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D類放大器：低功耗高效率推動大規(guī)模普及

  • 　　D類放大器的應(yīng)用范圍非常廣泛，隨著技術(shù)的成熟，目前已進(jìn)入大規(guī)模普及階段。針對其在器件成本、EMI等方面的問題，業(yè)內(nèi)企業(yè)也提出了多種解決方案。 　　D類放大器技術(shù)是三四年前被業(yè)內(nèi)熱議的新技術(shù)，目前它已進(jìn)入大規(guī)模普及階段。業(yè)界正在積極解決應(yīng)用普及過程中的問題，如EMI(電磁干擾)、成本和效率等。與此同時，集成技術(shù)也是一個不容忽視的趨勢。 　　轉(zhuǎn)入大規(guī)模普及階段 　　三四年前，D類放大器在業(yè)界掀起了一個新技術(shù)的小高潮。D類放大器采用脈沖調(diào)制方式將輸入信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字脈沖，由MOSFET進(jìn)行放大，再通過低
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集成式上網(wǎng)本電源解決方案成研發(fā)熱點(diǎn)

  • 　　上網(wǎng)本是筆記本電腦的派生產(chǎn)品，目前上網(wǎng)本的功率需求與筆記本電腦相似。由于需要使用多單元鋰離子電池，因而需要具有寬輸入電壓范圍的降壓轉(zhuǎn)換器來驅(qū)動內(nèi)核、存儲器、外設(shè)或通用系統(tǒng)組件。另外也可選擇使用低壓降(LDO)調(diào)節(jié)器。 　　大多數(shù)MID和智能手機(jī)使用各種功率管理單元(PMU)來實(shí)現(xiàn)功率管理，而這源于它們的低功耗需求。過去一年來，上網(wǎng)本市場經(jīng)歷了前所未有的增長，供應(yīng)商正在積極開發(fā)用于上網(wǎng)本的集成式電源解決方案，2008年大多數(shù)上網(wǎng)本電腦電源采用了分立式解決方案，然而今年我們預(yù)計將轉(zhuǎn)向包含有控制器+MOS
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集成電源管理滿足上網(wǎng)本小型化需求

  • 　　上網(wǎng)本的電源管理分為以下幾部分：電源適配器、電池充電和管理、CPU供電、系統(tǒng)供電、I/O和顯卡供電、顯示背光供電、DDR存儲器供電。MPS針對上網(wǎng)本對電源小型化和輕載高效的要求，發(fā)展了擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的一系列電路控制策略、半導(dǎo)體集成工藝以及封裝技術(shù)。 　　MPS的DC/DC變換器，將電源控制器、驅(qū)動和MOSFET完全集成在一個芯片中。和大多數(shù)競爭對手所采用的多芯片封裝不同，MPS是將這些部分完全集成在一個硅片上，這極大地降低了傳統(tǒng)分立元件所帶來的寄生參數(shù)影響，從而提高變換器的效率和開關(guān)頻率，減小電容
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英飛凌再度稱雄功率電子市場

  • 　　英飛凌科技股份公司在功率電子半導(dǎo)體分立器件和模塊領(lǐng)域連續(xù)第六年穩(wěn)居全球第一的寶座。據(jù)IMS Research公司2009年發(fā)布的《功率半導(dǎo)體分立器件和模塊全球市場》報告稱，2008年，此類器件的全球市場增長了1.5%，增至139.6億美元(2007年為137.6億美元)，而英飛凌的增長率高達(dá)7.8%?，F(xiàn)在，英飛凌在該市場上占據(jù)了10.2%的份額，其最接近的競爭對手份額為6.8%。在歐洲、中東和非洲地區(qū)以及美洲，英飛凌也繼續(xù)獨(dú)占鰲頭，分別占據(jù)了22.8%和11.2%的市場份額。 　　隨著汽車、消費(fèi)和工
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IR推出150V和200V MOSFET

  • 　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET，為開關(guān)模式電源 (SMPS) 、不斷電系統(tǒng) (UPS)、反相器和DC馬達(dá)驅(qū)動器等工業(yè)應(yīng)用提供極低的閘電荷 (Qg)。 　　與其它競爭器件相比，IR 150V MOSFET提供的總閘電荷降低了高達(dá)59%。至于新款200V MOSFET的閘電荷，則比競爭器件的降低了多達(dá)33%。 　　IR亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“隨著DC-DC功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用技術(shù)的日
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Diodes 推出適合LCD背光應(yīng)用的新型MOSFET 器件

