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意法半導體推出離線轉換器 提高5-30V電源的雪崩耐量、能效和靈活性

  •   意法半導體的VIPer11離線轉換器內置800V耐雪崩MOSFET,可幫助設備制造商設計更耐用的輔助電源和電源適配器,其26Vdc漏極啟動電壓允許超寬的線路輸入電壓,并提高諸多消費和工業(yè)電源的靈活性?! ∵壿嫾壴匨OSFET讓VIPer11能夠在4.5V至30V的寬電源電壓范圍內工作,可用于設計高效的5V輸出開關電源。結合內部高壓啟動、誤差放大器和降低EMI干擾的抖動振蕩器等功能,這種優(yōu)勢可簡化設計,節(jié)省空間和物料清單成本。  VIPer11高壓轉換器可實現(xiàn)由整流的AC線或其它直流電源直接供電的反激
  • 關鍵字: 意法半導體,MOSFET  

工業(yè)設備輔助電源驅動用的SiC電源解決方案

  •   前言  包括光伏逆變器、電氣驅動裝置、UPS及HVDC在內的功率轉換系統(tǒng),需要柵極驅動器、微控制器、顯示器、傳感器及風扇來使系統(tǒng)正常運行。這類產品需要能夠提供12V或24V低電壓電源的輔助電源。輔助電源則需要輸入通常工業(yè)設備所使用的三相400/480V AC電源、或太陽能光伏逆變器所使用的高電壓DC電源才能工作。本文將介紹融入了ROHM的SiC技術優(yōu)勢且設計簡單、性價比高的電源解決方案?! ⌒⌒洼o助電源用SiC MOSFET  圖1是輔助電源所用的普通電路。在某些輸入電壓條件下,MOSFET的最高耐壓
  • 關鍵字: SiC,MOSFET  

計算MOSFET非線性電容

  •   最初為高壓器件開發(fā)的超級結MOSFET,電荷平衡現(xiàn)在正向低壓器件擴展。雖然這極大地降低了RDS(ON) 和結電容,但電荷平衡使后者非線性進一步加大。MOSFET有效儲存電荷和能量減少,而且顯著減少,但計算或比較不同MOSFET參數(shù)以獲得最佳性能變得更加復雜?! OSFET三個相關電容不能作為VDS的函數(shù)直接測量,其中有的需要在這個過程中短接或懸空。數(shù)據手冊最終測量給出的三個值定義如下:  CiSS = CGS + CGD COSS = CDS + CDG CRSS = CGD  三者中,輸入電容CG
  • 關鍵字: MOSFET  非線性電容  

電源設計經驗之MOS管驅動電路篇

  •   MOSFET因導通內阻低、開關速度快等優(yōu)點被廣泛應用于開關電源中。MOSFET的驅動常根據電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。下面一起探討MOSFET用于開關電源的驅動電路?! ≡谑褂肕OSFET設計開關電源時,大部分人都會考慮MOSFET的導通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時候也僅僅考慮了這些因素,這樣的電路也許可以正常工作,但并不是一個好的設計方案。更細致的,MOSFET還應考慮本身寄生的參數(shù)。對一個確定的MOSFET,其驅動電路,驅動腳輸出的峰值電流,上升速率等,都會影響MOSFET的
  • 關鍵字: MOSFET  電源IC  

Littelfuse在2018年APEC大會上推出超低導通電阻1200V碳化硅MOSFET

  •   全球電路保護領域的領先企業(yè)Littelfuse,?Inc.與從事碳化硅技術開發(fā)的德州公司Monolith?Semiconductor?Inc.今天新推出兩款1200V碳化硅(SiC)?n通道增強型MOSFET,為其日益擴展的第一代電源半導體器件組合注入新鮮血液。?Littelfuse與Monolith在2015年結成戰(zhàn)略合作關系,旨在為工業(yè)和汽車市場開發(fā)電源半導體。這種新型碳化硅MOSFET即為雙方聯(lián)手打造的最新產品。?這些產品在應用電力電子
  • 關鍵字: Littelfuse  MOSFET  

宜普電源轉換公司(EPC)的專家攜手與工程師發(fā)揮氮化鎵器件及集成電路的最高性能,不僅替代MOSFET器件,更為市場帶來創(chuàng)新設計

  •   EPC公司的管理及技術團隊將在中國深圳及上海于3月14至16日舉行的各大業(yè)界論壇及展會上,與工程師會面并作技術交流。屆時,EPC團隊將分享如何發(fā)揮氮化鎵場效應晶體管(GaN FET)及集成電路的最高性能、創(chuàng)新設計,從而為工程師及其客戶,打造共創(chuàng)共贏新局面?! irFuel無線充電大會暨開發(fā)者論壇 2018 (中國深圳 - 3月14至16日)  首屆AirFuel無線充電大會暨開發(fā)者論壇將于3月14至16日在深圳南山凱賓斯基酒店舉行。由AirFuel?
  • 關鍵字: 宜普  MOSFET  

高性能ZVS降壓穩(wěn)壓器消除在寬輸入范圍負載點應用中提高功率吞吐量的障礙

  •   當前具有更高整體效率的電子系統(tǒng)需要更高的功率密度,這為非隔離負載點穩(wěn)壓器(niPOL)?帶來了大量變革。為了提高整體系統(tǒng)效率,設計人員選擇避免多級轉換,以獲得他們所需要的穩(wěn)壓負載點電壓。這就意味著niPOL需要支持更高的工作輸入電壓,提供更高的轉換率。除此之外,niPOL還需要在保持最高效率的同時,繼續(xù)縮小電源解決方案的總體尺寸。而且隨著產品性能的提升,niPOL的功率需求會進一步提高?! ‰娫葱袠I(yè)通過對niPOL進行多項技術升級來應對這一挑戰(zhàn)。過去幾年,行業(yè)已經看到器件封裝、半導體集成和M
  • 關鍵字: ZVS  MOSFET  

