dram 文章 進(jìn)入dram技術(shù)社區(qū)
摩根士丹利:計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)芯片市場已復(fù)蘇
- 據(jù)國外媒體報(bào)道,投資銀行摩根士丹利在周一表示,在經(jīng)歷了三年的衰退之后,計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)芯片市場已開始復(fù)蘇,預(yù)計(jì)此次復(fù)蘇將會(huì)持續(xù)兩年的時(shí)間。 摩根士丹利分析師韓亙(Keon Han)在周一的報(bào)告中指出,DRAM芯片銷售在2010年將會(huì)達(dá)到224億美元,較今年的184億美元增長21%。在摩根士丹利分析師上調(diào)了三星電子、海力士和三家臺(tái)灣芯片制造商的股價(jià)預(yù)期之后,韓國和臺(tái)灣芯片股周一普遍出現(xiàn)上漲。 瑞薩科技在周一表示,該公司計(jì)劃在下月上調(diào)芯片售價(jià)。瑞薩科技此舉表示,芯片制造商正在走出去年供給過剩以及虧損
- 關(guān)鍵字: 海力士 DRAM 存儲(chǔ)芯片
茂德科技將與臺(tái)灣記憶體合作研發(fā)生產(chǎn)芯片
- 華爾街日?qǐng)?bào)報(bào)道,臺(tái)灣茂德科技(ProMOS Technologies Inc.)發(fā)言人曾邦助(Ben Tseng)周五稱,公司將與臺(tái)灣記憶體公司(Taiwan Memory Company)在芯片研發(fā)和生產(chǎn)方面進(jìn)行合作。 曾邦助告訴道瓊斯通訊社(Dow Jones Newswires)稱,茂德科技計(jì)劃于10月份取消無薪假期,部分原因是與臺(tái)灣記憶體的合作需要公司逐步恢復(fù)產(chǎn)能。此前受芯片供應(yīng)過剩影響,茂德科技已連續(xù)9個(gè)季度虧損。 受芯片行業(yè)持續(xù)低迷影響,自去年11月份以來,茂德科技的雇員每月都
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南亞科技9月下半月將把芯片價(jià)格上調(diào)10%
- 9月18日消息 據(jù)華爾街日?qǐng)?bào)導(dǎo)報(bào),南亞科技發(fā)言人白培霖周五稱,因個(gè)人電腦銷售旺盛,繼續(xù)帶動(dòng)DRAM芯片需求,公司將把9月下半月的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)(DRAM)芯片價(jià)格較上半月上調(diào)10%。 白培霖表示,公司幾乎已經(jīng)達(dá)成了下半月的所有交易,由此可見需求之旺盛。南亞科技每月與個(gè)人電腦制造商進(jìn)行兩次DRAM芯片價(jià)格談判。 白培霖還稱,南亞科技9月上半月將DRAM芯片價(jià)格較8月末上調(diào)了15%,公司目前的芯片平均售價(jià)約為2美元,高于其現(xiàn)金成本。 但白培霖稱,南亞科技仍然不太可能在本季度扭虧為盈。該公司
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DRAM廠和模塊廠誤判情勢 DDR2供貨吃緊
- 2009年面臨DDR2和DDR3規(guī)格交替之際,各廠紛紛壓寶氣勢如虹的DDR3氣勢,DDR2飽受冷板凳之苦許久,然現(xiàn)在風(fēng)水輪流轉(zhuǎn),DDR2受到供給減少、PC大廠又回頭青睞之故,市場意外出現(xiàn)缺貨聲浪,DRAM廠和模塊廠雙雙感嘆誤判形勢,導(dǎo)致現(xiàn)在DDR2庫存過低,南亞科副總白培霖即指出,DDR2在10月之后,缺貨問題將更明顯浮上臺(tái)面,且由合約價(jià)蔓延至現(xiàn)貨價(jià),屆時(shí)1Gb DDR2現(xiàn)貨價(jià)格將看到2美元。 近期市場傳言,三星電子(Samsung Electronics)有意將1Gb DDR2價(jià)格壓在1.7美
