首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> dram

全球IC市場V形反彈已啟動 增長勢頭將延續(xù)至2011年

  • 　　市場研究公司IC Insights表示，今年1月到7月NAND flash銷售額和出貨量分別增長98%和67%，其他產(chǎn)品的業(yè)績數(shù)據(jù)也十分健康，這說明產(chǎn)業(yè)已調(diào)頭撞向V形反彈的上升階段。 　　從今年1月到7月，IC市場銷售額增長了43%，DRAM、MPU、模擬電路銷售額分別增長61%、57%和50%。 　　爆炸式的增長率當然也與今年1月半導(dǎo)體市場業(yè)績達到此輪衰退的最低點有關(guān)。 　　“IC產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇并不會是緩慢的，而是V形增長，目前上升周期已經(jīng)開始。”IC Insights分析師
  • 關(guān)鍵字： DRAM  NAND  MPU  模擬電路  

三星電子半導(dǎo)體部門第3季營業(yè)利益重回1兆韓元大關(guān)

  • 　　三星電子(Samsung Electronics)半導(dǎo)體部門可望再創(chuàng)2年9個月來未見的1兆韓元(約8.2億美元)營業(yè)利益。據(jù)韓國證券業(yè)與相關(guān)業(yè)者表示，三星電子2009年第3季合并營業(yè)利益推估可落在3.7兆~3.8兆韓元間，且可能超越上述區(qū)間。 　　三星電子2004年第1季創(chuàng)下最大營業(yè)利益4.01兆韓元，其中半導(dǎo)體部門營業(yè)利益為1.78兆韓元，通訊部門則是1.257兆韓元，占公司整體營業(yè)利益大半。三星半導(dǎo)體事業(yè)更在2004年第2季創(chuàng)下史上最大營業(yè)利益2.15兆韓元，占整體單季營業(yè)利益(3.773兆韓元
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  LCD  

海力士第3季可望轉(zhuǎn)虧為盈

  • 　　韓國半導(dǎo)體廠商海力士(Hynix)2009年第3季創(chuàng)下2,000億韓元(約1.63億美元)的營業(yè)利益，破除2007年第3季以來連續(xù)8季虧損魔咒。海力士在全球DRAM市場繼三星電子(Samsung Electronics)之后第2家轉(zhuǎn)虧為盈的廠商。 　　據(jù)業(yè)界預(yù)測，2009年第2季營業(yè)虧損2,110億韓元的海力士，2009年第3季可望轉(zhuǎn)虧為盈，落在2,000億韓元左右，接近2007年第3季營業(yè)利益2,540億韓元規(guī)模，而在2007年第3季以后，三星已連續(xù)7季營運呈現(xiàn)虧損。 　　分析指出，海力士營運改
  • 關(guān)鍵字： Hynix  DRAM  50納米  

南科：資金陸續(xù)到位 制程轉(zhuǎn)換進度無虞

  • 　　景氣轉(zhuǎn)好，近期科技業(yè)聯(lián)貸案陸續(xù)通過，合約DRAM大廠南科150億元(新臺幣，下同)聯(lián)貸案也可望于9月底通過，加上6月時私募120億元，以及年底可能再辦約100多億元的現(xiàn)增案，南科銀彈滿滿，轉(zhuǎn)進50奈米制程進度已經(jīng)無虞。 　　日前奇美電聯(lián)貸案金額不斷往上追加，原應(yīng)在8月結(jié)案，順延到9月上旬，金額也由最初預(yù)定的300億元規(guī)模，被聯(lián)貸銀行團超額認購到422億元，最后以400億元結(jié)案。顯見隨景氣轉(zhuǎn)好，銀行團原本緊縮的態(tài)度，也逐漸放松。而南科150億元聯(lián)貸案，預(yù)計將在9月底登場。據(jù)銀行端消息透露，最晚第四季就
  • 關(guān)鍵字： 南科  DRAM  68納米  

存儲器產(chǎn)業(yè)可望出現(xiàn)DRAM、NAND Flash雙好行情

  • 　　DRAM價格趨于穩(wěn)定，1Gb容量提前在9月初站上1.7美元，臺廠面對這樣美好的光景，心中還是有些疑慮，擔心三星電子(Samsung Electronics)會從中作梗，破壞DRAM價格漲勢，然現(xiàn)在蘋果(Apple)強勁追加NAND Flash訂單，且隨著智能型手機價格平民化的趨勢，未來內(nèi)建高容量存儲器普及，都讓各界相當看好2010年NAND Flash市場前景，三星在喜迎蘋果大單之余，也無暇與臺系DRAM廠廝殺，暌違多年的DRAM和NAND Flash雙好行情可望再現(xiàn)。 　　2009 年存儲器產(chǎn)業(yè)觸
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  NAND  存儲器  

