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MOSFET芯片產(chǎn)能轉(zhuǎn)至車用電子 供貨緊張

  • 　　面對國際IDM大廠將旗下MOSFET芯片產(chǎn)能大量移轉(zhuǎn)到車用電子領(lǐng)域，并開始采取限量供應MOSFET芯片給PC、NB及移動裝置產(chǎn)品客戶的情形，大中、富鼎、尼克森等臺系MOSFET芯片三雄不僅2017年第3季終于有像樣的營收成長力道，客戶追加訂單的盛況更是前所未見。雖然第4季全球PC及NB市場需求照理說會開始下滑，但在英特爾(Intel)、AMD新款CPU平臺需增加3~5顆MOSFET芯片，加上客戶對于MOSFET芯片供需吃緊的議題抱持高度關(guān)注態(tài)度，臺系MOSFET芯片供應商多已表達淡季不淡的樂觀預期看法
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MOS芯片缺貨潮2019年有望緩解 應用端提升8寸產(chǎn)線成主力

  • 　　以MLCC為代表的被動元件在進入第三季度后，受產(chǎn)能供需吃緊影響，價格大漲，部分物料漲幅甚至超過10倍。而與被動元件市場行情相似的MOSFET芯片也出現(xiàn)缺貨潮，導致價格上漲，即便是在溢價20%的基礎上新增訂單，供應商仍難交出貨來。更嚴重的是，MOSFET芯片市場缺貨潮短期內(nèi)將難以緩解，保守估計到2019年局面才能改觀。 　　據(jù)IHS數(shù)據(jù)顯示，2016年MOSFET芯片市場總規(guī)模為205億美元，2017年預計將增長到220億美元。MOSFET芯片可廣泛應用于消費類電子、電動汽車以及IIoT等領(lǐng)域，杭州士
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如何確保MOS管工作在安全區(qū)

  • 　　電源工程師最怕什么?炸機!用著用著就壞了，莫名其妙MOS管就炸了，真是又怕又恨，可到底是哪里出問題了呢?這一切都和SOA相關(guān)?！　∥覀冎篱_關(guān)電源中MOSFET、 IGBT是最核心也是最容易燒壞的器件。開關(guān)器件長期工作于高電壓大電流狀態(tài)，承受著很大的功耗，一但過壓或過流就會導致功耗大增，晶圓結(jié)溫急劇上升，如果散熱不及時，就會導致器件損壞，甚至可能會伴隨爆炸，非常危險。這里就衍生一個概念，安全工作區(qū)?！　∫?、什么是安全工作區(qū)?　　安全工作區(qū)：SOA(Safe operating&nb
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精華！兼容路創(chuàng)和Leviton調(diào)光器的LED燈絲燈解決方案

  • 精華！兼容路創(chuàng)和Leviton調(diào)光器的LED燈絲燈解決方案-晶豐明源BP3216燈絲燈可控硅調(diào)光方案解決三大LED燈絲燈調(diào)光難題，BP3216內(nèi)部集成MOSFET，體積小，特別適合燈絲燈的應用；采用源極驅(qū)動，DCMB的控制方式，沒有二極管反向恢復，開關(guān)損耗小。P3216系列芯片內(nèi)部集成不同耐壓的MOSFET，可以滿足不同功率輸出的要求。
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導入柵極屏蔽結(jié)構(gòu)　溝槽式MOSFET功耗銳減

  • 導入柵極屏蔽結(jié)構(gòu)　溝槽式MOSFET功耗銳減-更高系統(tǒng)效率和功率密度，是現(xiàn)今數(shù)據(jù)和電信電源系統(tǒng)設計的首要目標。為達此一目的，半導體開發(fā)商研發(fā)出采用柵極屏蔽結(jié)構(gòu)的新一代溝槽式金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET），可顯著降低全負載及輕負載時的功率損耗。
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為反向極性保護設計一個電路

  • 為反向極性保護設計一個電路-反向極性解決方案被看成是一個迫不得已、不得不做的事情。例如，在汽車系統(tǒng)中，搭線啟動期間，防止電池反接或者電纜反向連接很重要，然而系統(tǒng)設計人員也必須忍受反向極性保護出現(xiàn)時的功率損耗。
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有刷直流柵極驅(qū)動器的演變

