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臺DRAM廠4Q面臨全虧危機

  • 　　南亞科和華亞科20日將打頭陣召開法說，然力晶卻搶先公布第3季財報，稅后獲利19.36億元，若加計瑞晶獲利，第3季獲利可望逼近30億元;南亞科和華亞科則因為50奈米制程轉(zhuǎn)換，產(chǎn)出不如預(yù)期，加上DDR3價格慢性崩盤，使得2家公司第3季虧損分別逾20億和30億元。展望第4季，若1Gb芯片價格跌到1美元，2Gb芯片跌破2美元，這3家臺DRAM廠恐將全數(shù)虧損。 　　
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內(nèi)存封測量增價跌致廠家營收小幅增長

  • 　　受內(nèi)存廠先進(jìn)制程持續(xù)開出，內(nèi)存封測及材料廠第4季接單量明顯成長，不過，由于DRAM(Dynamic Random Access Memory，動態(tài)隨機存取內(nèi)存)價格走低影響，封測價格也面臨降價壓力，因此第4季呈現(xiàn)量增價跌格局，預(yù)期各家營收維持小幅成長3~10%不等，是半導(dǎo)體業(yè)中少數(shù)還能維持成長的族群。 　
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景氣雖不明　海力士仍持續(xù)投資30納米制程

  • 　　雖然在經(jīng)濟前景不明的情況下，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣亦受到連帶影響，不過全球排名第2的半導(dǎo)體大廠海力士(Hynix)仍計劃對轉(zhuǎn)進(jìn)30納米制程持續(xù)加碼，以增加和三星電子(Samsung Electronics)、日本爾必達(dá)(Elpida)等大廠競爭的優(yōu)勢。 　　
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iSuppli：2010年半導(dǎo)體市場銷售有望破記錄

  • 　　據(jù)國外媒體報道，研究機構(gòu)iSuppli已經(jīng)降低了對2010年半導(dǎo)體銷售額的預(yù)測，但是它仍預(yù)期年底的利潤將達(dá)到前所未有的3020億美元。最新的預(yù)測顯示利潤上升了32%，比先前預(yù)測的35.1%有所下降。這主要是由于對四季度銷售額預(yù)期的降低。 　　據(jù)該機構(gòu)表示說，今年的利潤有望比去年同期增長740億美元，比2007年高280億美元。根據(jù)該公司的預(yù)測這將是半導(dǎo)體市場達(dá)到巔峰的一年。 　　產(chǎn)品利潤預(yù)期會增長43%，DRAM將會在PC市場有一個87%的強勁增長。同時，由于智能手機不斷增長的需求，無線通信市場將
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半導(dǎo)體成長攻頂2010年供需平衡增壓

  • 　　Gartner預(yù)測今年全球半導(dǎo)體成長率可攀至31.5%的高峰，而這股從去年景氣谷底復(fù)蘇的強勁力道，在歷經(jīng)連續(xù)五季的成長后即將落幕，一直到2014年全球半導(dǎo)體成長率最高不會超過7%，主要是因為半導(dǎo)體庫存若不實時調(diào)整，供過于求的態(tài)勢恐持續(xù)擴大。 　　Gartner副總裁JimEastlake表示，全球半導(dǎo)體成長趨勢已達(dá)高峰，一波調(diào)整庫存的浪潮將產(chǎn)生，以因應(yīng)半導(dǎo)體端和系統(tǒng)端供需失衡的擴大。 　　Gartner副總裁JimEastlake表示，受景氣回溫影響，半導(dǎo)體產(chǎn)值自2009年第三季開始超過系統(tǒng)端產(chǎn)值
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美光多元化布局　不再獨鐘DRAM產(chǎn)品

  • 　　美系存儲器大廠美光(Micron)交出連續(xù)4季獲利財報，美光近幾年多角化發(fā)展十分成功，目前DRAM營收比重有僅剩下25%，受到下半年標(biāo)準(zhǔn)型DRAM價格重挫的沖擊已大幅減少;然值得注意的是，與存儲器龍大廠三星電子(Samsung Electronics)相同，美光執(zhí)行長Steve Appleton也對于個人計算機(PC)市場前景的不確定因素發(fā)出預(yù)警。 　
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力晶9月營收衰退至75.19億

