- 有刷直流柵極驅動器的演變-回望在電子產品領域奮戰(zhàn)的20年，我們已走過了漫漫長路。2015年正發(fā)布的組件具有無與倫比的精細度和集成度。處理器速度更快，發(fā)光二極管（LED）亮度更高，存儲器密度更大，每樣東西的功耗都更低，并且集成電路（IC）集成了比以往任何時候都多的組件。
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MOSFET 柵極驅動器 集成電路
- 模塊電源的散熱應對措施- 本篇文章以實例為基準，分析一個設計方案中的模塊電源散熱問題。本文的中的模塊采用100W，Vin24VVout5V，采用單管正激電路，使用的是UC3843B芯片控制，沒有采用有源嵌位和同步整流，工作頻率為300KHZ。
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MOSFET 二極管 模塊電源
- 基于MPS芯片的系統電源解決方案-隔離電源模塊可以高效解決各種端口干擾，開關芯片轉換出各種系統所需電壓，LDO給MCU處理器提供穩(wěn)定可靠的電能。電源模塊與芯片方案需要互助互補，各取所長才能共建一個良好的系統供電環(huán)境，同時開啟它們的共贏之路。
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MPS模塊 MOSFET LDO DC-DC
- Littelfuse, Inc.，作為全球電路保護領域的領先企業(yè)，今日宣布推出了首個碳化硅(SiC)MOSFET產品系列，成為該公司不斷擴充的功率半導體產品組合中的最新系列。 Littelfuse在3月份投資享有盛譽的碳化硅技術開發(fā)公司Monolith Semiconductor Inc.，向成為功率半導體行業(yè)的領軍企業(yè)再邁出堅定一步。LSIC1MO120E0080系列具有1200V額定功率和超低導通電阻(80m?)，是雙方聯手推出的首款由內部設計、開發(fā)和生產的
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Littelfuse MOSFET
- 采用自舉升壓結構設計雙電壓mosfet驅動電路-自舉升壓電路的原理圖如圖1所示。所謂的自舉升壓原理就是，在輸入端IN輸入一個方波信號，利用電容Cboot將A點電壓抬升至高于VDD的電平，這樣就可以在B端輸出一個與輸入信號反相，且高電平高于VDD的方波信號。具體工作原理如下：
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mosfet 驅動電路
- 功率mos管工作原理與幾種常見驅動電路圖-本文介紹功率mosfet工作原理、幾種常見的mosfet驅動電路設計，功率mosfet驅動電路原理圖。
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驅動電路 mosfet 電路圖
- 利用單個反饋源實現任意量級偏置電流網絡-假設須要生成一些任意數量（以N為例）的電流沉/源（current sink/source），而每個電流沉/源的大小任意，可能須要針對不同階段的一些復雜模擬電路進行偏置。雖然基準電壓的生成僅須一次實施即可，電流沉整個反饋部分的重復進行卻使成本與設計空間密集化。
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模擬電路 MOSFET
- MOSFET 安全工作區(qū)對實現穩(wěn)固熱插拔應用的意義所在-即使是在插入和拔出電路板和卡進行維修或者調整容量時，任務關鍵的伺服器和通信設備也必須能夠不間斷工作。熱插拔控制器 IC 通過軟啟動電源，支持從正在工作的系統中插入或移除電路板，從而避免了出現連接火花、背板供電干擾和電路板卡復位等問題?？刂破?IC 驅動與插入電路板之電源相串聯的功率 MOSFET 開關 （圖 1）。電路板插入后，MOSFET 開關緩慢接通，這樣，流入的浪涌電流對負載電容充電時能夠保持在安全水平。
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mosfet linear
- 摘要 本文評測了主開關采用意法半導體新產品650V SiC MOSFET的直流-直流升壓轉換器的電熱特性，并將SiC碳化硅器件與新一代硅器件做了全面的比較。測試結果證明，新SiC碳化硅開關管提升了開關性能標桿，讓系統具更高的能效，對市場上現有系統設計影響較大。 前言 市場對開關速度、功率、機械應力和熱應力耐受度的要求日益提高，而硅器件理論上正在接近性能上限?！ 拵栋雽w器件因電、熱、機械等各項性能表現俱佳而被業(yè)界看好，被認為是硅半導體器件的替代技術。在這些新材料中，兼容硅
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MOSFET SiC
- 什么是同步整流器？開關MOSFET較同步整流器在功率電源中的耗散如何？-同步整流是采用通態(tài)電阻極低的專用功率MOSFET，來取代整流二極管以降低整流損耗的一項新技術。它能大大提高DC/DC變換器的效率并且不存在由肖特基勢壘電壓而造成的死區(qū)電壓。
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整流器 mosfet 二極管
- 用GaN重新考慮功率密度-電力電子世界在1959年取得突破，當時Dawon Kahng和Martin Atalla在貝爾實驗室發(fā)明了金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）。首款商業(yè)MOSFET在五年后發(fā)布生產，從那時起，幾代MOSFET晶體管使電源設計人員實現了雙極性早期產品不可能實現的性能和密度級別。
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mosfet 氮化鎵 pfc
- 平面式高壓MOSFET的結構
圖1顯示了一種傳統平面式高壓MOSFET的簡單結構。平面式MOSFET通常具有高單位芯片面積漏源導通電阻，并伴隨相對更高的漏源電阻。使用高單元密度和大管芯尺寸可實現較低的RDS(on)值。但大單元密度和管芯尺寸還伴隨高柵極和輸出電荷，這會增加開關損耗和成本。另外還存在對于總硅片電阻能夠達到多低的限制。器件的總RDS(on)可表示為通道、epi和襯底三個分量之和：
RDS(on) = Rch + Repi + Rsub
圖1：傳統平面式MOSF
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MOSFET 超級結
- 今天，做一個產品或系統的電路保護方案，特別是智能電網等工業(yè)應用的端口保護設計，就像是組織一場足球比賽的防御戰(zhàn)：你需要有大牌的球(yuan)星(jian)，還需要有將他們捏合在一起的戰(zhàn)術，去抵御來自對手的每一次可能的“進攻”。這其中的門道兒不少，但也有套路可尋，今天我們就來看看世健(Excelpoint)作為工業(yè)電路保護界的“豪門”，是怎么玩兒的?！ ∧切┟餍窃 ∠葋砑殧狄幌率澜は履切┰谥悄茈娋W上可堪重用的電路保護元件“球星”，它們大多來自Bourns公司，每顆料都很有“料”。比如： TBU高速
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智能電網 MOSFET
- SiC在電源轉換器的尺寸、重量和/或能效等方面具有優(yōu)勢。當然，要進行大批量生產，逆變器除了靜態(tài)和動態(tài)性能之外，還必須具備適當的可靠性，以及足夠的閾值電壓和以應用為導向的短路耐受能力等。可與IGBT兼容的VGS=15V導通驅動電壓，以便從IGBT輕松改用SiC MOSFET解決方案。英飛凌的1200V CoolSiCTM MOSFET可滿足這些要求。
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電源轉換器 SiC MOSFET 逆變器 201707
- 全球出現的能源短缺問題使各國政府都開始大力推行節(jié)能新政。電子產品的能耗標準越來越嚴格，對于電源設計工程師，如何設計更高效率、更高性能的電源是一個永恒的挑戰(zhàn)。本文從電源PCB的布局出發(fā)。
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電源模塊性能 PCB布局技術 MOSFET
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