  • 有刷直流柵極驅(qū)動器的演變-回望在電子產(chǎn)品領(lǐng)域奮戰(zhàn)的20年，我們已走過了漫漫長路。2015年正發(fā)布的組件具有無與倫比的精細度和集成度。處理器速度更快，發(fā)光二極管（LED）亮度更高，存儲器密度更大，每樣東西的功耗都更低，并且集成電路（IC）集成了比以往任何時候都多的組件。
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模塊電源的散熱應對措施

  • 模塊電源的散熱應對措施- 本篇文章以實例為基準，分析一個設計方案中的模塊電源散熱問題。本文的中的模塊采用100W，Vin24VVout5V，采用單管正激電路，使用的是UC3843B芯片控制，沒有采用有源嵌位和同步整流，工作頻率為300KHZ。
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基于MPS芯片的系統(tǒng)電源解決方案

  • 基于MPS芯片的系統(tǒng)電源解決方案-隔離電源模塊可以高效解決各種端口干擾，開關(guān)芯片轉(zhuǎn)換出各種系統(tǒng)所需電壓，LDO給MCU處理器提供穩(wěn)定可靠的電能。電源模塊與芯片方案需要互助互補，各取所長才能共建一個良好的系統(tǒng)供電環(huán)境，同時開啟它們的共贏之路。
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Littelfuse首款碳化硅MOSFET可在電力電子應用中實現(xiàn)超高速切換

  • 　　Littelfuse, Inc.，作為全球電路保護領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)，今日宣布推出了首個碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品系列，成為該公司不斷擴充的功率半導體產(chǎn)品組合中的最新系列。 Littelfuse在3月份投資享有盛譽的碳化硅技術(shù)開發(fā)公司Monolith Semiconductor Inc.，向成為功率半導體行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)再邁出堅定一步。LSIC1MO120E0080系列具有1200V額定功率和超低導通電阻(80m?)，是雙方聯(lián)手推出的首款由內(nèi)部設計、開發(fā)和生產(chǎn)的
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利用單個反饋源實現(xiàn)任意量級偏置電流網(wǎng)絡

  • 利用單個反饋源實現(xiàn)任意量級偏置電流網(wǎng)絡-假設須要生成一些任意數(shù)量（以N為例）的電流沉/源（current sink/source），而每個電流沉/源的大小任意，可能須要針對不同階段的一些復雜模擬電路進行偏置。雖然基準電壓的生成僅須一次實施即可，電流沉整個反饋部分的重復進行卻使成本與設計空間密集化。
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采用自舉升壓結(jié)構(gòu)設計雙電壓mosfet驅(qū)動電路

  • 采用自舉升壓結(jié)構(gòu)設計雙電壓mosfet驅(qū)動電路-自舉升壓電路的原理圖如圖1所示。所謂的自舉升壓原理就是，在輸入端IN輸入一個方波信號，利用電容Cboot將A點電壓抬升至高于VDD的電平，這樣就可以在B端輸出一個與輸入信號反相，且高電平高于VDD的方波信號。具體工作原理如下：
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功率mos管工作原理與幾種常見驅(qū)動電路圖

  • 功率mos管工作原理與幾種常見驅(qū)動電路圖-本文介紹功率mosfet工作原理、幾種常見的mosfet驅(qū)動電路設計，功率mosfet驅(qū)動電路原理圖。
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MOSFET 安全工作區(qū)對實現(xiàn)穩(wěn)固熱插拔應用的意義所在

  • MOSFET 安全工作區(qū)對實現(xiàn)穩(wěn)固熱插拔應用的意義所在-即使是在插入和拔出電路板和卡進行維修或者調(diào)整容量時，任務關(guān)鍵的伺服器和通信設備也必須能夠不間斷工作。熱插拔控制器 IC 通過軟啟動電源，支持從正在工作的系統(tǒng)中插入或移除電路板，從而避免了出現(xiàn)連接火花、背板供電干擾和電路板卡復位等問題。控制器 IC 驅(qū)動與插入電路板之電源相串聯(lián)的功率 MOSFET 開關(guān) （圖 1）。電路板插入后，MOSFET 開關(guān)緩慢接通，這樣，流入的浪涌電流對負載電容充電時能夠保持在安全水平。
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