  • 　　DRAM大廠力晶自結(jié)9月營收新臺幣75.19億元，較上月88.88億元減少15%，累計前9月營收為675億元;力晶發(fā)言人譚仲民表示，9月營收下滑主要是受到DRAM現(xiàn)貨價疲軟的影響，隨著12寸晶圓廠代工業(yè)務(wù)的需求和報價回穩(wěn)，標(biāo)準(zhǔn)型DRAM制程技術(shù)也逐漸轉(zhuǎn)進(jìn)爾必達(dá)63納米制程，未來成本可望進(jìn)一步下降。 　　受到DRAM現(xiàn)貨價和合約價大幅下修的影響，DRAM廠9月營收除了華亞科受惠50納米制程大量轉(zhuǎn)換成功之賜，而逆勢成長之外，其它各廠營收都呈現(xiàn)下滑趨勢，包括力晶、瑞晶、南亞科、茂德等9月營收都難逃衰退命運
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DRAM內(nèi)存芯片價格或迎來短期上漲

  • 　　存儲芯片市場調(diào)研公司inSpectrum表示，盡管下滑趨勢依舊，但內(nèi)存和閃存芯片價格有望在中國十一長假后迎來小幅回升。 　　來自交易市場的消息稱，在十一長假結(jié)束前市場對DRAM內(nèi)存和NAND閃存芯片的需求已經(jīng)出現(xiàn)回升跡象。很多廠商稱十一長假帶來的市場需求已經(jīng)耗掉其大部分存貨，下周將進(jìn)行新一輪的存貨補充。 　　不過inSpectrum也認(rèn)為，由于零售渠道的根本需求依舊很弱，所以這種價格反彈只能是短期行為，不會持續(xù)太長。而且一些廠商繼續(xù)在其零售渠道降低eTT芯片價格，這也影響了整個內(nèi)存芯片市場的價格走
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坂本幸雄踩剎車　瑞晶擴產(chǎn)計劃喊停

  • 　　個人計算機(PC)需求不振連累DRAM價格重挫，爾必達(dá)(Elpida)社長坂本幸雄坦承將下修公司獲利目標(biāo)，同時在臺灣轉(zhuǎn)投資瑞晶R2廠的擴產(chǎn)計劃也將踩剎車。2010年在3、4月DRAM大缺貨之際，爾必達(dá)內(nèi)部規(guī)劃廣邀PC客戶入股來協(xié)助瑞晶擴產(chǎn)，屆時將依照投資比重來分配DRAM貨源，但傳出DRAM價格崩盤后，PC客戶早已溜之大吉，瑞晶的擴產(chǎn)計劃只好喊卡，然爾必達(dá)廣島廠的擴產(chǎn)進(jìn)度仍將如期進(jìn)行。 　　坂本幸雄表示，PC市場在傳統(tǒng)旺季的需求未如預(yù)期，將連累爾必達(dá)的財報獲利受到影響，但DRAM價格其實下修幅度已大
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NAND Flash價格瀕臨成本線　靜待大廠減產(chǎn)

  • 　　全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)在高容量32Gb和64Gb芯片產(chǎn)能持續(xù)開出下，9月下旬合約價續(xù)跌，其中，32Gb芯片合約價下跌5~6%，64Gb芯片大跌 9~10%，模塊廠表示，NAND Flash芯片價格已跌到相當(dāng)接近各大廠成本線，若價格再跌，恐會讓NAND Flash廠產(chǎn)生虧損，接下來要看大陸十一長假后是否出現(xiàn)補貨需求，帶動NAND Flash價格止跌。 　　模塊廠表示，近期NAND Flash產(chǎn)品需求比DRAM模塊好一些，DRAM買氣受限于現(xiàn)貨價跌幅較深，通路商補貨意愿不高，但在NAND Flas
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Castellano預(yù)測半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)環(huán)境再度急轉(zhuǎn)直下