  • 　　Diodes 公司進(jìn)一步擴(kuò)展其多元化的MOSFET 產(chǎn)品系列，推出15款針對 LCD 電視和顯示器背光應(yīng)用的新型器件。新器件采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的TO252和SO8 封裝，具有高功率處理和快速開關(guān)功能，可滿足高效CCFL驅(qū)動器架構(gòu)的要求。 　　Diodes 亞太區(qū)技術(shù)市場總監(jiān)梁后權(quán)表示：“30V 額定雙N溝道DMN3024LSD 采用SO8 封裝，適用于推挽式逆變器，可比分立式元件節(jié)省更多的空間。對于需要一對互補(bǔ)器件的全橋和半橋拓?fù)?，DMC3028LSD 可提供集成的高性能N 和 P 溝道 MO
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IR 推出IRF6718 DirectFET MOSFET

  • 　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出IRF6718 DirectFET MOSFET。這款新型25V器件提供業(yè)界最低的通態(tài)電阻 (RDS(on))，并且使動態(tài)ORing、熱插拔及電子保險絲等DC開關(guān)應(yīng)用達(dá)到最佳效果。 　　IRF6718在新款大罐式DirectFET封裝中融入了IR新一代硅技術(shù)，提供極低的通態(tài)電阻(在10V Vgs時典型為0.5mΩ)，同時比D2PAK的占位面積縮小60%，高度縮小85%。新器件大幅減少了有關(guān)旁路元件的傳導(dǎo)
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飛兆半導(dǎo)體推出一款單一P溝道MOSFET器件

  • 　　飛兆半導(dǎo)體公司 (Farichild Semiconductor)為智能電話、手機(jī)、上網(wǎng)本、醫(yī)療和其它便攜式應(yīng)用的設(shè)計人員帶來一款單一P溝道MOSFET器件FDZ197PZ，能夠?qū)崿F(xiàn)更高的效率水平和更小的外形尺寸。FDZ197PZ在VGS= 4.5V時提供64mOhm之RDS(ON) 值，較同類解決方案低15%，且占位面積僅為1mm x 1.5 mm，在提高效率之余，同時減少了電路板空間需求。該器件采用WL-CSP封裝，比占位面積相似的傳統(tǒng)塑料封裝MOSFET具有更佳功耗和傳導(dǎo)損耗特性。FDZ197P
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ST公布今年第二季度及上半年財報

  • 　　意法半導(dǎo)體(紐約證券交易所代碼：STM)公布截至2009年6月27日的第二季度及上半年的財務(wù)報告。 　　意法半導(dǎo)體2009年第2季度收入總計19.93億美元，包含被ST-Ericsson合并的前愛立信移動平臺的全部業(yè)務(wù)，和1800萬美元的技術(shù)授權(quán)費(fèi)。凈收入環(huán)比增幅20%，反映了意法半導(dǎo)體所在的所有市場以及全部地區(qū)的需求回暖，特別是中國和亞太地區(qū)的需求增長強(qiáng)勁。因為商業(yè)大環(huán)境的原因，在所有市場以及各地區(qū)第2季度的凈收入低于去年同期水平，但電信市場和亞太地區(qū)的表現(xiàn)則例外。 　　總裁兼首席執(zhí)行官 Car
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半導(dǎo)體C-V測量基礎(chǔ)

  • 　　通用測試 　　電容-電壓(C-V)測試廣泛用于測量半導(dǎo)體參數(shù)，尤其是MOSCAP和MOSFET結(jié)構(gòu)。此外，利用C-V測量還可以對其他類型的半導(dǎo)體器件和工藝進(jìn)行特征分析，包括雙極結(jié)型晶體管(BJT)、JFET、III-V族化合物器件、光伏電池、MEMS器件、有機(jī)TFT顯示器、光電二極管、碳納米管(CNT)和多種其他半導(dǎo)體器件。 　　這類測量的基本特征非常適用于各種應(yīng)用和培訓(xùn)。大學(xué)的研究實(shí)驗室和半導(dǎo)體廠商利用這類測量評測新材料、新工藝、新器件和新電路。C-V測量對于產(chǎn)品和良率增強(qiáng)工程師也是極其重要的，
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Linear 推出同步降壓型 DC/DC 控制器

