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TI 小貼士:圖例理FET知識

  • 您可以通過周期性地收集大量的ADC輸出轉(zhuǎn)換采樣來生成FFT圖。一般而言,ADC廠商們將一種單音、滿量程模擬...
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手把手教你讀懂FET選取合適器件

  • 現(xiàn)在;一臺臺電源,幾乎都能發(fā)現(xiàn)FET的影子。幾乎每個(gè)電源工程師都用過這東西,或用來逆變;或用來整流;或就當(dāng)個(gè)開關(guān)...
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CISSOID推出高溫度30V小訊號P-FET場效應(yīng)管

  •   CISSOID,在高溫半導(dǎo)體方案的領(lǐng)導(dǎo)者推出了一個(gè)行星家族(高溫度晶體管及開關(guān))的新成員.火星是一個(gè)高溫度30V小訊號P-FET場效應(yīng)管, 適合于-55 ° C至+225° C高溫可靠運(yùn)作. 由于它耐于極端溫度,只有14pF的輸入電容值及于+225° C下最高只有400nA閘極漏電流. 所以這30V晶體管非常適合于高溫度傳感器介面,例如壓電傳感器或保護(hù)放大器.   
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一種GaN寬禁帶功率放大器的設(shè)計(jì)

  • 氮化鎵(GaN)作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表之一,由于其寬帶隙、高擊穿電場強(qiáng)度等特點(diǎn),被認(rèn)為是高頻功率半導(dǎo)體器件的理想材料。為研究GaN功率放大器的特點(diǎn),基于Agilent ADS仿真軟件,利用負(fù)載/源牽引方法設(shè)計(jì)制作了一種S波段GaN寬禁帶功率放大器(10W)。詳細(xì)說明了設(shè)計(jì)步驟并對放大器進(jìn)行了測試,數(shù)據(jù)表明放大器在2.3~2.4 GHz范圍內(nèi)可實(shí)現(xiàn)功率超過15W,附加效率超過67%的輸出。實(shí)驗(yàn)結(jié)果證實(shí),GaN功率放大器具有高增益、高效率的特點(diǎn)。
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如何對反向轉(zhuǎn)換器的FET關(guān)斷電壓進(jìn)行緩沖

  •   圖 1 顯示了反向轉(zhuǎn)換器功率級和一次側(cè) MOSFET 電壓波形。該轉(zhuǎn)換器將能量存儲于一個(gè)變壓器主繞組電感中并在 MOSFET 關(guān)閉時(shí)將其釋放到次級繞組。由于變壓器的漏極電感會使漏電壓升至反射輸出電壓 (Vreset) 以上,因
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Diagnose LEDs by monitoring the switch-mode du

  • A change in the forward voltage (VF) for a string of series-connected, high-brightness LEDs (HB LEDs) can indicate deterioration or complete failure of one or more of the LEDs. Accordingly, this circu
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基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術(shù)

  • 目前國際上商品化的GaN基LED均是在藍(lán)寶石襯底或SiC襯底上制造的。但藍(lán)寶石由于硬度高、導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性差等原因,對后期器件加工和應(yīng)用帶來很多不便,SiC同樣存在硬度高且成本昂貴的不足之處,而價(jià)格相對便宜的Si襯底由于有著優(yōu)良的導(dǎo)熱導(dǎo)電性能和成熟的器件加工工藝等優(yōu)勢,因此Si襯底GaN基LED制造技術(shù)受到業(yè)界的普遍關(guān)注。
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MOS-FET開關(guān)電路

  • MOS-FET雖然與JFET結(jié)構(gòu)不同,但特性極為相似,N溝道和P溝道各分增強(qiáng)型和耗盡型,可在許多電路中代替J-FET,如圖5.4-97所示,電路用MOS-FET代替J-FET更簡單,如釁5.4-100所示短路開關(guān)對應(yīng)圖5.4-96中的A、C、D三個(gè)電路
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J-FET開關(guān)電路工作原理

  • 1、簡單開關(guān)控制電路圖5.4-97為簡單J-FET開關(guān)電路。當(dāng)控制電壓VC高于輸入電壓V1時(shí),VGS=0,J-FET導(dǎo)通,傳輸信號至VO;當(dāng)VC比V1足夠負(fù),VD導(dǎo)通而J-FET截止,VO=0。2、改進(jìn)的J-FET開關(guān)電路圖5.4-98電路是圖5.4-97電路的
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與萬用表結(jié)合使用的FET VP、VOO檢驗(yàn)器

  • 電路的功能場效晶體管漏極飽和電流IDSS和夾斷電壓VP等有很大差別,所以確定置偏很麻煩。雖然在生產(chǎn)廠已分了幾種等級,但一個(gè)等級內(nèi)仍有差別,如果在組裝電路之前測量實(shí)際工作電流狀態(tài)下的VP和VOS則比較方便。測量時(shí),
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使用FET輸入型OP放大器的長時(shí)間模擬定時(shí)電路

  • 電路的功能定時(shí)器專用IC有NE555和C-MOS單穩(wěn)態(tài)多批振蕩器4538B等。然后用FET輸入型OP放大器也可用途長時(shí)間定時(shí)電路。本電路采用其他模擬電路中使用的雙OP放大器余下的一個(gè)來組成定時(shí)器,這樣可以減少IC的數(shù)量,事先了
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可用于VCA或幅度調(diào)制的FET乘法運(yùn)算電路

  • 電路的功能本電路是一種使用雙FET的2象限乘法電路最大輸入電壓為10V,2象限乘法運(yùn)算與幅度調(diào)制(AM)等效,可作為低頻調(diào)制電路使用。電路工作原理本電路利用了FET的溝道電阻變化,以TT15、TT16特性相同為前提條件,O
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使用結(jié)型FET的簡易電壓控制放大器

  • 電路的功能在VCA(電壓控制放大器)。由反饋環(huán)路組成電路時(shí),通過控制反正電壓來改變放大器增益。所以傳統(tǒng)的作法是利用二極管的單向特性或采用CDS光耦合器。而在本電路中,是利用柵極源極之間的電壓使溝道電阻發(fā)生變
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GaN功率半導(dǎo)體市場將迅速增長,2013年市場規(guī)模達(dá)1.8億

  •   美國iSuppli公布了關(guān)于GaN(氮化鎵)功率半導(dǎo)體市場將迅速增長的調(diào)查報(bào)告)。報(bào)告顯示,2010年的市場規(guī)模近乎為零,但3年后到2013年將猛增至1.836億美元。各廠商將以替代現(xiàn)有功率MOSFET的方式,不斷擴(kuò)大市場規(guī)模。iSuppli預(yù)測,該產(chǎn)品在高性能服務(wù)器、筆記本電腦、手機(jī)及有線通信設(shè)備等方面的應(yīng)用將取得進(jìn)展。   目前,GaN功率半導(dǎo)體正處于在研究室評測階段,或者剛開始商用化的階段。不過,GaN功率半導(dǎo)體與采用Si(硅)的功率MOSFET相比,具有導(dǎo)通電阻較低等優(yōu)點(diǎn),可提高電源電路的轉(zhuǎn)
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Vishay推出4款MOSFET

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263),將其Super Junction FET®技術(shù)延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封裝。   新的SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK
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