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EEPW首頁 >> 主題列表 >> elitesic mosfet

理解功率MOSFET的RDS(ON)溫度系數(shù)特性

  • 通常，許多資料和教材都認為，MOSFET的導通電阻具有正的溫度系數(shù)，因此可以并聯(lián)工作。當其中一個并聯(lián)的MOSFET的溫度上升時，具有正的溫度系數(shù)導通電阻也增加，因此流過的電流減小，溫度降低，從而實現(xiàn)自動的均流達到平衡。同樣對于一個功率MOSFET器件，在其內(nèi)部也是有許多小晶胞并聯(lián)而成，晶胞的導通電阻具有正的溫度系數(shù)，因此并聯(lián)工作沒有問題。但是，當深入理解功率MOSFET的傳輸特性和溫度對其傳輸特性的影響，以及各個晶胞單元等效電路模型，就會發(fā)現(xiàn)，上述的理論只有在MOSFET進入穩(wěn)態(tài)導通的狀態(tài)下才能成立，而在
  • 關鍵字： MOSFET  RDS  ON  溫度系數(shù)    

Vishay推出業(yè)界最小的芯片級MOSFET

  • 　　日前，Vishay宣布推出兩款MICRO FOOT功率MOSFET --- Si8461DB和Si8465DB，最大尺寸為1mm x 1 mm x 0.548mm，是迄今為止業(yè)界最小的芯片級功率MOSFET。 　　在種類繁多的便攜式設備中，20V的P溝道Si8461DB和Si8465DB可用于負載開關、電池開關和充電開關應用。器件的小尺寸和薄厚度有助于減少電源管理電路所占用的空間，以及/或是實現(xiàn)更多的功能。與市場上尺寸與之最接近的芯片級功率MOSFET相比，1mm x 1mm x 0.548mm的M
  • 關鍵字： Vishay  MOSFET  Si8461DB  Si8465DB  

安森美推出24款新的30伏、N溝道溝槽MOSFET

  • 　　全球領先的高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor)推出24款新的30伏(V)、N溝道溝槽(Trench)金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。這些MOSFET采用DPAK、SO-8FL、µ8FL及SOIC-8封裝， 為計算機和游戲機應用中的同步降壓轉(zhuǎn)換器提供更高的開關性能。 　　新系列的MOSFET利用安森美半導體獲市場驗證的溝槽技術，提供優(yōu)異的導通阻抗[RDS(on)]及更高的開關性能，用于個人計算機(PC)、服務器、游戲機、處理器穩(wěn)壓電源
  • 關鍵字： 安森美  MOSFET  溝槽  同步降壓轉(zhuǎn)換器  

理解功率MOSFET的開關損耗

  • 本文詳細分析計算開關損耗，并論述實際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關斷的過程，從而使電子工程師知道哪個參數(shù)起主導作用并更加深入理解MOSFET。

  • 關鍵字： MOSFET  開關損耗    

MOSFET管并聯(lián)應用時電流分配不均問題探究

  • 1 引言
    MOSFET管的導通電阻具有正的溫度特性，可自動調(diào)節(jié)電流，因而易于并聯(lián)應用。但由于器件自身參數(shù)(柵極電路參數(shù)及漏源極電路參數(shù)不一致)原因，并聯(lián)應用功率MOSFET管會產(chǎn)生電流分配不均的問題，關于此問題，
  • 關鍵字： 不均  問題  探究  分配  電流  管并聯(lián)  應用  MOSFET  

采用射頻功率MOSFET設計功率放大器

  • 1. 引言
    　本文設計的50MHz/250W 功率放大器采用美國APT公司生產(chǎn)的推挽式射頻功率MOSFET管ARF448A/B進行設計。APT公司在其生產(chǎn)的射頻功率MOSFET的內(nèi)部結(jié)構和封裝形式上都進行了優(yōu)化設計，使之更適用于射頻功率放大器
  • 關鍵字： MOSFET  射頻功率  功率放大器    

即將普及的碳化硅器件

  • 　　隨綠色經(jīng)濟的興起，節(jié)能降耗已成潮流。在現(xiàn)代化生活中，人們已離不開電能。為解決“地球變暖”問題，電能消耗約占人類總耗能的七成，提高電力利用效率被提至重要地位。 　　據(jù)統(tǒng)計，60%至70%的電能是在低能耗系統(tǒng)中使用的，而其中絕大多數(shù)是消耗于電力變換和電力驅(qū)動。在提高電力利用效率中起關鍵作用的是功率器件，也稱電力電子器件。如何降低功率器件的能耗已成為全球性的重要課題。 　　在這種情況下，性能遠優(yōu)于普遍使用的硅器件的碳化硅(SiC)器件受到人們青睞。SiC器件耐高溫(工作溫度和環(huán)境
  • 關鍵字： 豐田  SiC  碳化硅  MOSFET  200910  

MOSFET市場快速發(fā)展，本土企業(yè)見起色

  • 　　全球節(jié)能環(huán)保意識高漲使得高效、節(jié)能產(chǎn)品成為市場發(fā)展的主流趨勢。相應地，電源|穩(wěn)壓器管理IC、MOSFET芯片等功率器件也被越來越多的應用到整機電子產(chǎn)品中。在功率器件產(chǎn)品中，MOSFET的市場需求增長最快。據(jù)分析機構數(shù)據(jù)顯示，盡管受全球金融危機影響， 2008年，中國MOSFET市場需求量為198.2億個，仍比2007年增長了11.9%。 　　在應用方面，目前消費電子已成為MOSFET最大的應用市場，這主要得益于MOSFET在便攜式產(chǎn)品、LCD TV等消費電子產(chǎn)品中的廣泛應用。其次，是計算機、工業(yè)控制
  • 關鍵字： Fairchild  MOSFET  穩(wěn)壓器  

