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EEPW首頁 >> 主題列表 >> e-mode gan fet

臺積電發(fā)力“硅基氮化鎵”元件受托業(yè)務(wù)

  • 　　臺灣臺積電(TSMC)在“ISPSD 2016”上公開了受托生產(chǎn)服務(wù)的藍(lán)圖及試制元件的特性等。該公司將采用在直徑150mm(6英寸)的硅基板上形成GaN層的“硅基氮化鎵”(GaN on Si)技術(shù)生產(chǎn)GaN晶體管。 　　臺積電打算開展受托生產(chǎn)的GaN晶體管有三種類型：(1)常開型(Normal On)MISFET、(2)常開型HEMT、(3)常關(guān)型(Normal Off)。按耐壓高低來分有40V、100V和650V產(chǎn)品。 　　其中，耐壓650V的常關(guān)
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Qorvo 新款GaN 50V 晶體管可大幅提升系統(tǒng)功率性能

  • 　　移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防等應(yīng)用中領(lǐng)先的RF解決方案供應(yīng)商Qorvo, Inc.今日宣布，推出六款全新50V氮化鎵(GaN)晶體管---QPD1009和QPD1010，以及QPD1008(L)和QPD1015(L)，專門設(shè)計用于優(yōu)化商業(yè)用雷達(dá)、通信系統(tǒng)及航空電子應(yīng)用的功率性能。 　　Qorvo 國防與航空航天產(chǎn)品總經(jīng)理Roger Hall表示：“全新50V GaN晶體管系列通過提供更高功率增益和功率附加效率來提升系統(tǒng)性能。Qorvo可以更好地實現(xiàn)相位陣列雷達(dá)等先進設(shè)備的要求，提供
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基于GaN FET的CCM圖騰柱無橋PFC

  • 　　氮化鎵 (GaN) 技術(shù)由于其出色的開關(guān)特性和不斷提升的品質(zhì)，近期逐漸得到了電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用的青睞。具有低寄生電容和零反向恢復(fù)的安全GaN可實現(xiàn)更高的開關(guān)頻率和效率，從而為全新應(yīng)用和拓?fù)溥x項打開了大門。連續(xù)傳導(dǎo)模式 (CCM)圖騰柱PFC就是一個得益于GaN優(yōu)點的拓?fù)?。與通常使用的雙升壓無橋PFC拓?fù)湎啾龋珻CM圖騰柱無橋PFC能夠使半導(dǎo)體開關(guān)和升壓電感器的數(shù)量減半，同時又能將峰值效率推升到95%以上。本文分析了AC交叉區(qū)域內(nèi)出現(xiàn)電流尖峰的根本原因，并給出了相應(yīng)的解決方案。一個750W圖騰柱PFC原型機被
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TI的600V GaN FET功率級革命性地提升高性能電力轉(zhuǎn)換效能

  • 　　基于數(shù)十年的電源管理創(chuàng)新經(jīng)驗，德州儀器(TI)近日宣布推出一款600V氮化鎵(GaN)70 mù場效應(yīng)晶體管(FET)功率級工程樣片，從而使TI成為首家，也是唯一一家能夠向公眾提供集成有高壓驅(qū)動器的GaN解決方案的半導(dǎo)體廠商。與基于硅材料FET的解決方案相比，這款全新的12A LMG3410功率級與TI的模擬與數(shù)字電力轉(zhuǎn)換控制器組合在一起，能使設(shè)計人員創(chuàng)造出尺寸更小、效率更高并且性能更佳的設(shè)計。而這些優(yōu)勢在隔離式高壓工業(yè)、電信、企業(yè)計算和可再生能源應(yīng)用中都特別重要。如需了解更多信息
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安森美半導(dǎo)體推進更快、更智能和更高能效的GaN晶體管