  • 　　凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出低靜態(tài)電流、兩相雙路輸出同步降壓型 DC/DC 控制器 LTC3858/-1。該器件在一個輸出有效時僅消耗 170uA 電流，而兩個輸出都有效時消耗 300uA。兩個輸出都關(guān)斷時，LTC3858/-1 僅消耗 8uA，非常適用于汽車和筆記本電腦應(yīng)用。LTC3858/-1 的 4V 至 38V 寬輸入電源范圍能夠針對負(fù)載突降和冷車發(fā)動情況所常見的汽車寬輸入電壓瞬變提供保護(hù)作用，并涵蓋多種電池化學(xué)組成。輸出電流高達(dá) 20A
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NXP推出N通道、1毫歐以下25V MOSFET產(chǎn)品

  • 　　恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors，由飛利浦創(chuàng)立的獨(dú)立半導(dǎo)體公司)今日宣布推出全球首款N通道、1毫歐以下25V MOSFET產(chǎn)品，型號為PSMN1R2-25YL，它擁有最低的導(dǎo)通電阻RDSon以及一流的FOM 參數(shù)。該產(chǎn)品是迄今為止采用Power-SO8封裝(無損耗封裝：LFPAK)中擁有最低導(dǎo)通電阻RDSon的MOSFET，也是恩智浦現(xiàn)有MOSFET系列的延伸。最新一代MOSFET器件集高性能Power-S08 LFPAK封裝與最新Trench 6硅技術(shù)于一體，可在各種嚴(yán)苛應(yīng)用條件下
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Fairchild推出雙MOSFET解決方案FDMC8200

  • 　　飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 為設(shè)計人員帶來業(yè)界領(lǐng)先的雙MOSFET解決方案FDMC8200，可為筆記本電腦、上網(wǎng)本、服務(wù)器、電信和其它 DC-DC 設(shè)計提供更高的效率和功率密度。該器件在3mm x 3mm MLP模塊中集成了經(jīng)優(yōu)化的控制 (高側(cè)) 和同步 (低側(cè)) 30V N溝道MOSFET，二者均使用的專用先進(jìn)高性能PowerTrench® 7 MOSFET技術(shù)，提供出色的低RDS(ON)、總體柵極電荷(QG)和米勒電荷 (QGD)，這些性能最大限度地
  • 關(guān)鍵字： Fairchild  MOSFET  PowerTrench  FDMC8200  

Diodes公司推出新型ZXMC10A816器件

  • 　　Diodes公司推出新型ZXMC10A816器件，它采用SO8封裝，包含一對互補(bǔ)100V增強(qiáng)式MOSFET，性能可媲美體積更大的獨(dú)立封裝器件。ZXMC10A816適用于H橋電路，應(yīng)用范圍包括直流風(fēng)扇和逆變器電路、D類放大器輸出級以及其他多種48V應(yīng)用。 　　Diodes 亞太區(qū)技術(shù)市場總監(jiān)梁后權(quán)指出：“這個N通道和P通道組合的MOSFET能夠代替采用SOT223及DPak (TO252) 封裝的同等器件，有助減省電路板空間及元件數(shù)目，同時簡化柵極驅(qū)動電路設(shè)計。比方說，SO8充分發(fā)揮了
  • 關(guān)鍵字： Diodes  MOSFET  ZXMC10A816  

Diodes推出新型MOSFET 半橋器件

  • 　　Diodes 公司推出四款半橋MOSFET 封裝，為空間受限的應(yīng)用減少了元件數(shù)量和PCB尺寸，極大地簡化了直流風(fēng)扇和 CCFL 逆變器電路設(shè)計。 　　Diodes 亞太區(qū)技術(shù)市場總監(jiān)梁后權(quán)指出：“ZXMHC 元件為SO8封裝，包含兩對互補(bǔ)N型和P型MOSFET，可取代四個分立式SOT23封裝的MOSFET或兩個SO8 互補(bǔ)MOSFET 封裝。對于現(xiàn)有不同類型的電機(jī)或其它感性負(fù)載驅(qū)動裝置來說，這意味著可節(jié)省至少一半的PCB占板面積，同時大幅降低整體存貨成本?！? 　　ZXM
  • 關(guān)鍵字： Diodes  MOSFET  半橋器件  ZXMHC  SO8  
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