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EEPW首頁 >> 主題列表 >> e-mode gan fet

友達光電宣布收購FET公司的FED資產(chǎn)及技術

  • 　　友達光電1月20日宣布， 與由索尼(SONY)持股39.8%的Field Emission Technologies Inc. 公司(以下簡稱FET)及FET Japan Inc.(以下簡稱FETJ)簽署資產(chǎn)收購技術移轉(zhuǎn)協(xié)議，收購FET的場發(fā)射顯示器(field emission displays;FED)技術，該公司為全球FED技術的領導者。友達在此交易中，將取得FET顯示技術及材料的專利、技術、發(fā)明，以及相關設備等資產(chǎn)。 　　FED技術在快速反應時間、高效率、亮度和對比度方面不但能與傳統(tǒng)CRT相
  • 關鍵字： 友達  FED  FET  

瞄準高端市場 友達將收購FET的部分資產(chǎn)

  • 　　臺灣友達科技近日宣布，他們已經(jīng)與FET公司以及FET日本公司達成了協(xié)議，友達將出資收購FET公司的部分資產(chǎn)，并將因此而獲得FET公司的部分專利技術。FET公司目前在FED場射顯示技術(Field Emission Display)領域占據(jù)領先地位，索尼公司目前擁有FET公司39.8%的股份。友達并表示，其收購的內(nèi)容將包括FED場射面板相 關技術專利，F(xiàn)ED技術實施方案，以及FED面板生產(chǎn)用設備等。 　　FED場射面板兼具CRT顯示器和LCD顯示器的優(yōu)勢，其工作原理與CRT顯示器完全相同，同樣采用
  • 關鍵字： 友達  FED  FET  

砷化鎵外延襯底市場規(guī)模將超過4億美元

  • 　　Strategy Analytics 發(fā)布最新年度預測報告“半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場預測2008-2013”。報告總結(jié)，2008年半絕緣砷化鎵(SI GaAs)外延襯底市場年增長率達到22%，但 Strategy Analytics 預計2009年該市場將持平或轉(zhuǎn)負增長。借助下一代蜂窩手機平臺上嵌入多砷化鎵(GaAs)器件，以及來自其它市場對砷化鎵 (GaAs) 器件的需求，半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場在2010年將恢復增長。 　　一直
  • 關鍵字： GaAs  外延襯底  FET  HBT  

T推出具有 FET 的全集成 10 A 同步降壓轉(zhuǎn)換器

  • 　　日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款具有 FET 的全集成 10 A 同步降壓轉(zhuǎn)換器，該器件將寬泛的輸入、輕負載效率以及更小的解決方案尺寸進行完美結(jié)合，可實現(xiàn)更高的電源密度。TPS51315 是一款具有 D-CAP 模式控制機制的 1 MHz DC/DC 轉(zhuǎn)換器，與同類競爭產(chǎn)品相比，該器件在將外部輸出電容需求數(shù)量降至 32% 的同時，還可實現(xiàn)快速瞬態(tài)響應。該轉(zhuǎn)換器充分利用自動跳過模式與 Eco-mode 輕負載控制機制，幫助設計人員滿足能量之星/90Plus 標準的要求，從而可實現(xiàn)整個負載范圍內(nèi)的高
  • 關鍵字： TI  FET  轉(zhuǎn)換器  TPS51315  

SiC襯底X波段GaN MMIC的研究

  • 使用國產(chǎn)6H―SiC襯底的GaN HEMT外延材料研制出高工作電壓、高輸出功率的A1GaN／GaN HEMT。利用ICCAP軟件建立器件大信號模型，利用ADS軟件仿真優(yōu)化了雙級GaNMMIC，研制出具有通孔結(jié)構的GaN MMIC芯片，連續(xù)波測試顯示，頻率為9．1～10．1 GHz時連續(xù)波輸出功率大于10W，帶內(nèi)增益大于12 dB，增益平坦度為±0．2 dB。該功率單片為第一個采用國產(chǎn)SiC襯底的GaN MMIC。
  • 關鍵字： MMIC  SiC  GaN  襯底    

嵌入式Linux 的safe mode 設計與實現(xiàn)

  • 嵌入式Linux 的safe mode 設計與實現(xiàn),目前的各種嵌入式產(chǎn)品已經(jīng)豐富多彩，它們正改變著我們的生活方式。隨著嵌入式產(chǎn)品功能的增加，如何讓用戶對已購買的產(chǎn)品的升級能安全地、順利地完成，避免升級過程中出現(xiàn)的意外掉電所引起的產(chǎn)品故障，這樣的問題要求
  • 關鍵字： 設計  實現(xiàn)  mode  safe  Linux  嵌入式  嵌入式，Linux  safe mode  bootloader  架構  

ADI公司推出快速FET運算放大器

  • 　　2009年1月22日，中國北京——Analog Devices, Inc.（紐約證券交易所代碼: ADI），全球領先的高性能信號處理解決方案供應商，最新推出一款業(yè)界最快的場效應晶體管(FET)運算放大器——ADA4817。這款產(chǎn)品工作頻率高達1GHz，設計用于高性能的便攜式醫(yī)療診斷設備和儀器儀表設備。與競爭器件相比，可提供兩倍的帶寬，同時噪聲降低一半。它已被領先的醫(yī)療、測試和測量設備公司所采用，用于如CT、MRI、示波器衰減探頭和其它醫(yī)療設備。與ADA4
  • 關鍵字： ADI  運算放大器  FET  ADA4817  

德州儀器1.5A 線性電池充電器可最大化AC 適配器與USB 輸入功率

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
  • 關鍵字： FET  TI  IC－bq2407x  

