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ST推出一款新的濾波和ESD保護(hù)二合一芯片

  •   消費(fèi)電子全球領(lǐng)先半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體推出一款新的濾波和ESD保護(hù)二合一芯片,新產(chǎn)品可以濾除手機(jī)產(chǎn)生的高頻干擾,讓便攜音樂播放器和功能手機(jī)輸出更為優(yōu)異的音質(zhì)。   意法半導(dǎo)體的這款新器件是銷售量日益增長的音樂手機(jī)的理想選擇。市場調(diào)查公司iSuppli預(yù)測,到2010年,音樂手機(jī)的年銷售量將超過10億臺,占整個(gè)手機(jī)市場份額的90%以上。這款新器件還可以保護(hù)其它便攜音樂播放器,防止附近的手機(jī)產(chǎn)生的電磁干擾。   新器件EMIF04-EAR02M8的尺寸為1.5 x 1.7mm,可以替代音樂播放器的
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高性能的便攜應(yīng)用ESD保護(hù)方案

  •   隨著手機(jī)等便攜設(shè)備中具備更多的功能,可供靜電放電(ESD)電壓進(jìn)入的潛在輸入輸出(I/O)通道更趨眾多,包括鍵盤、按鍵、SIM卡、電池充電、USB接口、FM天線、LCD顯示屏、耳機(jī)插孔、FM天線等眾多位置都需要ESD保護(hù)。根據(jù)電容及數(shù)據(jù)率的不同,便攜設(shè)備的ESD保護(hù)應(yīng)用領(lǐng)域可分為大功率、高速和極高速等三個(gè)類型,其電容分別為大于30 pF、介于1至30 pF之間和小于1 pF,參見表1。由此表中可見,速度越高的應(yīng)用要求的電容也越低,這是因?yàn)楦咚賾?yīng)用中更需要維持信號完整性及降低插入損耗。   表1:便攜
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安森美半導(dǎo)體推出兩款靜電放電保護(hù)器件

  •   全球領(lǐng)先的高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體推出兩款采用最新的超小型0201雙硅片無引腳(Dual Silicon No-Lead ,DSN-2)封裝的靜電放電(ESD)保護(hù)器件。這DSN型封裝尺寸僅為 0.6 mm x 0.3 mm x 0.3 mm,令工作的硅片百分之百地利用封裝面積,與采用塑模封裝的產(chǎn)品相比,提供顯著的性能/電路板面積比優(yōu)勢。   安森美半導(dǎo)體采用這新型封裝的首批產(chǎn)品是ESD11N5.0ST5G和ESD11B5.0ST5G,擴(kuò)展了公司高性能片外ESD保護(hù)產(chǎn)品系列。安森美
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飛思卡爾系統(tǒng)基礎(chǔ)芯片簡化并幫助保護(hù)汽車網(wǎng)絡(luò)

  •   LIN(Local Interconnect Network)是基于通用異步收發(fā)器(UART)的串行通信協(xié)議作為一種低成本的串行通訊網(wǎng)絡(luò),用于實(shí)現(xiàn)汽車中的分布式電子系統(tǒng)控制,LIN為現(xiàn)有汽車網(wǎng)絡(luò)(例如CAN總線)提供輔助功能,LIN網(wǎng)絡(luò)為電機(jī)、開關(guān)、傳感器和燈的連接提供了經(jīng)濟(jì)高效的單線主從架構(gòu)。   為了保護(hù)運(yùn)行在惡劣環(huán)境中的汽車電子組件,飛思卡爾半導(dǎo)體近日推出了先進(jìn)系統(tǒng)基礎(chǔ)芯片(SBC)系列,旨在為LIN汽車網(wǎng)絡(luò)提供強(qiáng)勁的電磁兼容性(EMC)和靜電放電(ESD)性能。   針對汽車電子應(yīng)用市場對
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安森美推出共模扼流圈及靜電放電(ESD)保護(hù)IC

  •   安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出業(yè)界首款共模扼流圈及靜電放電(ESD)保護(hù)集成電路(IC) ,應(yīng)用于高速數(shù)據(jù)線路。   新的NUC2401MN結(jié)合了高帶寬差分濾波、固體共模停止帶寬衰減及世界級ESD保護(hù)。這些結(jié)合的特性,使這方案遠(yuǎn)優(yōu)于典型的電磁干擾(EMI)濾波器及分立可選方案,同時(shí)有助顯著減少元件數(shù)量。這器件讓設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的濾波及保護(hù)性能,且節(jié)省空間及成本,并提高總體可靠性,非常適用于基于高速差分?jǐn)?shù)據(jù)線路的廣泛應(yīng)用,包括USB 2.0、IEEE1394、低壓差分信令(L
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技術(shù)降成本 創(chuàng)新求發(fā)展

