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安世半導(dǎo)體推出采用LFPAK56封裝的0.57m?產(chǎn)品

奈梅亨，2020年2月19日：安世半導(dǎo)體，分立器件和MOSFET器件及模擬和邏輯集成電路器件領(lǐng)域的生產(chǎn)專家，今日宣布推出有史以來最低RDS(on)的功率MOSFET。今日推出的PSMNR51-25YLH已經(jīng)是業(yè)內(nèi)公認(rèn)的低壓、低RDS(on)的領(lǐng)先器件，它樹立了25 V、0.57 m?的新標(biāo)準(zhǔn)。該市場(chǎng)領(lǐng)先的性能利用安世半導(dǎo)體獨(dú)特的NextPowerS3技術(shù)實(shí)現(xiàn)，并不影響最大漏極電流(ID(max))、安全工作區(qū)(SOA)或柵極電荷QG等其他重要參數(shù)。?很多應(yīng)用均需要超低RDS(on)器件，例如OR
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Vishay推出高效80 V MOSFET，導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積即優(yōu)值系數(shù)達(dá)到同類產(chǎn)品最佳水平

日前，Vishay Intertechnology, Inc. 宣布，推出新款6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK? SO-8單體封裝的——SiR680ADP，它是80 V TrenchFET? 第四代n溝道功率MOSFET。Vishay Siliconix SiR680ADP專門用來提高功率轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和開關(guān)電路的效率，從而節(jié)省能源，其導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中MOSFET的重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）為129 mW*nC，達(dá)到同類產(chǎn)品最佳水平。
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Vishay推出新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET，提高功率密度和效率

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用小型熱增強(qiáng)型PowerPAK?1212-8SCD封裝新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET---SiSF20DN。Vishay Siliconix SiSF20DN是業(yè)內(nèi)最低RS-S(ON)的60 V共漏極器件，專門用于提高電池管理系統(tǒng)、直插式和無線充電器、DC/DC轉(zhuǎn)換器以及電源的功率密度和效率。日前發(fā)布的雙片MOSFET在10V電壓下RS-S(ON) 典型值低至10 mW，是3mm x 3mm封裝導(dǎo)通電阻最低的60
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Nexperia 推出行業(yè)領(lǐng)先性能的高效率氮化鎵功率器件 (GaN FET)

近日，分立、邏輯和 MOSFET 器件的專業(yè)制造商N(yùn)experia，今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進(jìn)入氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管(GaN)市場(chǎng)。這款器件非常耐用，柵極電壓 (VGS) 為 +/- 20 V，工作溫度范圍為 -55 至 +175 °C。GAN063-650WSA的特點(diǎn)是低導(dǎo)通電阻（最大RDS(on) 僅為 60 m?）以及快速的開關(guān)切換；效率非常高。Nexperia氮化鎵器件的目標(biāo)是高性能要求的應(yīng)用市場(chǎng)，包括電動(dòng)汽車、數(shù)據(jù)中心、電信設(shè)備、工業(yè)自動(dòng)化和高端電源。Nexperi
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功率MOSFET的參數(shù)那么多，實(shí)際應(yīng)用中該怎么選？

功率 MOSFET也有兩年多時(shí)間了，這方面的技術(shù)文章看了不少，但實(shí)際應(yīng)用選型方面的文章不是很多。在此，根據(jù)學(xué)到的理論知識(shí)和實(shí)際經(jīng)驗(yàn)，和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。
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SiC MOSFET在汽車和電源應(yīng)用中優(yōu)勢(shì)顯著