施顏祥：處理TMC 著眼技術(shù)生根

  • 　　臺灣新任“經(jīng)濟部長”施顏祥11日強調(diào)，成立TMC的時空環(huán)境在變，當時規(guī)劃時全球DRAM產(chǎn)業(yè)正處嚴峻狀態(tài)，現(xiàn)在已稍微舒緩;他將以技術(shù)生根臺灣理念來處理TMC的后續(xù)問題。 　　施顏祥說，現(xiàn)在很難說TMC政策到底要不要調(diào)整，他會在下周聽取工業(yè)局簡報，了解TMC政策推動進度與細節(jié)，再決定未來怎么做，原則上還是會以技術(shù)生根角度處理TMC的問題。 　　施顏祥臨危受命接下“經(jīng)濟部”重擔，未來不僅要面對TMC政策衍生的爭議，還有即將來臨的兩岸洽簽ECFA(經(jīng)濟合作架
  • 關(guān)鍵字： TMC  DRAM  

全球DRAM業(yè)僅韓廠賺錢

  • 　　盡管近期DRAM價格大幅反彈，但估計2009年第3季仍僅有韓系兩大廠三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)可以賺錢，2010年再輪到美光(Micron)和爾必達(Elpida)轉(zhuǎn)虧為盈，至于臺廠方面，由于 2010年三星制程技術(shù)將晉級到40納米，以目前臺廠腳步，未來恐將會有多家大廠被迫淡出標準型DRAM市場。 　　DRAM價格雖已開始反彈，然復(fù)原最快廠商仍是三星，第2季已開始賺錢，預(yù)計第3季三星和海力士兩大韓廠都可望進入獲利，隨著DRAM產(chǎn)業(yè)逐步復(fù)蘇，美光和爾必達2
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  40納米  晶圓代工  

高盛：未來半年 看好DRAM更勝TFT LCD產(chǎn)業(yè)

  • 　　Window 7將在下個月上市，觸控面板成為主打商機。不過，今天高盛出具的產(chǎn)業(yè)報告卻是指出未來3~6個月看好DRAM更勝于面板(TFT LCD)。高盛認為，今年TFT LCD的價格在9月已經(jīng)到頂，因為10月回補庫存結(jié)束。而在DRAM方面，據(jù)了解，國內(nèi)最早切入DDR3 NB的宏碁，目前搭載DDR3產(chǎn)品的出貨占五成。 　　臺灣NB大廠宏碁，在本周一推出的六款全新Aspire ULV NB，該六款NB也都搭載2G DDR3，顯示DDR3在NB的使用也逐漸擴大。而優(yōu)群目前連接器方面已經(jīng)準備因應(yīng)未來DDR3的
  • 關(guān)鍵字： 高盛  DRAM  觸控面板  

40nm工藝帶來全新競爭力

  • 　　全球能源問題的集中爆發(fā)，讓半導(dǎo)體產(chǎn)品的發(fā)展不再僅僅追求性能的提升，而是要綜合考慮性能、功耗與成本的平衡點。與眾多先進電源管理方案實現(xiàn)降低系統(tǒng)功耗相比，制程工藝的進步才是提升性能和降低功耗最根本的辦法，轉(zhuǎn)向更高制程無疑是提升半導(dǎo)體產(chǎn)品性能功耗比和市場競爭力最直接有效的辦法。 　　市場研究機構(gòu)Gartner Dataquest產(chǎn)業(yè)分析師Kay-Yang Tan表示，過去數(shù)十年來，集成器件制造商(IDM)在工藝技術(shù)及服務(wù)的創(chuàng)新方面扮演領(lǐng)航者的角色，未來也將繼續(xù)在新一代產(chǎn)品的開發(fā)上扮演重要的角色。同時，專業(yè)
  • 關(guān)鍵字： 臺積電  DRAM  40nm  45nm  200909  

三星電子計劃將DRAM生產(chǎn)全數(shù)轉(zhuǎn)為使用12寸晶圓

  • 　　韓國三星電子計畫于今年10月底前停止使用8寸晶圓生產(chǎn)DRAM，將DRAM的生產(chǎn)全數(shù)轉(zhuǎn)為使用12寸晶圓，以藉由使用產(chǎn)能效率較高的大尺寸晶圓來提高DRAM的成本競爭力。 　　報導(dǎo)指出，三星電子計畫于10月底前停止在美國德州奧斯丁(Austin)半導(dǎo)體工廠內(nèi)生產(chǎn)使用8寸晶圓的DRAM，加上三星電子已于今年初停止京畿道華城工廠的8寸晶圓DRAM生產(chǎn)，故待奧斯丁工廠停止生產(chǎn)后，三星電子的DRAM生產(chǎn)將全數(shù)轉(zhuǎn)為使用12寸晶圓。 　　彭博社曾于日前轉(zhuǎn)述韓國網(wǎng)路媒體“E-Daily”報導(dǎo)指
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  晶圓  NAND  