  •         電子元件技術(shù)網(wǎng)(www.cntronics.com)攜手中國電子展將在4月9日-4月10日在深圳會展中心舉辦三大技術(shù)和采購研討會及峰會,主題為:技術(shù)降成本,創(chuàng)新求發(fā)展。   金融海嘯席卷全球,中國的電子制造業(yè)也受到不同程度的影響。今天的設(shè)計(jì)活動是明天的晴雨表,知道了產(chǎn)品的趨勢和技術(shù)應(yīng)用的趨勢可以預(yù)測市場的變化。市場不好,研發(fā)更不能停。電子元件技術(shù)網(wǎng)CEO劉杰博士(Michael Liu)認(rèn)為經(jīng)濟(jì)下坡時(shí),市場受信心的影響
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探索供應(yīng)電源關(guān)閉時(shí)的‘Off-amps’問題

  • 除了靜電放電(ESD)測試以外,放大器的所有特性都是以電源開啟的狀態(tài)下所呈現(xiàn)的,因此,當(dāng)電源供應(yīng)關(guān)閉時(shí),放大器所 ...
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在PCB板的設(shè)計(jì)當(dāng)中抗ESD的方法與分析

可靠性工程——關(guān)于電子設(shè)備靜電放電(ESD)防護(hù)的設(shè)計(jì)原則

  • 0 引言   靜電是物體表面的靜止電荷。物體在接觸、摩擦、分離、電解等過程中,發(fā)生電子或離子的轉(zhuǎn)移,正電荷和負(fù)電荷在局部范圍內(nèi)失去平衡,就形成了靜電。當(dāng)物體表面的靜電場梯度達(dá)到一定的程度,正電荷和負(fù)電荷發(fā)生中和,就出現(xiàn)了靜電放電(ESD)。靜電放電可以出現(xiàn)在兩個(gè)物體之間,也可由物體表面經(jīng)電荷直接向空氣放電。 l 靜電放電的危害   靜電作為一種普遍物理現(xiàn)象,近十多年來伴隨著集成電路的飛速發(fā)展和高分子材料的廣泛應(yīng)用,靜電的作用力、放電和感應(yīng)現(xiàn)象引起的危害十分嚴(yán)重,美國統(tǒng)計(jì),美國電子行業(yè)部門每年因靜電危
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CMOS集成電路中ESD保護(hù)技術(shù)研究

  •   靜電在芯片的制造、封裝、測試和使用過程中無處不在,積累的靜電荷以幾安培或幾十安培的電流在納秒到微秒的時(shí)間里釋放,瞬間功率高達(dá)幾百千瓦,放電能量可達(dá)毫焦耳,對芯片的摧毀強(qiáng)度極大。所以芯片設(shè)計(jì)中靜電保護(hù)模塊的設(shè)計(jì)直接關(guān)系到芯片的功能穩(wěn)定性,極為重要。隨著工藝的發(fā)展,器件特征尺寸逐漸變小,柵氧也成比例縮小。二氧化硅的介電強(qiáng)度近似為8×106V/cm,因此厚度為10 nm的柵氧擊穿電壓約為8 V左右,盡管該擊穿電壓比3.3 V的電源電壓要高一倍多,但是各種因素造成的靜電,一般其峰值電壓遠(yuǎn)超過8 V
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安森美半導(dǎo)體專家在靜電放電保護(hù)技術(shù)研討會作主題報(bào)告

  •   2008年11月4日 – 全球領(lǐng)先的高性能、高能效硅解決方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ONNN)今日在臺北舉行的第七屆靜電放電保護(hù)技術(shù)研討會上,針對如何防止靜電放電(ESD) 所帶來的損失,從元件、制造和系統(tǒng)三個(gè)層級的技術(shù)面加以探討,為業(yè)界提供實(shí)質(zhì)建議。要有效降低ESD所帶來的損害,除了可選擇在制程中直接控制ESD之外,也可以在電子元件中加強(qiáng)抵抗ESD的裝置。安森美半導(dǎo)體長期投入于研發(fā)ESD保護(hù)技術(shù),通過先進(jìn)的ESD保護(hù)技術(shù)和完整的產(chǎn)品系列
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汽車電子引爆無源器件發(fā)展新高潮