商用硅基功率MOSFET已有近40年的歷史，自問世以來，MOSFET和IGBT一直是開關(guān)電源的主要功率處理控制組件，被廣泛用于電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等電路設(shè)計(jì)。不過，這一成功也讓MOSFET和IGBT體會(huì)到因成功反而受其害的含義。隨著產(chǎn)品整體性能的改善，特別是導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗的大幅降低，這些半導(dǎo)體開關(guān)的應(yīng)用范圍越來越廣。結(jié)果，市場(chǎng)對(duì)這些硅基MOSFET和IGBT的期望越來越高，對(duì)性能的要求越來越高。盡管主要的半導(dǎo)體研發(fā)機(jī)構(gòu)和廠商下大力氣滿足市場(chǎng)要求，進(jìn)一步改進(jìn)MOSFET/ IGBT產(chǎn)品，但在某些時(shí)候，收益遞減
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減慢開關(guān)轉(zhuǎn)換時(shí)要謹(jǐn)慎

開關(guān)調(diào)節(jié)器中的快速開關(guān)瞬變是有利的，因?yàn)檫@顯著降低了開關(guān)模式電源中的開關(guān)損耗。尤其是在高開關(guān)頻率時(shí)，可以大幅提高開關(guān)調(diào)節(jié)器的效率。但是，快速開關(guān)轉(zhuǎn)換也會(huì)帶來一些負(fù)面影響。開關(guān)轉(zhuǎn)換頻率在20 MHz和200 MHz之間時(shí)，干擾會(huì)急劇增加。這就使得開關(guān)模式電源開發(fā)人員必須在高頻率范圍內(nèi)，在高效率和低干擾之間找到良好的折衷方案。此外，ADI公司提出了創(chuàng)新的Silent Switcher?技術(shù)，即使是極快的開關(guān)邊沿，也可能產(chǎn)生最小電磁輻射。圖1.對(duì)開關(guān)模式電源進(jìn)行開關(guān)轉(zhuǎn)換，在開關(guān)節(jié)點(diǎn)處施加輸入電壓。圖1顯示了快速
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ROHM開發(fā)出4引腳封裝的SiC MOSFET “SCT3xxx xR

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都），開發(fā)出6款溝槽柵結(jié)構(gòu)※1）SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”產(chǎn)品（650V／1200V耐壓），非常適用于要求高效率的服務(wù)器用電源、太陽能逆變器及電動(dòng)汽車的充電站等。此次新開發(fā)的系列產(chǎn)品采用4引腳封裝（TO-247-4L），可充分地發(fā)揮出SiC MOSFET本身的高速開關(guān)性能。與以往3引腳封裝（TO-247N）相比，開關(guān)損耗可降低約35％，非常有助于進(jìn)一步降低各種設(shè)備的功耗。另外，羅姆也已開始供應(yīng)SiC MOSFET評(píng)估板“P02SCT304
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中歐“大咖”齊聚深圳，共話第三代半導(dǎo)體發(fā)展

最近，由深圳市科學(xué)技術(shù)協(xié)會(huì)、坪山區(qū)人民政府、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟指導(dǎo)，青銅劍科技、深圳第三代半導(dǎo)體研究院、南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院主辦，深圳基本半導(dǎo)體、深圳中歐創(chuàng)新中心承辦的第三屆“中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇”在深圳五洲賓館成功舉辦。來自中國和歐洲的專家學(xué)者、企業(yè)高管、投資精英等近200名代表參會(huì)，圍繞第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)業(yè)發(fā)展、國際合作進(jìn)行深入探討與交流，加速第三代半導(dǎo)體材料國產(chǎn)化替代進(jìn)程，助力國產(chǎn)半導(dǎo)體開辟一片新天地。深圳市科學(xué)技術(shù)協(xié)會(huì)黨組書記林祥、深圳市坪山區(qū)科技創(chuàng)新局局長(zhǎng)黃鳴出席論
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Diodes公司推出微型車用 MOSFET，可提供更高的功率密度