探討采用綠色塑料封裝的功率MOSFET性能

  • 引言歐盟部長理事會已經(jīng)執(zhí)行RoHS指令(在電子電氣設備中限制使用某些有毒有害物質(zhì)指令)以及WEEE指...
  • 關鍵字： MOSFET  綠色  塑料封裝  

IR推出適用于汽車柵極驅(qū)動應用的器件AUIRS2016S

  • 　　全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出AUIRS2016S 器件，適用于汽車柵極驅(qū)動應用，包括通用噴軌、柴油和汽油直噴應用，以及螺線管驅(qū)動器。 　　AUIRS2016S是一款高電壓功率MOSFET高側(cè)驅(qū)動器，具有內(nèi)部電壓尖峰對地 (Vs-to-GND) 充電 NMOS。這款器件的輸出驅(qū)動器配備一個250mA高脈沖電流緩沖級。相關溝道能夠在高側(cè)配置中驅(qū)動一個N溝道功率MOSFET，可在高于地電壓達150V的條
  • 關鍵字： IR  MOSFET  驅(qū)動器  AUIRS2016S  

飛兆推出RDS(ON) 低于1 mOhm的30V MOSFET器件

  • 　　飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 為服務器、刀片式服務器和路由器的設計人員帶來業(yè)界首款RDS(ON) 低于1 mOhm的30V MOSFET器件，采用Power 56封裝，型號為 FDMS7650。FDMS7650 可以用作負載開關或ORing FET，為服務器中心 (server farm) 在許多電源并行安排的情況下提供分擔負載功能。FET的連續(xù)導通特性，可降低功耗和提高效率，以提升服務器中心的總體效率。FDMS7650 是首款采用 Power56 封裝以突破1
  • 關鍵字： Fairchild  MOSFET  FDMS7650  

Fairchild推出新一代超級結(jié)MOSFET-SupreMOS

  • 　　飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor)為電源、照明、顯示和工業(yè)應用的設計人員帶來SupreMOS?新一代600V超級結(jié)MOSFET系列產(chǎn)品。包括具有165mΩ最大阻抗的 FCP22N60N、FCPF22N60NT 和 FCA22N60N，以及具有199mΩ最大阻抗的FCP16N60N和FCPF16N60NT。SupreMOS?系列器件兼具低RDS (ON) 和低總柵極電荷，相比飛兆半導體的600V SuperFET&trade
  • 關鍵字： Fairchild  MOSFET  SupreMOS  SuperFET  

FPGA助工業(yè)電機節(jié)能增效

  • 　　在美國，工業(yè)應用領域AC電機所用的電能占全國的2/3以上。在許多應用中，AC電機或被關斷或以全速運作，而通過為電機添加變速控制功能，就能夠在標準開啟/關斷控制下實現(xiàn)顯著節(jié)能。用混合信號FPGA來實現(xiàn)高效率AC電機控制系統(tǒng)，可大幅降低電機的功耗。 　　電機無處不在 　　今天，電機用于各類應用中，然而，很少有人意識到電機在使用中對環(huán)境帶來怎樣的影響。專家估計，在美國，電機所消耗的電能約占總發(fā)電量的50%。從全球范圍看，AC電機功耗占工業(yè)應用的70%，占商業(yè)應用電能的45%，占住宅應用電能的42%。
  • 關鍵字： FPGA  PWM  MOSFET  

IR推出基準工業(yè)級30V MOSFET

  • 　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列獲得工業(yè)認證的30V TO-220 HEXFET功率MOSFET，為不間斷電源 (UPS) 逆變器、低壓電動工具、ORing應用和網(wǎng)絡通信及和服務器電源等應用提供非常低的柵極電荷 (Qg) 。 　　這些堅固耐用的MOSFET采用IR最新一代的溝道技術，并且通過非常低的導通電阻 (RDS(on)) 來減少散熱。此外，新器件的超低柵極電荷有助于延長不間斷電源逆變器或電動工具的電池壽命。 　　IR亞洲區(qū)銷售副總裁
  • 關鍵字： IR  MOSFET  UPS  溝道  

Fairchild推出WL-CSP封裝20V P溝道MOSFET

  • 　　飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)宣布推出1mm x 1mm WL-CSP封裝20V P溝道MOSFET器件FDZ371PZ，該器件設計采用飛兆半導體的專有PowerTrench® 工藝 技術，為手機、醫(yī)療、便攜和消費應用設計人員帶來業(yè)界最低RDS(ON) 值(-4.5V下為75m?) ，能夠最大限度地減小傳導損耗。通過降低損耗，F(xiàn)DZ371PZ能夠提高便攜設計的效率，并延長電池壽命。FDZ371PZ還可提供4.4kV的穩(wěn)健ESD保護功能，以保護器件免受ESD事件
  • 關鍵字： Fairchild  MOSFET  PowerTrench  FDZ371PZ  
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