  •   在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)為IC領(lǐng)域的45nm、多核技術(shù)的飛速發(fā)展所吸引時(shí),一向波瀾不驚的無源器件在汽車電子的推動下正暗流涌動,7月31日,TDK宣布收購EPCOS,劍指汽車電子領(lǐng)域。而村田,也在7月拉開了中國九城市汽車技術(shù)研討會的序幕。汽車電子給無源器件提出哪些新的需求?無源器件在這些新需求下出現(xiàn)什么新的變化?中國汽車電子設(shè)計(jì)工程師在無源器件的應(yīng)用上應(yīng)該注意什么?來自全球主要無源器件供應(yīng)商將為你解讀無源器件在汽車電子應(yīng)用上的未來與新技術(shù)。   汽車電子如何推動無源器件發(fā)展   隨著汽車電子化、
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手機(jī)中ESD和EMI干擾

  •   這篇文章簡要地探討了手機(jī)音頻系統(tǒng)中ESD及EMI的起因及結(jié)果。接著研討了ESD干擾抑制器和EMI濾波器的使用,以避免這些威脅。最后,比較了當(dāng)前三種解決方案。    現(xiàn)代材料和技術(shù)引起靜電放電(ESD)和電磁干擾(EMI),并成為經(jīng)常存在的危險(xiǎn)。我們的穿著和我們接觸的物品會引起靜電放電。數(shù)字技術(shù)已有電磁干擾。靜電放電會破壞手機(jī)里的電子部件。手機(jī)容易替換,但對用戶的傷害很大。手機(jī)電路設(shè)計(jì)者必須確保采取必要的措施,以消除ESD的破壞。   在音頻電路中如有電磁干擾(EMI),會出現(xiàn)嘶嘶、噼
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便攜式設(shè)備高速端口的ESD防護(hù)

  •   在高速數(shù)據(jù)率下,低電容 ESD 保護(hù)對于保持 USB 2.0、IEEE 1394 以及 ITV操作中使用的 DVI和HDMI 協(xié)議的數(shù)據(jù)完整性是很關(guān)鍵的。   全世界有數(shù)百萬的家庭都已經(jīng)在通過衛(wèi)星電視、有線電視以及陸地廣播享用互動式電視 (ITV)服務(wù) 。借助于計(jì)算機(jī)技術(shù),ATSC ACAP協(xié)議正在通過數(shù)據(jù)廣播 (PC 下載) 以及實(shí)時(shí)互動應(yīng)用服務(wù)成為富有生命力的廣播服務(wù)。   隨著這些行業(yè)的匯聚聯(lián)合,制造商必須對設(shè)備需求作出響應(yīng),以便容納更高的數(shù)據(jù)率以及符合當(dāng)前和擬議中的通信需求。另外,保護(hù)昂貴
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Vishay 推出高性能、超小型4 線ESD保護(hù)陣列

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出最新小型 4 線 ESD 保護(hù)陣列 --- VBUS054CV-HS3,該器件可在高浪涌電流情況下提供低電容,以保護(hù)兩個(gè)高速 USB 端口或四個(gè)其它高頻信號線,以免它們受到瞬態(tài)電壓信號的損壞。   VBUS054CV-HS3 采用占位面積為 1.6mm×1.6mm 且具有 0.75mm 超薄厚度的無鉛 LLP75 封裝,可將眾多便攜式電子設(shè)備中的有源 ESD 保護(hù)所需的板面空間縮減至最小,這些系統(tǒng)包括便攜式與手持式計(jì)算、通
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esd介紹

ESD的意思是“靜電釋放”的意思,它是英文:Electro-Static discharge 的縮寫 ESD知識介紹 靜電是一種客觀的自然現(xiàn)象,產(chǎn)生的方式多種,如接觸、摩擦等。靜電的特點(diǎn)是高電壓、低電量、小電流和作用時(shí)間短的特點(diǎn)。 人體自身的動作或與其他物體的接觸,分離,摩擦或感應(yīng)等因素,可以產(chǎn)生幾千伏甚至上萬伏的靜電。 靜電在多個(gè)領(lǐng)域造成嚴(yán)重危害。摩擦起電和人體靜電是電子工業(yè)中的兩 [ 查看詳細(xì) ]

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