Diodes 公司 (Nasdaq：DIOD) 今日宣布推出額定 40V 的 DMTH4008LFDFWQ 及額定 60V 的 DMTH6016LFDFWQ，兩者均為符合車用規(guī)范的 MOSFET，采用 DFN2020 封裝。這兩款微型 MOSFET 僅占較大封裝 (例如 SOT223) 10% 的 PCB 區(qū)域，可在直流對(duì)直流 (DC-DC) 轉(zhuǎn)換器、LED 背光、ADAS 及其他「引擎蓋下」的汽車應(yīng)用之中，提供更高的功率密度。DMTH4008LFDFWQ 在 VGS = 10V 時(shí)的 RDS(ON) 標(biāo)
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針對(duì)高耐用性和可靠性電源需求，意法半導(dǎo)體推出市場(chǎng)上擊穿電壓最高的1050V MOSFET VIPer轉(zhuǎn)換器

中國，2019年7月29日——意法半導(dǎo)體VIPer26K發(fā)布高壓功率轉(zhuǎn)換器，集成一個(gè)1050V耐雪崩N溝道功率MOSFET，使離線電源兼?zhèn)鋵拤狠斎肱c設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單的優(yōu)點(diǎn)。VIPer26K MOSFET具有極高的額定電壓，無需傳統(tǒng)垂直堆疊FET和相關(guān)無源元件，即可實(shí)現(xiàn)類似的電壓處理能力，可采用尺寸更小的外部緩沖器元件。轉(zhuǎn)換器內(nèi)置漏極限流保護(hù)功能，MOSFET包含一個(gè)用于過溫保護(hù)的senseFET引腳。單片集成高壓?jiǎn)?dòng)電路、內(nèi)部誤差放大器和電流式PWM控制器，VIPER26K支持所有常見開關(guān)式電源拓?fù)?，包括原邊或?/li>
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SiC將達(dá)23億美元規(guī)模，技術(shù)精進(jìn)是主攻方向

? ? ? SiC(碳化硅)作為第三代半導(dǎo)體，以耐高壓、高溫和高頻，在高性能功率半導(dǎo)體上顯出優(yōu)勢(shì)。在應(yīng)用中，在光伏和服務(wù)器市場(chǎng)最大，正處于發(fā)展中的市場(chǎng)是xEV（電動(dòng)與混動(dòng)汽車）。隨著SiC產(chǎn)品特性越做越好，在需要更高電壓的鐵路和風(fēng)電上將會(huì)得到更多的應(yīng)用。? ? ? 不過，制約SiC發(fā)展的，最主要的是價(jià)格，主要原因有兩個(gè)，一個(gè)是襯底，一個(gè)是晶圓尺寸所限。例如晶圓尺寸越大，成本也會(huì)相應(yīng)地下降，ROHM等公司已經(jīng)有6英寸的晶圓片。在技術(shù)方面，眾廠商競(jìng)爭(zhēng)
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華為強(qiáng)力掃貨　手機(jī)、服務(wù)器用MOSFET急單聲聲催

中美貿(mào)易戰(zhàn)戰(zhàn)火延燒，華為禁令事件已經(jīng)讓大陸業(yè)者火速要求邏輯IC供應(yīng)鏈緊急備貨，熟悉功率元件業(yè)者透露，除了鞏固華為海思晶圓代工、封測(cè)代工供應(yīng)鏈以及臺(tái)系邏輯IC供應(yīng)體系外，瘋狂掃貨力道已經(jīng)蔓延到功率基礎(chǔ)元件金氧半場(chǎng)效晶體管(MOSFET)。
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現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器提供隔離功能的最大功率限制

　　Maximum power limit for withstanding insulation capabilities of modern IGBT/MOSFETgate drivers? ? ? ?作者/Bernhard Strzalkowski博士 ADI公司（德國慕尼黑）　　摘要：通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵的耐受性能?！　￡P(guān)鍵詞：IGBT; MOSFET; 柵極驅(qū)動(dòng)器；耐受性；隔離? ? &nb
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工程師必須掌握的MOS管驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)細(xì)節(jié)

一般認(rèn)為MOSFET是電壓驅(qū)動(dòng)的，不需要驅(qū)動(dòng)電流。然而，在MOS的G、S兩級(jí)之間，有結(jié)電容存在。這個(gè)電容會(huì)讓驅(qū)動(dòng)MOS變的不那么簡(jiǎn)單......
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