  • 　　氮化鎵(GaN)是一種新興的半導(dǎo)體工藝技術(shù)，提供超越硅的多種優(yōu)勢，被稱為第三代半導(dǎo)體材料，用于電源系統(tǒng)的設(shè)計如功率因數(shù)校正(PFC)、軟開關(guān)DC-DC、各種終端應(yīng)用如電源適配器、光伏逆變器或太陽能逆變器、服務(wù)器及通信電源等，可實現(xiàn)硅器件難以達(dá)到的更高電源轉(zhuǎn)換效率和更高的功率密度水平，為開關(guān)電源和其它在能效及功率密度至關(guān)重要的應(yīng)用帶來性能飛躍?！　aN的優(yōu)勢　　從表1可見，GaN具備出色的擊穿能力、更高的電子密度及速度，和更高的工作溫度。GaN提供高電子遷移率，這意味著開關(guān)過程的反向恢復(fù)時間可忽略不計
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宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）的可靠性測試報告記錄了超過170億小時測試器件的可靠性的現(xiàn)場數(shù)據(jù)，結(jié)果表明器件的失效率很低

  • 　　EPC公司的第七階段可靠性報告表明eGaN?FET非?？煽?，為工程師提供可信賴及可 替代采用傳統(tǒng)硅基器件的解決方案?！　∫似针娫崔D(zhuǎn)換公司發(fā)布第七階段可靠性測試報告，展示出在累計超過170億器件-小時的測試后的現(xiàn)場數(shù)據(jù)的分布結(jié)果，以及提供在累計超過700萬器件-小時的應(yīng)力測試后的詳盡數(shù)據(jù)。各種應(yīng)力測試包括間歇工作壽命[(IOL)[、早期壽命失效率[(ELFR)、高濕偏置、溫度循環(huán)及靜電放電等測試。報告提供受測產(chǎn)品的復(fù)合0.24 FIT失效率的現(xiàn)場數(shù)據(jù)。這個數(shù)值與我們直至目前為止所取得
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英國專家用半極性GaN生長高效益LED

  • 　　英國雪菲爾大學(xué)(SheffieldUniversity)的一支研究團隊最近在《應(yīng)用物理學(xué)快報》(AppliedPhysicsLetter)期刊上發(fā)布在半極性氮化鎵(GaN)或藍(lán)寶石基材上生長LED的最新成果。 　　利用在M-Plane藍(lán)寶石基板上生長的GaN制造的微柱陣列模板，研究人員能在其上過度生長的半極性GaN(11-22)上生長出具有更高量子效益的LED。 　　相較于在C-Plane藍(lán)寶石基板上生長的商用LED，該研究團隊在半極性材料上所生長的綠光LED顯示發(fā)光波長的藍(lán)位移隨著驅(qū)動電流增加而
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英國專家用半極性GaN生長高效益LED

  • 　　英國雪菲爾大學(xué)(Sheffield University)的一支研究團隊最近在《應(yīng)用物理學(xué)快報》(Applied Physics Letter)期刊上發(fā)布在半極性氮化鎵(GaN)或藍(lán)寶石基材上生長LED的最新成果?！　±迷贛-Plane藍(lán)寶石基板上生長的GaN制造的微柱陣列模板，研究人員能在其上過度生長的半極性GaN(11-22)上生長出具有更高量子效益的LED?！　∠噍^于在C-Plane藍(lán)寶石基板上生長的商用LED，該研究團隊在半極性材料上所生長的綠光LED顯示發(fā)光波
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波音和通用實驗室研發(fā)出GaN CMOS場效應(yīng)晶體管

  • 　　由美國波音公司和通用汽車公司擁有的研發(fā)實驗室-HRL實驗室已經(jīng)宣布其實現(xiàn)互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)FET技術(shù)的首次展示。該研究結(jié)果發(fā)表于2016年1月6日的inieee電子器件快報上。 　　在此過程中，該實驗室已經(jīng)確定半導(dǎo)體的卓越晶體管性能可以在集成電路中加以利用。這一突破為氮化鎵成為目前以硅為原材料的電源轉(zhuǎn)換電路的備選技術(shù)鋪平了道路。 　　氮化鎵晶體管在電源開關(guān)和微波/毫米波應(yīng)用中有出色的表現(xiàn)，但該潛力還未用于集成功率轉(zhuǎn)換。“除非快速切換GaN功率晶體管在電源電路中故意放緩，否
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TI推出業(yè)界首款100V高壓側(cè)FET驅(qū)動器可驅(qū)動高電壓電池

