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安森美半導體推出高壓MOSFET系列
- 應用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體擴充公司市場領(lǐng)先的功率開關(guān)產(chǎn)品陣容,推出包括500伏特(V)和600 V器件的高壓功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)系列。這些新方案的設計適合功率因數(shù)校正(PFC)和脈寬調(diào)制(PWM)段等高壓、節(jié)能應用的強固要求,在這些應用中,加快導通時間及降低動態(tài)功率損耗至關(guān)重要。具體而言,這些方案非常適合用于游戲機、打印機和筆記本電源適配器,及應用于ATX電源、液晶顯示器(LCD)面板電源和工業(yè)照明鎮(zhèn)流器。 這些新的500 V和60
- 關(guān)鍵字: 安森美 MOSFET 功率開關(guān)
NXP 推出全新60 V和100 V晶體管
- 恩智浦半導體(NXP Semiconductors)今天宣布推出全新60 V和100 V晶體管,擴充Trench 6 MOSFET產(chǎn)品線。新產(chǎn)品采用Power SO-8LFPAK封裝,支持60 V和100 V兩種工作電壓。Trench 6芯片技術(shù)和高性能LFPAK封裝工藝的整合賦予新產(chǎn)品出色的性能和可靠性,為客戶提供眾多實用價值。 LFPAK是一種“真正”意義上的功率封裝,通過優(yōu)化設計實現(xiàn)最佳熱/電性能、成本優(yōu)勢和可靠性。LFPAK是汽車行業(yè)標準AEC-Q101唯一認可的
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利用智能MOSFET驅(qū)動器提升數(shù)字控制電源性能
- 在電源系統(tǒng)中,MOSFET驅(qū)動器一般僅用于將PWM控制IC的輸出信號轉(zhuǎn)換為高速的大電流信號,以便以最快的速度打開和關(guān)閉MOSFET。由于驅(qū)動器IC與MOSFET的位置相鄰,所以就需要增加智能保護功能以增強電源的可靠性。 UC
- 關(guān)鍵字: MOSFET 驅(qū)動器 數(shù)字控制電源 性能
安森美半導體擴充N溝道功率MOSFET系列
- 應用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體擴充N溝道功率MOSFET系列,新增12款100伏(V)器件。安森美半導體經(jīng)過完備測試的N溝道功率MOSFET提供高達500毫焦(mJ)的業(yè)界領(lǐng)先雪崩額定值,非常適用于要顧慮因非鉗位電感型負載引致過渡電壓應力的設計。 安森美半導體這些100 V功率MOSFET器件的典型應用包括工業(yè)電機控制、電源、不間斷電源(UPS)中的電源逆變器,以及汽車中的直接燃氣噴射(DGI)。這些無鉛器件,符合RoHS指令,關(guān)鍵的規(guī)范特性包括:
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Maxim推出用于高壓系統(tǒng)的高邊MOSFET驅(qū)動器
- Maxim推出用于高壓系統(tǒng)的高邊MOSFET驅(qū)動器MAX15054。該器件能夠為需要采用降壓或升降壓拓撲結(jié)構(gòu)、但不帶必需的高邊MOSFET驅(qū)動器的HB (高亮度) LED設計提供低成本方案。MAX15054在單串和多串LED驅(qū)動器中通過使用降壓以及單電感升降壓拓撲結(jié)構(gòu),并將地電位作為輸出電壓的參考點,從而使設計人員避免了采用SEPIC結(jié)構(gòu)帶來的成本和設計復雜度。 MAX15054可提供2A驅(qū)動電流,具有極低(12ns,典型值)的傳輸延時和較短的上升、下降時間。器件的雙UVLO (欠壓鎖定)功能保
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Linear 推出高速同步 MOSFET 驅(qū)動器 LTC4449
- 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速同步 MOSFET 驅(qū)動器 LTC4449,該器件為在同步整流轉(zhuǎn)換器拓撲中驅(qū)動高端和低端 N 溝道功率 MOSFET 而設計。這個驅(qū)動器結(jié)合凌力爾特公司的 DC/DC 控制器和功率 FET 可形成一個完整的高效率同步穩(wěn)壓器,該穩(wěn)壓器可用作降壓型或升壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。 LTC4449 在 4V 至 6.5V 范圍內(nèi)驅(qū)動高端和低端 MOSFET 柵極,以高達 38V 的電源電壓工作。這個強大的驅(qū)動器可以吸收