上半年臺灣四大內(nèi)存廠商共虧555億新臺幣

  • 　　9月2日消息，據(jù)臺灣媒體報道，茂德昨公布今年上半年財報，稅后凈損109.78億元，僅次于力晶的稅后凈損180.61億元，四家DRAM廠上半年共虧555億元，平均每天虧損3.04億元。 　　茂德上半年營收僅35.5億元，比去年同期大幅衰退近八成，營業(yè)毛損124.2億元，毛利率負314%，較去年同期負56.4%大幅增加，營業(yè)虧損139.9億元，稅后凈損109.8億元，每股凈損1.51元。 　　茂德第二季營收21.37億元，營業(yè)毛損54.6億元，毛利率為負255%，營業(yè)虧損61.61億元，稅后凈損23.
  • 關(guān)鍵字： 茂德  DRAM  

德州儀器有意1.725億美元收購奇夢達

  • 　　據(jù)國外消息報道，法庭文件顯示，德州儀器計劃斥資1.725億美元收購奇夢達旗下申請破產(chǎn)的美國子公司。 　　眾所周知，德州儀器是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商,設(shè)計并生產(chǎn)模擬器件,數(shù)字信號處理(DSP)以及微控制器(MCU)半導(dǎo)體芯片,是模擬器件解決方案和數(shù)字嵌入及應(yīng)用處理半導(dǎo)體解決方案的專家，而奇夢達是全球第四大DRAM芯片制造商，其產(chǎn)品主要應(yīng)用于PC;受產(chǎn)品價格劇跌和全球融資緊縮拖累，奇夢達于今年1月份申請破產(chǎn)。今年2月份，QimondaRichmond與奇夢達旗下另一子公司一同申請了破產(chǎn)保護。Qimond
  • 關(guān)鍵字： 德州儀器  DSP  MCU  DRAM  

TMC成立 DRAM四大陣營競爭態(tài)勢即將成型

  • 　　近期爾必達(Elpida)陸續(xù)發(fā)布與臺灣創(chuàng)新記憶體公司(TMC)相關(guān)的訊息，似乎也意味TMC正式營運的日子已越來越近。市調(diào)機構(gòu)拓墣產(chǎn)業(yè)研究所(TRI)表示，TMC成立后，全球DRAM產(chǎn)業(yè)將進入TMC/爾必達、臺塑集團/美光(Micron)、三星(Samsung)、海力士(Hynix)等四大聯(lián)盟相互競爭的態(tài)勢。 　　爾必達社長(土反)本幸雄日前于股東會中指出，TMC對爾必達的出資比重預(yù)估將為9.5%;爾必達預(yù)計于2009年度 (2009年4月～2010年3月)內(nèi)以第三者配額增資的方式自TMC取得200
  • 關(guān)鍵字： 爾必達  DRAM  

旺宏計劃斥資333億元興建兩座12寸芯片廠

  • 　　據(jù)臺灣媒體報道，臺灣旺宏計劃投資1600億新臺幣(約和332.5億人民幣)興建兩座12寸芯片廠，此舉將導(dǎo)致茂德、力晶等內(nèi)存芯片公司向旺宏賣廠求現(xiàn)的美夢破碎，恐促使DRAM(動態(tài)隨機存儲器)廠雪上加霜。 　　旺宏是上半年臺灣唯一獲利的內(nèi)存芯片廠，積極擴廠后，更將坐穩(wěn)獲利龍頭寶座。 　　旺宏投資1600億新臺幣興建兩座12寸芯片廠的計劃，已向臺灣當局遞交文件，申請進駐中科后里園區(qū)。第一期建廠預(yù)計年底前動工，2011年初投產(chǎn)，兩座新廠規(guī)劃產(chǎn)能約8萬片，并導(dǎo)入60納米以下最新技術(shù)。 　　為配合旺宏建廠計
  • 關(guān)鍵字： 旺宏  DRAM  60納米  芯片  

臺灣旺宏計劃斥資333億元興建兩座12寸芯片廠

  • 　　據(jù)臺灣媒體報道，臺灣旺宏計劃投資1600億新臺幣(約和332.5億人民幣)興建兩座12寸芯片廠，此舉將導(dǎo)致茂德、力晶等內(nèi)存芯片公司向旺宏賣廠求現(xiàn)的美夢破碎，恐促使DRAM(動態(tài)隨機存儲器)廠雪上加霜。 　　旺宏是上半年臺灣唯一獲利的內(nèi)存芯片廠，積極擴廠后，更將坐穩(wěn)獲利龍頭寶座。 　　旺宏投資1600億新臺幣興建兩座12寸芯片廠的計劃，已向臺灣當局遞交文件，申請進駐中科后里園區(qū)。第一期建廠預(yù)計年底前動工，2011年初投產(chǎn)，兩座新廠規(guī)劃產(chǎn)能約8萬片，并導(dǎo)入60納米以下最新技術(shù)。 　　為配合旺宏建廠計
  • 關(guān)鍵字： 力晶  DRAM  內(nèi)存芯片  
共1825條 99/122 |‹ « 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 » ›|

dram介紹

DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應(yīng)用。 動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細 ]

熱門主題

關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473