MOSFET芯片需求加劇 缺貨之勢持續(xù)蔓延

  • MOSFET缺貨潮來勢洶洶,看著突然實則必然,畢竟消費電子的更新迭代速度加快以及新能源汽車飛速發(fā)展已成必然之勢。
  • 關鍵字: MOSFET  芯片  

一種具有后臺校正功能的電流舵DAC

  •   隨著工藝水平的提高,MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor?Field-Effect?Transistor,即金屬-氧化物半導體場效應晶體管)閾值電壓的失配常數(shù)Avt越來越小,電流源之間的匹配程度越來越高,然而隨著DAC(Digital?to?Analog?Converter,即數(shù)模轉換器)分辨率的提高,?DAC對電流源誤差的要求越來越高[1]。其中閾值電壓失配不僅與Avt有關,由于閾值電壓的溫度系數(shù)存在,DAC工作
  • 關鍵字: DAC  MOSFET  

通過電源模塊提高電動工具設計的性能

  •   電動工具、 園藝工具和吸塵器等家電使用低電壓(2至10節(jié))鋰離子電池供電的電機驅動。這些工具使用有刷直流(BDC)或三相無刷直流(BLDC)電機。BLDC電機效率更高、維護少、噪音小、使用壽命更長?! ◎寗与姍C功率級的最重要的性能要求是尺寸小、效率高、散熱性能好、保護可靠、峰值電流承載能力強。小尺寸可實現(xiàn)工具內的功率級的靈活安裝、更好的電路板布局性能和低成本設計。高效率可提供最長的電池壽命并減少冷卻工作??煽康牟僮骱捅Wo可延長使用壽命,有助于提高產品聲譽?! 樵趦蓚€方向上驅動BDC電機,您
  • 關鍵字: BLDC  MOSFET  

汽車電源的監(jiān)視和開關

  •   引言  在如今的汽車中,為了提高舒適度和行車體驗而設計了座椅加熱、空調、導航、信息娛樂、行車安全等系統(tǒng),從這些系統(tǒng)很容易理解在車中為各種功能供電的電子系統(tǒng)的好處?,F(xiàn)在我們很難想像僅僅 100 多年以前的景象,那時,在汽油動力汽車中,一個電子組件都沒有。在世紀交替時期的汽車開始有了手搖曲柄,前燈開始用乙炔氣照明,也可以用鈴聲向行人發(fā)出提示信息了。如今的汽車正處于徹底變成電子系統(tǒng)的交界點,最大限度減少了機械系統(tǒng)的采用,正在成為人們生活中最大、最昂貴的“數(shù)字化工具”。由于可用性和環(huán)保原因
  • 關鍵字: 電源  MOSFET   

缺貨緩解待看12寸產能 國產MOSFET持續(xù)主導消費類市場

  •   MOSFET漲價何時能得到緩解?深圳市拓鋒半導體科技有限公司總經理陳金松表示可能要到2018年第四個季度,等國內的12寸晶圓量產之后,將8寸的產能騰出來,才有可能緩解。同時要看封測廠的“吞吐力”是否足以化解8寸產能的釋放,如果封測廠商難以消化這么大的產能,漲價仍會持續(xù),只是幅度不會像今年這么大了。“明年我們自己的封裝廠將擴產,預計2018年6月可正式投產,擴產后的產能可多出一倍,每月達2億只左右。”陳金松說。   MOSFET作為應用廣泛的基礎類元器件
  • 關鍵字: MOSFET  DFN  

600 V CoolMOS? CFD7 SJ MOSFET將性能提升到全新水準

  •   017年11月24日,德國慕尼黑訊—憑借600 V CoolMOSCFD7,英飛凌科技股份公司推出最新的高壓超結MOSFET技術。該600 V CoolMOS CFD7是CoolMOS 7系列的新成員。這款全新MOSFET滿足了高功率SMPS市場對諧振拓撲的需求。它的LLC和ZVS PSFB等軟開關拓撲具備業(yè)內領先的效率和可靠性。這使其非常適合服務器、電信設備電源和 電動汽車充電站等高功率SMPS應用?! ?nbsp;&n
  • 關鍵字: 英飛凌  MOSFET  

缺貨緩解待看12寸產能 國產MOSFET持續(xù)主導消費類市場

  •   MOSFET漲價何時能得到緩解?深圳市拓鋒半導體科技有限公司總經理陳金松表示可能要到2018年第四個季度,等國內的12寸晶圓量產之后,將8寸的產能騰出來,才有可能緩解。同時要看封測廠的“吞吐力”是否足以化解8寸產能的釋放,如果封測廠商難以消化這么大的產能,漲價仍會持續(xù),只是幅度不會像今年這么大了。“明年我們自己的封裝廠將擴產,預計2018年6月可正式投產,擴產后的產能可多出一倍,每月達2億只左右。”陳金松說。   MOSFET作為應用廣泛的基礎類元器件
  • 關鍵字: MOSFET  晶圓  

功率因數(shù)校正最佳策略:如何選取合適的MOSFET?

  • 功率因數(shù)校正最佳策略:如何選取合適的MOSFET?-近年來,隨著汽車、通信、能源、綠色工業(yè)等大量使用MOSFET的 行業(yè)的快速發(fā)展,功率MOSFET備受關注。
  • 關鍵字: MOSFET  功率因數(shù)  Vishay  
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