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RS添加超過900種飛兆半導體裝置
- RS Components于今日宣布,增加飛兆半導體900種新裝置,飛兆是全球領(lǐng)先節(jié)能半導體技術(shù)供應商。RS目前擁有最先進、最全面的飛兆電源產(chǎn)品系列,均可從庫存直接發(fā)貨至廣大設計工程師。 新添加的電源IC家族包括飛兆獲得大獎的直流直流控制器,融合了領(lǐng)先行業(yè)的便攜式裝置高功率、高性能、功率密度和規(guī)格等特點。RS推出的飛兆系列也包括Intellimax™負荷開關(guān)和MOSFET、高性能光耦合器、二極管、IGBT、邏輯及接口產(chǎn)品。 飛兆的FAN2XXX和FAN5XXX直流直流控制器家族
- 關(guān)鍵字: RS 電源 IGBT MOSFET Intellimax
IR 推出適用于汽車的 DirectFET 2 功率 MOSFET
- 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 今天推出適用于汽車的 AUIRF7739L2 和 AUIRF7665S2 DirectFET®2 功率 MOSFET。這兩款產(chǎn)品以堅固可靠、符合AEC-Q101標準的封裝為汽車應用實現(xiàn)了卓越的功率密度、雙面冷卻和極小的寄生電感和電阻。 IR 的這些首款汽車用 DirecFET2 件完全不含鉛,與傳統(tǒng)標準塑料封裝元件相比,可降低整體系統(tǒng)級尺寸和成本,實現(xiàn)更優(yōu)異的性能和效率。 IR 亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉
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英飛凌推出200V和250V OptiMOS系列器件
- 英飛凌科技股份公司近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件,進一步擴大OptiMOSTM產(chǎn)品陣容。全新200V和250V器件適用于48V系統(tǒng)、DC/DC變換器、不間斷電源(UPS)和直流電機驅(qū)動。憑借同類器件中最低的優(yōu)質(zhì)化系數(shù)(FOM),OptiMOS 200V和250V技術(shù)可使系統(tǒng)設計的導通損耗降低一半。 對于應用二極管整流的48V開關(guān)電源而言,工程師們現(xiàn)在有了全新的選擇,從而使得整體效率大于95%。這比當前典型的效率水平高出兩個百分點,從功率損耗的角度看,也就是發(fā)熱量降
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晶圓廠產(chǎn)能不足 MOSFET供貨警報響
- 臺晶圓代工廠產(chǎn)能供應失序情形,近期已逐漸從8寸晶圓向下蔓延到5寸及6寸晶圓,包括LCD驅(qū)動IC及電源管理IC紛向下?lián)寠Z5寸、6寸晶圓產(chǎn)能動作,讓許久未傳出缺貨的金屬氧化物半導體場效晶體管(MOSFET)亦出現(xiàn)客戶一直緊急追單,MOSFET市場明顯供不應求現(xiàn)象,對臺系相關(guān)供應商如富鼎、尼克森及茂達2010年第1季營收表現(xiàn),將有顯著貢獻。 臺系MOSFET供應商指出,近期合作的5寸、6寸晶圓廠內(nèi)部產(chǎn)能利用率直線拉升,影響所及,盡管公司緊急向晶圓廠加單,不過,由于加單動作明顯落后其它業(yè)者,未來3個月可
- 關(guān)鍵字: 晶圓代工 電源管理 MOSFET
TI 推出面向高電流 DC/DC 應用的功率MOSFET
- 日前,德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應用推出業(yè)界第一個通過封裝頂部散熱的標準尺寸功率 MOSFET 產(chǎn)品系列。相對其它標準尺寸封裝的產(chǎn)品,DualCool™ NexFET™ 功率 MOSFET 有助于縮小終端設備的尺寸,同時還可將MOSFET允許的電流提高 50%,并改進散熱管理。 該系列包含的 5 款 NexFET 器件支持計算機與電信系統(tǒng)設計人員使用具有擴充內(nèi)存及更高電流的處理器,同時顯著節(jié)省板級空間。這些采用高級封裝的 MOSFET 可廣泛用于
- 關(guān)鍵字: TI MOSFET DualCool NexFET
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