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Vishay推出12V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款12V P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- SiB455EDK。該器件采用熱增強(qiáng)的PowerPAK® SC-75封裝,占位面積為1.6mm x 1.6mm,具有業(yè)內(nèi)P溝道器件最低的導(dǎo)通電阻。   SiB455EDK是采用第三代TrenchFET P溝道技術(shù)的最新產(chǎn)品,使用了自對(duì)準(zhǔn)工藝技術(shù),在每平方英寸的硅片上裝入了10億個(gè)晶體管單元。這種最先進(jìn)的技術(shù)實(shí)現(xiàn)了超精細(xì)、亞微米的節(jié)距工藝,將業(yè)內(nèi)
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Vishay Siliconix推出業(yè)界最小的60V 功率MOSFET

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用SOT-923封裝的60V N溝道功率MOSFET --- SiM400。該器件為業(yè)界最小的60V功率MOSFET,比SC-70和SC-90等封裝能節(jié)約更多的空間。   SiM400是迄今為止最小的60V功率MOSFET,其SOT-923封裝的尺寸為1mm x 0.6mm,最大厚度僅有0.43mm。器件的占位尺寸比SC-89小77%,厚度則薄了26%。   在VGS為10V、4.5V和3.5V的情況下,新器件的導(dǎo)通電阻分別
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英飛凌和飛兆半導(dǎo)體達(dá)成侵權(quán)訴訟和解協(xié)議

  •   英飛凌科技股份公司今天宣布,公司與飛兆半導(dǎo)體公司之間的專利侵權(quán)訴訟已達(dá)成和解。2008年11月,英飛凌向美國(guó)特拉華州地方法院提起訴訟。本訴和反訴標(biāo)的包括與超結(jié)功率晶體管以及溝槽式功率 MOSFET和IGBT功率晶體管有關(guān)的14項(xiàng)專利。   通過(guò)廣泛的半導(dǎo)體技術(shù)專利交叉許可,雙方就上述訴訟達(dá)成和解。根據(jù)和解協(xié)議,飛兆半導(dǎo)體將向英飛凌支付許可費(fèi),但協(xié)議的具體條款和條件保密。   英飛凌和飛兆半導(dǎo)體將通知美國(guó)特拉華州地方法院,雙方已經(jīng)達(dá)成和解,并將申請(qǐng)撤訴。   作為半導(dǎo)體行業(yè)的全球領(lǐng)袖,英飛凌目前正
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MOSFET與MOSFET驅(qū)動(dòng)電路原理及應(yīng)用

  •   下面是我對(duì)MOSFET及MOSFET驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)的一點(diǎn)總結(jié),其中參考了一些資料,非全部原創(chuàng)。包括MOS管的介紹,特性,驅(qū)動(dòng)以及應(yīng)用電路?!≡谑褂肕OS管設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候,大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電
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IGBT核心技術(shù)及人才缺失 工藝技術(shù)缺乏

  •   新型電力半導(dǎo)體器件的代表,IGBT的產(chǎn)業(yè)化在我國(guó)還屬空白。無(wú)論技術(shù)、設(shè)備還是人才,我國(guó)都處于全方位的落后狀態(tài)。應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到,電力半導(dǎo)體器件和集成電路在國(guó)民經(jīng)濟(jì)發(fā)展中地位同樣重要,因此,政府應(yīng)該對(duì)IGBT產(chǎn)業(yè)予以大力扶持。   眾所周知,電力電子技術(shù)可以提高用電效率,改善用電質(zhì)量,是節(jié)省能源的王牌技術(shù)。當(dāng)今以絕緣柵雙極晶體管(IGBT)為代表的新型電力半導(dǎo)體器件是高頻電力電子線路和控制系統(tǒng)的核心開關(guān)元器件,它的性能參數(shù)將直接決定著電力電子系統(tǒng)的效率和可靠性。IGBT已成為新型電力半導(dǎo)體器件的代表性器件,
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短溝道MOSFET散粒噪聲測(cè)試方法研究

  • 近年來(lái)隨著介觀物理和納米電子學(xué)對(duì)散粒噪聲研究的不斷深入,人們發(fā)現(xiàn)散粒噪聲可以很好的表征納米器件內(nèi)部電子傳輸特性。由于宏觀電子元器件中也會(huì)有介觀或者納米尺度的結(jié)構(gòu),例如缺陷、小孔隙和晶粒等,因而也會(huì)
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安森美推出符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的自保護(hù)低端MOSFET驅(qū)動(dòng)IC

  •   安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ONNN)推出高度集成保護(hù)的NCV840x系列低端自保護(hù)MOSFET。這系列器件通過(guò)了AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證,非常適用于嚴(yán)格的汽車及工業(yè)工作環(huán)境中的開關(guān)應(yīng)用。   NCV8401、NCV8402、NCV8402D(雙裸片)、NCV8403及NCV8404的設(shè)計(jì)是為了提供強(qiáng)固及可靠的工作,這些器件全都有豐富的自保護(hù)特性,包括限溫及限流、靜電放電(ESD)保護(hù),以及用于過(guò)壓保護(hù)(OVP)的集成漏極至柵極鉗位。   安森美半導(dǎo)體汽車
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利用低端柵極驅(qū)動(dòng)器IC進(jìn)行系統(tǒng)開發(fā)