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全球IC市場V形反彈已啟動(dòng) 增長勢頭將延續(xù)至2011年
- 市場研究公司IC Insights表示,今年1月到7月NAND flash銷售額和出貨量分別增長98%和67%,其他產(chǎn)品的業(yè)績數(shù)據(jù)也十分健康,這說明產(chǎn)業(yè)已調(diào)頭撞向V形反彈的上升階段。 從今年1月到7月,IC市場銷售額增長了43%,DRAM、MPU、模擬電路銷售額分別增長61%、57%和50%。 爆炸式的增長率當(dāng)然也與今年1月半導(dǎo)體市場業(yè)績達(dá)到此輪衰退的最低點(diǎn)有關(guān)。 “IC產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇并不會(huì)是緩慢的,而是V形增長,目前上升周期已經(jīng)開始。”IC Insights分析師
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三星電子半導(dǎo)體部門第3季營業(yè)利益重回1兆韓元大關(guān)
- 三星電子(Samsung Electronics)半導(dǎo)體部門可望再創(chuàng)2年9個(gè)月來未見的1兆韓元(約8.2億美元)營業(yè)利益。據(jù)韓國證券業(yè)與相關(guān)業(yè)者表示,三星電子2009年第3季合并營業(yè)利益推估可落在3.7兆~3.8兆韓元間,且可能超越上述區(qū)間。 三星電子2004年第1季創(chuàng)下最大營業(yè)利益4.01兆韓元,其中半導(dǎo)體部門營業(yè)利益為1.78兆韓元,通訊部門則是1.257兆韓元,占公司整體營業(yè)利益大半。三星半導(dǎo)體事業(yè)更在2004年第2季創(chuàng)下史上最大營業(yè)利益2.15兆韓元,占整體單季營業(yè)利益(3.773兆韓元
- 關(guān)鍵字: 三星 DRAM LCD
海力士第3季可望轉(zhuǎn)虧為盈
- 韓國半導(dǎo)體廠商海力士(Hynix)2009年第3季創(chuàng)下2,000億韓元(約1.63億美元)的營業(yè)利益,破除2007年第3季以來連續(xù)8季虧損魔咒。海力士在全球DRAM市場繼三星電子(Samsung Electronics)之后第2家轉(zhuǎn)虧為盈的廠商。 據(jù)業(yè)界預(yù)測,2009年第2季營業(yè)虧損2,110億韓元的海力士,2009年第3季可望轉(zhuǎn)虧為盈,落在2,000億韓元左右,接近2007年第3季營業(yè)利益2,540億韓元規(guī)模,而在2007年第3季以后,三星已連續(xù)7季營運(yùn)呈現(xiàn)虧損。 分析指出,海力士營運(yùn)改
- 關(guān)鍵字: Hynix DRAM 50納米
南科:資金陸續(xù)到位 制程轉(zhuǎn)換進(jìn)度無虞
- 景氣轉(zhuǎn)好,近期科技業(yè)聯(lián)貸案陸續(xù)通過,合約DRAM大廠南科150億元(新臺(tái)幣,下同)聯(lián)貸案也可望于9月底通過,加上6月時(shí)私募120億元,以及年底可能再辦約100多億元的現(xiàn)增案,南科銀彈滿滿,轉(zhuǎn)進(jìn)50奈米制程進(jìn)度已經(jīng)無虞。 日前奇美電聯(lián)貸案金額不斷往上追加,原應(yīng)在8月結(jié)案,順延到9月上旬,金額也由最初預(yù)定的300億元規(guī)模,被聯(lián)貸銀行團(tuán)超額認(rèn)購到422億元,最后以400億元結(jié)案。顯見隨景氣轉(zhuǎn)好,銀行團(tuán)原本緊縮的態(tài)度,也逐漸放松。而南科150億元聯(lián)貸案,預(yù)計(jì)將在9月底登場。據(jù)銀行端消息透露,最晚第四季就
