，營(yíng)運(yùn)成績(jī)單并不亮眼，其中南亞科和華亞科虧損較第2季擴(kuò)大，力晶雖然第3季是少數(shù)獲利的DRAM廠，但獲利幅度較第2季大幅縮水，瑞晶則是臺(tái)系DRAM廠中，唯一獲利幅度逆勢(shì)超過第2季的業(yè)者，而茂德第3季則是續(xù)虧;展望第4季營(yíng)運(yùn)，目前DRAM價(jià)格還有修正空間，各廠力拼制程演進(jìn)來降低成本。 　　
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海力士擬明年量產(chǎn)20納米NAND Flash

  • 　　韓國(guó)半導(dǎo)體廠海力士(Hynix)計(jì)劃2011年中以20納米制程量產(chǎn)NAND Flash。此20納米制程快閃存儲(chǔ)器可應(yīng)用于手機(jī)或平板計(jì)算機(jī)(Tablet PC)等裝置，相較26納米存儲(chǔ)器，晶圓(wafer)產(chǎn)出量提高約25%。 　　
  • 關(guān)鍵字： 海力士  DRAM  20納米  

三星、海力士4Q營(yíng)收不樂觀

  • 　　DRAM存儲(chǔ)器半導(dǎo)體價(jià)格跌勢(shì)持續(xù)第5個(gè)月，韓廠三星電子(Samsung Electronics)和海力士半導(dǎo)體(Hynix)等存儲(chǔ)器公司2010年第4季將難避免營(yíng)收惡化的危機(jī)。 　　　　
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dram介紹

DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以 必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲(chǔ)單元沒有被刷新，存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。 它的存取速度不快，在386、486時(shí)期被普遍應(yīng)用。 動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲(chǔ)元按照行和列來組 [ 查看詳細(xì) ]
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