  • 利用低端柵極驅(qū)動(dòng)器IC可以簡(jiǎn)化開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì),但這些IC必須正確運(yùn)用才能充分發(fā)揮其潛力,以最大限度地減小電源尺寸和提高效率。如何根據(jù)額定電流和功能來(lái)選擇適當(dāng)?shù)尿?qū)動(dòng)器,驅(qū)動(dòng)器周圍需要哪些補(bǔ)償元件,以及如何確定熱性能等是設(shè)計(jì)時(shí)要注意的方面。
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D類MOSFT在發(fā)射機(jī)射頻功放中的應(yīng)用

能效需求催生功率器件應(yīng)用熱潮

  •   市場(chǎng)需求逐步恢復(fù)   ● 能效需求催生功率器件應(yīng)用熱潮   ● 擴(kuò)內(nèi)需政策為企業(yè)提供增長(zhǎng)空間   陳坤和   從2008年底到2009年初,所有電子產(chǎn)品的需求均有減少,功率半導(dǎo)體也不例外。我們認(rèn)識(shí)到,困難時(shí)期可能成為重新把公司塑造成一個(gè)更精簡(jiǎn)、更專注、更贏利企業(yè)的催化劑。由于各國(guó)政府的經(jīng)濟(jì)刺激措施紛紛把提升能效列為重點(diǎn)內(nèi)容,許多企業(yè)開始關(guān)注功率產(chǎn)品。在中國(guó),由于政府刺激消費(fèi)電子市場(chǎng),中國(guó)市場(chǎng)需求增長(zhǎng),推動(dòng)功率管理和其他半導(dǎo)體產(chǎn)品的需求開始復(fù)蘇。從長(zhǎng)期來(lái)看,功率半導(dǎo)體將與許多其他領(lǐng)域的半導(dǎo)體產(chǎn)品
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針對(duì)應(yīng)用選擇正確的MOSFET驅(qū)動(dòng)器

  • 現(xiàn)有的MOSFET技術(shù)和硅工藝種類繁多,這使得選擇合適的MOSFET驅(qū)動(dòng)器成了一個(gè)富有挑戰(zhàn)性的過(guò)程。
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Diodes推出為VoIP應(yīng)用優(yōu)化的全新MOSFET

  •   Diodes公司推出兩款N溝道MOSFET,為網(wǎng)絡(luò)電話 (VoIP) 通信設(shè)備的設(shè)計(jì)人員帶來(lái)一種更堅(jiān)固的解決方案,極大地降低了電路的復(fù)雜性和成本。   ZXMN15A27K及ZXMN20B28K經(jīng)過(guò)特別設(shè)計(jì),能滿足各種VoIP應(yīng)用中基于用戶線接口電路(SLIC)DC/DC轉(zhuǎn)換器對(duì)變壓器中初級(jí)開關(guān)位置的嚴(yán)格要求。這些應(yīng)用涵蓋寬帶語(yǔ)音系統(tǒng)、PBX系統(tǒng)、有線和DSL網(wǎng)關(guān)。   兩款新器件的擊穿電壓(BVDSS)分別為150V及200V,能夠承受SLIC環(huán)境下的高脈沖雪崩能量和通信模式,不需要額外的保護(hù)電
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MOSFET柵漏電流噪聲模型研究

  • CMOS器件的等比例縮小發(fā)展趨勢(shì),導(dǎo)致了柵等效氧化層厚度、柵長(zhǎng)度和柵面積都急劇減小。對(duì)于常規(guī)體MOSFET,當(dāng)氧化層厚度2 nm時(shí),大量載流子以不同機(jī)制通過(guò)柵介質(zhì)形成顯著的柵極漏電流。柵極漏電流不僅能產(chǎn)生
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功率半導(dǎo)體充當(dāng)節(jié)能先鋒 中國(guó)企業(yè)加快步伐

  •   過(guò)去,人們常把集成電路比作電子系統(tǒng)的大腦,而把功率半導(dǎo)體器件比作四肢,因?yàn)榧呻娐返淖饔檬墙邮芎吞幚硇畔?,而功率器件則根據(jù)這些信息指令產(chǎn)生控制功率,去驅(qū)動(dòng)相關(guān)電機(jī)進(jìn)行所需的工作。如今,新型功率半導(dǎo)體器件如MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)、IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)及功率集成電路應(yīng)用逐漸普及,其為信息系統(tǒng)提供電源的功能也越來(lái)越引人注目。功率半導(dǎo)體器件在電子系統(tǒng)中的地位已不僅限于“四肢”,而是為整個(gè)系統(tǒng)“供血”的“心臟&rdq
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Vishay Siliconix推出新款20V P溝道功率MOSFET

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)PowerPAK SC-70®封裝,具有迄今為止P溝道器件所能達(dá)到的最低導(dǎo)通電阻。新款SiA433EDJ是采用第三代TrenchFET® P溝道技術(shù)的最新器件,使用了自矯正的工藝技術(shù),在每平方英寸的硅片上裝進(jìn)了1億個(gè)晶體管。這種最先進(jìn)的技術(shù)實(shí)現(xiàn)了超精細(xì)、亞微米的間距工藝,將目前業(yè)界最好的P溝道MOSFET
  • 關(guān)鍵字: Vishay  MOSFET  SiA433EDJ  
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