- 關(guān)鍵字: 南科 DRAM 68納米
存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)可望出現(xiàn)DRAM、NAND Flash雙好行情
- DRAM價(jià)格趨于穩(wěn)定,1Gb容量提前在9月初站上1.7美元,臺(tái)廠面對(duì)這樣美好的光景,心中還是有些疑慮,擔(dān)心三星電子(Samsung Electronics)會(huì)從中作梗,破壞DRAM價(jià)格漲勢,然現(xiàn)在蘋果(Apple)強(qiáng)勁追加NAND Flash訂單,且隨著智能型手機(jī)價(jià)格平民化的趨勢,未來內(nèi)建高容量存儲(chǔ)器普及,都讓各界相當(dāng)看好2010年NAND Flash市場前景,三星在喜迎蘋果大單之余,也無暇與臺(tái)系DRAM廠廝殺,暌違多年的DRAM和NAND Flash雙好行情可望再現(xiàn)。 2009 年存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)觸
- 關(guān)鍵字: 三星 DRAM NAND 存儲(chǔ)器
施顏祥:處理TMC 著眼技術(shù)生根
- 臺(tái)灣新任“經(jīng)濟(jì)部長”施顏祥11日強(qiáng)調(diào),成立TMC的時(shí)空環(huán)境在變,當(dāng)時(shí)規(guī)劃時(shí)全球DRAM產(chǎn)業(yè)正處嚴(yán)峻狀態(tài),現(xiàn)在已稍微舒緩;他將以技術(shù)生根臺(tái)灣理念來處理TMC的后續(xù)問題。 施顏祥說,現(xiàn)在很難說TMC政策到底要不要調(diào)整,他會(huì)在下周聽取工業(yè)局簡報(bào),了解TMC政策推動(dòng)進(jìn)度與細(xì)節(jié),再?zèng)Q定未來怎么做,原則上還是會(huì)以技術(shù)生根角度處理TMC的問題。 施顏祥臨危受命接下“經(jīng)濟(jì)部”重?fù)?dān),未來不僅要面對(duì)TMC政策衍生的爭議,還有即將來臨的兩岸洽簽ECFA(經(jīng)濟(jì)合作架
- 關(guān)鍵字: TMC DRAM
全球DRAM業(yè)僅韓廠賺錢
- 盡管近期DRAM價(jià)格大幅反彈,但估計(jì)2009年第3季仍僅有韓系兩大廠三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)可以賺錢,2010年再輪到美光(Micron)和爾必達(dá)(Elpida)轉(zhuǎn)虧為盈,至于臺(tái)廠方面,由于 2010年三星制程技術(shù)將晉級(jí)到40納米,以目前臺(tái)廠腳步,未來恐將會(huì)有多家大廠被迫淡出標(biāo)準(zhǔn)型DRAM市場。 DRAM價(jià)格雖已開始反彈,然復(fù)原最快廠商仍是三星,第2季已開始賺錢,預(yù)計(jì)第3季三星和海力士兩大韓廠都可望進(jìn)入獲利,隨著DRAM產(chǎn)業(yè)逐步復(fù)蘇,美光和爾必達(dá)2
- 關(guān)鍵字: 三星 DRAM 40納米 晶圓代工
高盛:未來半年 看好DRAM更勝TFT LCD產(chǎn)業(yè)
- Window 7將在下個(gè)月上市,觸控面板成為主打商機(jī)。不過,今天高盛出具的產(chǎn)業(yè)報(bào)告卻是指出未來3~6個(gè)月看好DRAM更勝于面板(TFT LCD)。高盛認(rèn)為,今年TFT LCD的價(jià)格在9月已經(jīng)到頂,因?yàn)?0月回補(bǔ)庫存結(jié)束。而在DRAM方面,據(jù)了解,國內(nèi)最早切入DDR3 NB的宏碁,目前搭載DDR3產(chǎn)品的出貨占五成。 臺(tái)灣NB大廠宏碁,在本周一推出的六款全新Aspire ULV NB,該六款NB也都搭載2G DDR3,顯示DDR3在NB的使用也逐漸擴(kuò)大。而優(yōu)群目前連接器方面已經(jīng)準(zhǔn)備因應(yīng)未來DDR3的