  • 　　近日，德州儀器(TI)推出了首款面向高功率鋰離子電池應(yīng)用的單芯片100V高壓側(cè) FET 驅(qū)動器。該驅(qū)動器可提供先進的電源保護和控制。bq76200高電壓解決方案能有效地驅(qū)動能量存儲系統(tǒng)，以及電機驅(qū)動型應(yīng)用中常用電池里的高壓側(cè)N溝道充放電FET，包括無人機、電動工具、電動自行車等等。如需了解更多詳情，敬請訪問：http://www.ti.com.cn/product/cn/BQ76200?keyMatch=bq76200&tisearch=Search-CN-Everything。 　　電感性
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新型GaN功率器件的市場應(yīng)用趨勢

  • 　　第五屆EEVIA年度中國ICT媒體論壇暨2016產(chǎn)業(yè)和技術(shù)展望研討會　　時間：2016.01.14 下午　　地點：深圳南山軟件創(chuàng)業(yè)基地 IC咖啡　　演講主題: 新型GaN功率器件的市場應(yīng)用趨勢　　演講嘉賓: 蔡振宇 富士通電子元器件市場部高級經(jīng)理　　主持人：接下來開始第三場演講。大家知道無論消費電子產(chǎn)品還是通訊硬件、電動車以及家用電器，提升電源的轉(zhuǎn)換能效、功率密度、延長電池使用的時間，這已經(jīng)是比較大的挑戰(zhàn)了。所有這一切都意味著電子產(chǎn)業(yè)會越來越依賴新型功
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物聯(lián)網(wǎng)將如何影響半導(dǎo)體芯片廠商？

  • 未來虛擬現(xiàn)實和智能汽車成為焦點，VR將會引發(fā)的變革成了全產(chǎn)業(yè)鏈熱議的話題，VR也必會給物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)帶來變革，而對于IoT可能帶來的更多變化，半導(dǎo)體廠商該如何應(yīng)對?
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第三代半導(dǎo)體崛起 中國照明能否彎道超車？

  • 　　近年，以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)等寬禁帶化合物為代表的第三代半導(dǎo)體材料在引發(fā)全球矚目，成為全球半導(dǎo)體研究前沿和熱點，中國也不例外地快馬加鞭進行部署。有專家指出，第三代半導(dǎo)體材料是以低碳和智能為特征的現(xiàn)代人類信息化社會發(fā)展的基石，是推動節(jié)能減排、轉(zhuǎn)變經(jīng)濟發(fā)展方式，提升新一代信息技術(shù)核心競爭力的決定性因素之一，有著不可替代的支撐作用。那么，這一迅速崛起的第三代半導(dǎo)體材料，能否讓中國掌控新一輪半導(dǎo)體照明發(fā)展的話語權(quán)? 　　   　　第三代半導(dǎo)體材料雙雄：SiC和GaN 　　半
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Bulk Si技術(shù)近極限，功率半導(dǎo)體大廠加速投入GaN、SiC開發(fā)

  • 　　DIGITIMES Research觀察，傳統(tǒng)以塊體矽(Bulk Si)材料為基礎(chǔ)的功率半導(dǎo)體逐漸難提升其技術(shù)表現(xiàn)，業(yè)界逐漸改以新材料尋求突破，其中氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)材料技術(shù)最受矚目，氮化鎵具有更高的切換頻率，碳化矽則能承受更高溫、更大電流與電壓，而原有的矽材仍有成本優(yōu)勢，預(yù)計未來功率半導(dǎo)體市場將三分天下。 　　更高的耐受溫度、電壓，或更高的切換頻率、運作頻率，分別適用在不同的應(yīng)用，對于電動車、油電混合車、電氣化鐵路而言需要更高電壓，對于新一代的行動通訊基地臺，或資料中心機房設(shè)備而言
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硅基GaN射頻功放：正走向大規(guī)模商用

  • 　　硅基GaN潛力大 　　近日，MACOM在京召開新聞發(fā)布會，MACOM全球銷售高級副總裁黃東鉉語出驚人，“由MACOM發(fā)明的第四代GaN——硅基GaN，由于成本大為降低，將取代目前的SiC基GaN;由于硅基GaN的效率大大提升，也將取代GaA和LDMOS的大部分市場。” 　　圖1 GaN的巨大潛力 　　如圖1，左圖綠餅是目前GaN的市場份額;如果把綠餅看成一張餅，就變成右圖，右圖的綠餅是目前GaN的市場，而未來潛在GaN射頻是占絕大部分的藍(lán)海。
  • 關(guān)鍵字： GaAs  GaN  
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