  • 　　市場研究機構(gòu)The InformatiON Network總裁RobertCastellano表示，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)環(huán)境正在惡化，而且領(lǐng)先指標(biāo)顯示該市場即將發(fā)生庫存修正;他指出，雖然2010年將會是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷大幅反彈成長的一年，但好日子恐怕不多了。 　　Castellano預(yù)測，終端電子產(chǎn)品銷售將出現(xiàn)下滑，首當(dāng)而沖的就是DRAM領(lǐng)域;該市場在今年第二季還曾出現(xiàn)過135%的銷售成長;此外他也預(yù)言，PC銷售業(yè)績趨緩，將會對英特爾(Intel)、AMD等微處理器供應(yīng)商造成負(fù)面影響，連帶讓晶圓代工業(yè)者也受到?jīng)_
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三星電子第三季營業(yè)利潤43億美元 低于預(yù)期

  • 　　據(jù)國外媒體報道，三星今天發(fā)布了第三季度財報。財報顯示，三星營業(yè)利潤為4.8萬億韓元(約合43億美元)，低于分析師預(yù)期。 　　三星今天發(fā)表聲明稱，該公司第三季度營業(yè)利潤由去年同期的4.22萬億韓元(約合37.6億美元)增長14%至4.8萬億韓元，低于分析師預(yù)期的5.03萬億韓元。三星營收增長11%至40萬億韓元(約合356億美元)。 　　分析師指出，電視銷售放緩打壓了液晶面板的價格，影響了三星液晶面板和電視業(yè)務(wù)的利潤。摩根大通分析師賈斯廷·帕克(Justin Park)說，由于預(yù)計第四
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內(nèi)存價格10月份將持續(xù)下調(diào)

  • 　　據(jù)HKEPC網(wǎng)站報道，市調(diào)機構(gòu)DRAMeXchange指出， 9月份下半DRAM顆粒合約價持續(xù)下調(diào)， DDR3 1Gb顆粒均價趺破2美元關(guān)口， DDR3 2GB模塊合約價亦由36美元下調(diào)至34美元，跌幅約為5.5% ，而低位更曾經(jīng)下試33美元新低水平，第三季度DDR3模塊合約價下跌約2.3% ，創(chuàng)下至去年年中減產(chǎn)后單季最大跌幅，不僅DDR3內(nèi)存DDR2合約價亦緊貼DDR3合約價下跌， DDR2 2GB模塊合約均價約為33美元水平，跌幅約為6% 。 　　現(xiàn)貨市場方面，由于廣州亞運將于11月舉辦，大陸方
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iSuppli：2010年半導(dǎo)體市場銷售有望破記錄

  • 　　據(jù)國外媒體報道，研究機構(gòu)iSuppli已經(jīng)降低了對2010年半導(dǎo)體銷售額的預(yù)測，但是它仍預(yù)期年底的利潤將達(dá)到前所未有的3020億美元。最新的預(yù)測顯示利潤上升了32%，比先前預(yù)測的35.1%有所下降。這主要是由于對四季度銷售額預(yù)期的降低。 　　據(jù)該機構(gòu)表示說，今年的利潤有望比去年同期增長740億美元，比2007年高280億美元。根據(jù)該公司的預(yù)測這將是半導(dǎo)體市場達(dá)到巔峰的一年。 　　產(chǎn)品利潤預(yù)期會增長43%，DRAM將會在PC市場有一個87%的強勁增長。同時，由于智能手機不斷增長的需求，無線通信市場將
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爾必達(dá)12月將啟動30納米DRAM量產(chǎn)

  • 　　據(jù)《日本經(jīng)濟新聞》周三報道，爾必達(dá)計劃在今年12月開始量產(chǎn)40納米以下的DRAM芯片，此舉預(yù)計可節(jié)省生產(chǎn)成本約30%。爾必達(dá)即將量產(chǎn)的DRAM芯片線寬僅略大于30納米，比三星電子的最新制程更小。至目前為止，三星仍是全球首家跨入40納米制程以下的公司。 　　報道稱呢個，爾必達(dá)已開發(fā)出的“雙重曝光 (double-patterning)”新技術(shù)，能用現(xiàn)有的設(shè)備來達(dá)成更精細(xì)制程，而無需進(jìn)行大規(guī)模的資本投資。 　　爾必達(dá)位于日本廣島的工廠，將于12月率先量產(chǎn)新DRAM芯片;瑞晶電子
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dram介紹

DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應(yīng)用。 動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細(xì) ]
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