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EEPW首頁 >> 主題列表 >> e-mode gan fet

功放為智能手機提供最佳效率

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
  • 關(guān)鍵字： 智能手機  功放  最佳效率  TD-LTE  GaN  

將光電FET光耦用作一個線性壓控電位器

  • 光電FET可以用作一只可變電阻，或與一只固定電阻一起用作電位器。H11F3M光電FET有7.5kV的隔離電壓，因此能夠安全地控制高壓電路參數(shù)。但這些器件的非線性傳輸特性可能成為問題(圖1)。為了校正這種非線性，可以采用一
  • 關(guān)鍵字： FET  光電  電位器  光耦    

基于優(yōu)化變換器的FET開關(guān)來改善能量效率

  • 　在計算和消費電子產(chǎn)品中，效率已經(jīng)有了顯著的提高，重點是AC/DC轉(zhuǎn)換上。不過，隨著80 PLUS，Climate Savers以及EnergyStar 5等規(guī)范的出現(xiàn)，設計人員開始認識到，AC/DC和DC/DC功率系統(tǒng)都需要改進?！　C/DC平均系統(tǒng)
  • 關(guān)鍵字： 改善  能量  效率  開關(guān)  FET  優(yōu)化  變換器  基于  

設計主電源和備用電源之間的FET-OR電路開關(guān)

  • 圖1為一具有“二極管或”功能的電路，用于主電源和備用電源之間必須自動切換的場合，包括電池供電存儲器電...
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“主流GaN”的發(fā)展和未來

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  • 關(guān)鍵字： GaN  恩智浦  氮化鎵  射頻功率晶體管  

科銳推出突破性GaN基固態(tài)放大器平臺

  • 科銳公司(Nasdaq: CREE)宣布推出具有革新性功率與帶寬性能的全新Ku波段40V、0.25微米碳化硅襯底氮化鎵基(GaN-on-SiC)裸芯片產(chǎn)品系列。該創(chuàng)新型產(chǎn)品系列能夠使得固態(tài)放大器替代行波管，從而提高效率和可靠性。
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對反向轉(zhuǎn)換器的FET關(guān)斷電壓進行緩沖的方法

  • 圖 1 顯示了反向轉(zhuǎn)換器功率級和一次側(cè) MOSFET 電壓波形。該轉(zhuǎn)換器將能量存儲于一個變壓器主繞組電感中并在 MOSFET 關(guān)閉時將其釋放到次級繞組。由于變壓器的漏極電感會使漏電壓升至反射輸出電壓 (Vreset) 以上，因此
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技術(shù)講座：用氧化鎵能制造出比SiC性價比更高的功率元件（一）

  • 與SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導體元件，因而引起了極大關(guān)注。契機源...
  • 關(guān)鍵字： SiC  功率元件  GaN  導通電阻  

用智能MOSFET提升醫(yī)療設計可靠性及性能

  • 所有關(guān)于醫(yī)療應用的產(chǎn)品在要求高可靠性的同時，仍然需要提供終端用戶想要的新技術(shù)與功能。由于各醫(yī)療設備...
  • 關(guān)鍵字： 智能MOSFET  醫(yī)療電子  FET  

基于FET輸入型OP放大器的長時間模擬定時電路介紹

  • 電路的功能定時器專用IC有NE555和C-MOS單穩(wěn)態(tài)多批振蕩器4538B等。然后用FET輸入型OP放大器也可用途長時間定時電路。本電路采用其他模擬電路中使用的雙OP放大器余下的一個來組成定時器，這樣可以減少IC的數(shù)量，事先了
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硅上GaN LED分析

  • 硅上GaN LED不必受應力的影響，一定量的應力阻礙了輸出功率。英國一個研究小組通過原位工具監(jiān)測溫度和晶片曲率，制備出低位錯密度的扁平型150mm外延片，并將這些芯片安裝到器件中，使得內(nèi)量子效率接近40%。硅襯底在
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用于VCA或幅度調(diào)制的FET乘法運算電路介紹

  • 電路的功能本電路是一種使用雙FET的2象限乘法電路最大輸入電壓為10V，2象限乘法運算與幅度調(diào)制（AM）等效，可作為低頻調(diào)制電路使用。電路工作原理本電路利用了FET的溝道電阻變化，以TT15、TT16特性相同為前提條件，O
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20W-50W單端FET純甲類功放的設計制作

  • 音響發(fā)燒友在孜孜不倦的追求目標，就是自己的音響器材有更純真更自然的音質(zhì)表現(xiàn)，單端純甲類功放，音質(zhì)醇厚,偶次 ...
  • 關(guān)鍵字： 單端  FET  甲類  功放  

與萬用表結(jié)合使用的FET VP、VOO檢驗器電路

  • 電路的功能場效晶體管漏極飽和電流IDSS和夾斷電壓VP等有很大差別，所以確定置偏很麻煩。雖然在生產(chǎn)廠已分了幾種等級，但一個等級內(nèi)仍有差別，如果在組裝電路之前測量實際工作電流狀態(tài)下的VP和VOS則比較方便。測量時，
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隔離式FET脈沖驅(qū)動器原理及設計

  • 隔離式FET脈沖驅(qū)動器原理及設計三相控制整流器和變換器、矩陣循環(huán)換流器以及級聯(lián)功率級一般都含有大量功率 ...
  • 關(guān)鍵字： 隔離式  FET  脈沖驅(qū)動器  
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e-mode gan fet介紹

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