- 關(guān)鍵字: 高盛 DRAM 觸控面板
40nm工藝帶來全新競爭力
- 全球能源問題的集中爆發(fā),讓半導(dǎo)體產(chǎn)品的發(fā)展不再僅僅追求性能的提升,而是要綜合考慮性能、功耗與成本的平衡點(diǎn)。與眾多先進(jìn)電源管理方案實(shí)現(xiàn)降低系統(tǒng)功耗相比,制程工藝的進(jìn)步才是提升性能和降低功耗最根本的辦法,轉(zhuǎn)向更高制程無疑是提升半導(dǎo)體產(chǎn)品性能功耗比和市場競爭力最直接有效的辦法。 市場研究機(jī)構(gòu)Gartner Dataquest產(chǎn)業(yè)分析師Kay-Yang Tan表示,過去數(shù)十年來,集成器件制造商(IDM)在工藝技術(shù)及服務(wù)的創(chuàng)新方面扮演領(lǐng)航者的角色,未來也將繼續(xù)在新一代產(chǎn)品的開發(fā)上扮演重要的角色。同時(shí),專業(yè)
- 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電 DRAM 40nm 45nm 200909
三星電子計(jì)劃將DRAM生產(chǎn)全數(shù)轉(zhuǎn)為使用12寸晶圓
- 韓國三星電子計(jì)畫于今年10月底前停止使用8寸晶圓生產(chǎn)DRAM,將DRAM的生產(chǎn)全數(shù)轉(zhuǎn)為使用12寸晶圓,以藉由使用產(chǎn)能效率較高的大尺寸晶圓來提高DRAM的成本競爭力。 報(bào)導(dǎo)指出,三星電子計(jì)畫于10月底前停止在美國德州奧斯丁(Austin)半導(dǎo)體工廠內(nèi)生產(chǎn)使用8寸晶圓的DRAM,加上三星電子已于今年初停止京畿道華城工廠的8寸晶圓DRAM生產(chǎn),故待奧斯丁工廠停止生產(chǎn)后,三星電子的DRAM生產(chǎn)將全數(shù)轉(zhuǎn)為使用12寸晶圓。 彭博社曾于日前轉(zhuǎn)述韓國網(wǎng)路媒體“E-Daily”報(bào)導(dǎo)指
- 關(guān)鍵字: 三星 DRAM 晶圓 NAND
上半年臺(tái)灣四大內(nèi)存廠商共虧555億新臺(tái)幣
- 9月2日消息,據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,茂德昨公布今年上半年財(cái)報(bào),稅后凈損109.78億元,僅次于力晶的稅后凈損180.61億元,四家DRAM廠上半年共虧555億元,平均每天虧損3.04億元。 茂德上半年?duì)I收僅35.5億元,比去年同期大幅衰退近八成,營業(yè)毛損124.2億元,毛利率負(fù)314%,較去年同期負(fù)56.4%大幅增加,營業(yè)虧損139.9億元,稅后凈損109.8億元,每股凈損1.51元。 茂德第二季營收21.37億元,營業(yè)毛損54.6億元,毛利率為負(fù)255%,營業(yè)虧損61.61億元,稅后凈損23.
- 關(guān)鍵字: 茂德 DRAM
dram介紹
DRAM(Dynamic Random-Access Memory),即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲(chǔ),所以 必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次,如果存儲(chǔ)單元沒有被刷新,存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。 它的存取速度不快,在386、486時(shí)期被普遍應(yīng)用。
動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲(chǔ)元按照行和列來組 [ 查看詳細(xì) ]
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