IR推出革命性氮化鎵基功率器件技術平臺

  • 　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布，成功開發(fā)出一種革命性的GaN功率器件技術平臺。與此前最先進的硅基技術平臺相比，該技術平臺可將關鍵特定設備的品質(zhì)因子 (FOM) 提高1/10，顯著提高計算和通信、汽車和電器等終端設備的性能，并降低能耗。 　　開拓性GaN功率器件技術平臺是IR基于該公司的GaN器件專利技術，歷經(jīng)5年研發(fā)而成的成果。 　　IR的GaN功率器件技術平臺有助于實現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換解決方案的革命性進步。通過有效利用公司60年來在電源轉(zhuǎn)換專業(yè)知識方面
  • 關鍵字： IR  功率器件  GaN  終端  

測試具備UMA/GAN功能的移動電話技術問題

  • 要預測客戶對一款手機性能的接受程度，從而預測手機設計的品質(zhì)，需要進行實際使用測試。使用測試是一種很有價值...
  • 關鍵字： GAN  蜂窩  話音質(zhì)量  

TI推出具有啟動過程中禁止吸入功能的DC/DC 轉(zhuǎn)換器

  • 　　TPS54377 是一款輸入電壓為 3V ～6V 的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器，具有可將電壓步降至 0.9V 的集成的 FET。其轉(zhuǎn)換頻率為同步頻率并可調(diào)至 1.6MHz，以減少外部組件數(shù)量且有助于確定頻譜噪聲頻帶。該器件在整個溫度范圍內(nèi)均可提供高達 3A 的輸出電流并可支持 4A 的峰值輸出電流。其具有電源狀態(tài)良好指示、啟動、可調(diào)慢啟動、電流限制、熱關斷以及 1% 的參考精度等特性。TPS54377 可用于寬帶、聯(lián)網(wǎng)和通信基礎設施、分布式電源系統(tǒng)以及 DSP、FPGA 和 ASIC 的 POL 穩(wěn)壓。
  • 關鍵字： TI   轉(zhuǎn)換器  DC/DC  FET  

Cree推出用于5GHzWiMAX的GaN HEMT三極管

  • 　　Cree發(fā)布了兩款突破性的GaN HEMT三極管，用于覆蓋4.9-5.8GHz頻帶的WiMAX。新款三極管CGH55015F與CGH55030F是首次發(fā)布的特定工作在5.8GHz的GaN HEMT WiMAX產(chǎn)品，其性能級別進一步證實了Cree在GaN技術上的的領導地位。 　　新款15-watt與30-watt器件的重要潛在特性包括： 　　1. 相比于類似功率級的GaAs MOSFET器件，效率增加四倍 　　 　　2. 相比于商業(yè)可用硅LDMOS，提高了工作頻率 　　3. 在免授權的5.8G
  • 關鍵字： 三極管  WiMAX  Cree  GaN  

研究人員公布低成本GaN功率器件重大進展

  • 　　研究人員介紹，他們第一次在200mm硅（111）晶圓上沉積了無裂縫的AlGaN/GaN結(jié)構。高清晰XRD測量顯示出很高的晶體質(zhì)量，并且研究人員還報告了“出色的”表面形貌和均勻性。AlGaN和GaN薄膜是在Aixtron應用實驗室的300mmCRIUS金屬-有機化學氣相外延（MOVPE）反應腔中生長的。??????? 　　“對實現(xiàn)在大尺寸硅晶圓上制作GaN器件的目標來說，在200mm硅晶圓上生長出
  • 關鍵字： 硅晶圓  GaN  200mm  MEMC  

如何測試具備UMA/GAN功能的移動電話

  • 　　要預測客戶對一款手機性能的接受程度，從而預測手機設計的品質(zhì)，需要進行實際使用測試。使用測試是一種很有價值的工具，本文將介紹如何進行此類測試。 　　UMA/GAN是一種能讓移動電話在傳輸話音、數(shù)據(jù)、既有話音也有數(shù)據(jù)或既無話音也無數(shù)據(jù)時在蜂窩網(wǎng)絡(例如 GERAN--GSM/EDGE 無線接入網(wǎng))和IP接入網(wǎng)絡(例如無線 LAN)之間無縫切換的系統(tǒng)。作為網(wǎng)絡融合發(fā)展過程中一項里程碑式的技術，UMA/GAN能讓手機用戶得以享受固定寬帶網(wǎng)提供的服務。UMA/GAN最初叫做免許可移動接入(UMA)網(wǎng)，之后被3
  • 關鍵字： 移動電話  UMA  GAN  SEGW  WLAN  

中國首臺具有自主知識產(chǎn)權MOCVD設備問世

  • 　　由青島杰生電氣有限公司承擔的國家863半導體照明工程重點項目“氮化鎵-MOCVD深紫外”LED材料生長設備研制取得突破，我國首臺具有自主知識產(chǎn)權的并能同時生長6片外延片的MOCVD設備研制成功。 　　 　　該設備在高亮度的藍光發(fā)光二極管(LED)、激光器(LD)、紫外光電探測器、高效率太陽能電池、高頻大功率電子器件領域具有廣泛應用。MOCVD是半導體照明上游關鍵設備，目前國內(nèi)半導體照明產(chǎn)業(yè)的研發(fā)和生產(chǎn)所需設備全部依賴進口。在此之前，杰生電氣已先后研發(fā)出2英寸單片和2英寸3片的
  • 關鍵字： 青島杰生電氣  MOCVD  LED  LD  GaN  
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e-mode gan fet介紹

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