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大功率電源MOSMOSFET問題的分析

  • 本文主要介紹三極管原理最通俗的表達(dá)理解，希望對(duì)您的學(xué)習(xí)有所幫助。對(duì)三極管放大作用的理解，切記一點(diǎn)：能量不會(huì)無緣無故的產(chǎn)生，所以，三極管一定不
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大功率電源MOS工作溫度確定之計(jì)算功率耗散

  • 在電子電路設(shè)計(jì)中，散熱設(shè)計(jì)是非常重要的一項(xiàng)指標(biāo)。但在很多設(shè)計(jì)環(huán)境下，空間的狹小程度限制了散熱功能設(shè)計(jì)與發(fā)揮。在大功率電源MOSFET當(dāng)中這種情況尤
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功率MOSFET在集成驅(qū)動(dòng)電路中的設(shè)計(jì)應(yīng)用簡(jiǎn)析

  • 功率MOSFET目前在一些大中型開關(guān)電源的驅(qū)動(dòng)電路中得到了廣泛的應(yīng)用，此前我們?cè)?jīng)為大家總結(jié)了幾種MOSFET在驅(qū)動(dòng)電路中的常見應(yīng)用方式，在今天的文章中
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干貨!一種簡(jiǎn)易的MOSFET自舉驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)分享

  • 功率開關(guān)器件MOSFET在驅(qū)動(dòng)電路中的應(yīng)用頻率在最近幾年直線上升，在一些中小功率的開關(guān)電源產(chǎn)品中，利用MOSFET完成驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)不僅省時(shí)省力，還具有
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同步整流降壓式DC-DC變換器應(yīng)怎樣選擇MOSFET?

  • 功率器件MOSFET在很多電路系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中都得到了廣泛的應(yīng)用，而對(duì)于同步整流降壓式的DC-DC變換器來說，怎樣選擇合適的MOSFET則是非常重要的一環(huán)，需要研
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MOSFET開關(guān)損耗分析

  • 摘要：為了有效解決金屬一氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)在通信設(shè)備直流-48 V緩啟動(dòng)應(yīng)用電路中出現(xiàn)的開關(guān)損耗失效問題，通過對(duì)MOSFET柵極電荷、極間
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6種IGBT中的MOS器件隔離驅(qū)動(dòng)入門

  • 由于不間斷電源的興起，IGBT技術(shù)得以飛速發(fā)展。IGBT的特點(diǎn)是具有電流拖尾效應(yīng)，因此在關(guān)斷的瞬間對(duì)于抗干擾的性能要求非常嚴(yán)格，需要負(fù)壓驅(qū)動(dòng)進(jìn)行輔助
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基于大功率開關(guān)電源中功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)技術(shù)

  • 1.MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電平的上升時(shí)間和下降時(shí)間功率MOSFET具有導(dǎo)通電阻低、負(fù)載電流大的優(yōu)點(diǎn)，因而非常適合用作開關(guān)電源(switch-mode power supplies，S
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大國(guó)器重 功率半導(dǎo)體小行業(yè)大機(jī)會(huì)

  • 在傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域，功率半導(dǎo)體分立器件引領(lǐng)工業(yè)發(fā)展方式向節(jié)能型轉(zhuǎn)變，實(shí)現(xiàn)家電工業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)，優(yōu)化產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)。而隨著物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算、新能源、節(jié)能環(huán)保等新興產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展，新興領(lǐng)域成為支撐功率半導(dǎo)體分立器件保持較好發(fā)展勢(shì)頭的重要市場(chǎng)。
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功率MOSFET關(guān)斷損耗計(jì)算攻略

  • 本文介紹了MOSFET管關(guān)斷損耗的計(jì)算方式，供大家參考。
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看懂MOSFET數(shù)據(jù)表，第1部分―UIS/雪崩額定值

  • 在看到MOSFET數(shù)據(jù)表時(shí)，你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數(shù)很顯眼，也一目了然(BVDS、RDS(ON)、柵極電荷)，其它的一些參數(shù)會(huì)十分的含糊不清、模
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傳中興急單ODM/OEM抬價(jià)20%搶貨：MOSFET全年漲價(jià)30%

  • 　　MOSFET漲價(jià)已經(jīng)很長(zhǎng)一段時(shí)間，從今年年初至今，其漲價(jià)幅度已經(jīng)達(dá)到了5%-10%，相對(duì)另外一種被動(dòng)元器件MLCC，MOSFET漲價(jià)幅度還算在可接受范圍之內(nèi)。簡(jiǎn)而言之，今年以來MOSFET一直處于供貨吃緊狀態(tài)，包括英飛凌、威世、意法半導(dǎo)體、安森美等國(guó)際IDM大廠近些年并沒有新增產(chǎn)能?！　∮捎谌ツ晗掳肽暌詠恚囯娮?、物聯(lián)網(wǎng)、云端計(jì)算等新應(yīng)用加大對(duì)MOSFET的需求，導(dǎo)致電腦以及智能手機(jī)等3C電子產(chǎn)品用MOSFET供貨嚴(yán)重不足，價(jià)格已經(jīng)從今年年初上漲至今持續(xù)了3個(gè)季度!據(jù)市場(chǎng)表示，今年上半年MOSFET
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汽車級(jí)N溝道MOSFET SQJQ480E

  • 功率 MOSFET 是眾多汽車子系統(tǒng)的重要組成部分，其能夠幫助實(shí)現(xiàn)各種各樣的功能，包括負(fù)載切換、電機(jī)控制以及DC/DC轉(zhuǎn)換等。SQJQ480E 的意義在于它可以處
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IGBT掃盲文，IGBT基礎(chǔ)與運(yùn)用知識(shí)學(xué)習(xí)

  • 　　IGBT基礎(chǔ)與運(yùn)用　　IGBT， 中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET(輸入級(jí))和PNP晶體管(輸出級(jí))復(fù)合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開關(guān)速度快 的特點(diǎn)(控制和響應(yīng))，又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點(diǎn)(功率級(jí)較為耐用)，頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz 頻率范圍內(nèi)?！　±硐氲刃щ娐放c實(shí)際等效電路如圖所示：　　IGBT 的靜態(tài)特性一般用不到，暫時(shí)不用考慮，重點(diǎn)考慮動(dòng)態(tài)特性(開關(guān)特性)?！　?dòng)態(tài)特性的簡(jiǎn)易過程可從下面的表格和圖形中獲取
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宜特跨攻MOSFET晶圓后端處理集成服務(wù)

  • 　　隨著電子產(chǎn)品功能愈來愈多元，對(duì)于低功耗的要求也愈來愈高， MOSFET成為車用電子、電動(dòng)車勢(shì)不可擋的必備功率組件，而在目前市面上產(chǎn)能不足，客戶龐大需求下，電子產(chǎn)品驗(yàn)證服務(wù)龍頭-iST宜特科技今宣布，正式跨入「MOSFET晶圓后端處理集成服務(wù)」，目前已有20多家海內(nèi)外廠商，包括全球知名晶圓廠、IDM廠商、IC設(shè)計(jì)企業(yè)已于今年第一季底，前來宜特進(jìn)行工程試樣，并于第二季初開始進(jìn)行小量產(chǎn)，并在下半年正式量產(chǎn)?！　∫颂囟麻L(zhǎng) 余維斌指出，在車用可靠度驗(yàn)證分析本業(yè)上，已做到亞洲龍頭，然而在服務(wù)客戶的同時(shí)，發(fā)現(xiàn)了此
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